Question

已知A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期，且元素原子序數(shù)依次增加，A焰色反應呈黃色；工業(yè)常用電解B的熔融的氯化物來制備B，C是一種能被HF和NaOH溶液溶解的單質(zhì)，D的電負性比磷大，第一電離能卻比磷小，E單質(zhì)是制備漂白液的原料，F(xiàn)能形成紅色(或磚紅色)和黑色的兩種氧化物，G是一種主族金屬。
（1）前四周期所有元素中，基態(tài)原子中未成對電子與其所在周期數(shù)相同的元素有    種。
（2）元素A、B、C分別與氟氣化合形成物質(zhì)X、Y、Z熔點見下表：

氟化物	X	Y	Z
熔點/K	1266	1534	183

解釋表中氟化物熔點差異的原因：                                      。
（3）已知常溫條件下，極性分子DOE₂是一種液態(tài)化合物，中心原子D的雜化方式是      。向盛有10mL水的錐形瓶中滴加少量的DOE₂溶液，生成兩種有刺激性氣味的氣體。請書寫此反應的化學方程式                            。
（4）G與氮原子可1：1化合，形成人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。G原子的價電子排布式為           。在該合成材料中，與同一個G原子相連的N原子構成的空間構型為正四面體。在四種基本晶體類型中，此晶體屬于        晶體。
（5）F晶體的堆積方式是         (填堆積名稱)，其配位數(shù)為       。 向F的硫酸鹽溶液中滴加氨水直至過量，寫出此過程所涉及的兩個離子方程式                                         根據(jù)價層電子對互斥理論，預測SO₄^2-的空間構型為                。

Answer 1

（1）5(1分)
（2）NaF和MgF₂為離子晶體，SiF₄為分子晶體，(1分) MgF₂的晶格能大于NaF(1分)　�。�3）SP³(1分)   SOCl₂ + H₂O = SO₂↑+ 2HCl↑(2分)
（4）4s²p¹(1分)，原子(1分)
（5）面心立方最密堆積(1分)，  12(1分)， Cu²⁺ + 2NH₃·H₂O = Cu(OH)₂↓+ 2NH₄⁺(2分)Cu(OH)₂ + 4NH₃·H₂O = [Cu(NH₃)₄]²⁺ + 4H₂O + 2OH^-(或?qū)�NH₃·H₂O寫成NH₃)(2分)，   正四面體(1分)

試題分析：A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期，且元素原子序數(shù)依次增加，A焰色反應呈黃色是Na；工業(yè)常用電解B的熔融的氯化物來制備B，是Mg；C是一種能被HF和NaOH溶液溶解的單質(zhì)，是Si；D的電負性比磷大，第一電離能卻比磷小，是S；E單質(zhì)是制備漂白液的原料，為Cl；F能形成紅色(或磚紅色)和黑色的兩種氧化物，為Cu；G是一種主族金屬。
（1）前四周期所有元素中，基態(tài)原子中未成對電子與其所在周期數(shù)相同的元素有1s¹，2s²2p²或2s²2p⁴，3s²3p³，3d⁶4s²(注意根據(jù)洪特規(guī)則3d⁴4s²是3d⁵4s¹)，共5種。
（2）元素Na、Mg、Si分別與氟氣化合形成物質(zhì)X(NaF)、Y(MgF₂)、Z(SiF₄)熔點NaF和MgF₂為離子晶體，SiF₄為分子晶體，MgF₂的晶格能大于NaF。
（3）已知常溫條件下，極性分子SOCl₂是一種液態(tài)化合物，中心原子S有價層電子4對，雜化方式是SP³。向盛有10mL水的錐形瓶中滴加少量的SOCl₂溶液，生成兩種有刺激性氣味的氣體為水解，即SO₂和HCl。
（4）G與氮原子可1：1化合，形成人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。物質(zhì)分子式是GN，G為+3價，在Cu之后，故是G原子的價電子排布式為4s²p¹。在該合成材料中，與同一個G原子相連的N原子構成的空間構型為正四面體。在四種基本晶體類型中，此晶體屬于原子晶體。
（5）Cu晶體的堆積方式是面心立方最密堆積，其配位數(shù)為12。 向CuSO₄溶液中滴加氨水直至過量，Cu²⁺先生成Cu(OH)₂沉淀，在溶解為[Cu(NH₃)₄]²⁺，根據(jù)價層電子對互斥理論，SO₄^2-的價層電子為4對，空間構型為正四面體。