Question

A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素。A元素的原子最外層電子排布為ns1，B元素的原子價(jià)電子排布為ns2np2，C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，D元素原子的M電子層的P亞層中有4個(gè)電子。

（1）D原子的電子排布式為 ，若A元素的原子最外層電子排布為1s1，則按原子軌道的重疊方式，A與C形成的化合物中的共價(jià)鍵屬于 鍵。

（2）當(dāng)n＝2時(shí)，B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為 ，B與C形成的晶體屬于 晶體。

當(dāng)n＝3時(shí)，B與C形成的晶體屬于 晶體。

（3）若A元素的原子最外層電子排布為2s1，B元素的原子價(jià)電子排布為3s23p2，元素A在周期表中的位置是 ，A、B、C、D四種元素的電負(fù)性由大到小的順序是 (用元素符號(hào)表示)。

（4）C和D的最簡(jiǎn)單氫化物相比較：穩(wěn)定性： （填化學(xué)式，下同）；

沸點(diǎn)： 原因是 。

 

Answer 1

（19分）

（1）1s22s22p63s23p4， σ

， 分子， 原子

（3）第2周期I A族， O＞S＞Si＞Li

（4）H20＞H2S H20＞H2S 水分子間存在氫鍵

【解析】

試題分析：短周期元素中，A元素原子的最外層電子排布為ns1，為ⅠA族元素；B元素原子的價(jià)電子排布為ns2np2，為ⅣA族；C元素原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，為O元素；D元素原子的M電子層的P軌道中有4個(gè)電子，為S元素。

（1）根據(jù)上述分析，D為P元素，則P原子電子排布式為：1s22s22p63s23p4；C為O，價(jià)電子數(shù)為6，價(jià)電子排布為2s22p4；A元素的原子最外層電子排布為1s1，為H元素，與O形成共價(jià)單鍵，按照重疊方式，屬于δ鍵。

（2）當(dāng)n=2時(shí)，B為C元素，C原子結(jié)構(gòu)示意圖為：；B與C形成的二氧化碳晶體，為分子

 

晶體；當(dāng)n=3時(shí)，B的價(jià)電子排布為3s23p2，為Si元素，B與C形成二氧化硅晶體，屬于原子晶體。

（3）若A元素原子的最外層電子排布為2s1，為L(zhǎng)i元素，位于周期表中第2周期第IA族；B元素的原子價(jià)電子排布為3s23p2，為Si，C為O，D為S，非金屬性越強(qiáng)，第一電離能越大，則第一電離能為O＞S＞Si＞Li。

（4）C和D的最簡(jiǎn)單氫化物分別為H2O、H2S，因?yàn)镺元素的非金屬性大于S，所以穩(wěn)定性：H20＞H2S；H2O分子間能形成氫鍵，H2S分子間的作用為范德華力，氫鍵的作用大于范德華力，所以沸點(diǎn)：H20＞H2S。

考點(diǎn)：本題考查核外電子排布、元素的推斷、第一電離能的比較、氫鍵、化學(xué)鍵。