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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
元素 | 相關(guān)信息 |
X | X的基態(tài)原子核外3個(gè)能級(jí)上有電子,且每個(gè)能級(jí)上的電子數(shù)相等 |
Y | M層上有2對(duì)成對(duì)電子 |
Z | Z和Y同周期,Z的電負(fù)性大于Y |
W | W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為63,中子數(shù)為34 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
請(qǐng)完成下列各題:
(1)前四周期元素中,基態(tài)原子中未成對(duì)電子數(shù)與其所在周期數(shù)相同的元素有________種。
(2)第ⅢA、ⅤA族元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為______________。在GaN晶體中,每個(gè)Ga原子與__________個(gè)N原子相連,與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為________。在四大晶體類型中,GaN屬于_______晶體。
(3)在極性分子NCl3中,N原子的化合價(jià)為-3,Cl原子的化合價(jià)為+1,請(qǐng)推測(cè)NCl3水解的主要產(chǎn)物是_________(填化學(xué)式)。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
請(qǐng)完成下列各題:
(1)前四周期元素中,基態(tài)原子中未成對(duì)電子數(shù)與其所在周期數(shù)相同的元素有 種。
(2)第ⅢA、ⅤA族元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為 。在GaN晶體中,每個(gè)Ga原子與 個(gè)N原子相連,與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為 。在四大晶體類型中,GaN屬于 晶體。
(3)在極性分子NCl3中,N原子的化合價(jià)為-3,Cl原子的化合價(jià)為+1,請(qǐng)推測(cè)
NCl3水解的主要產(chǎn)物是 (填化學(xué)式)。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
請(qǐng)完成下列各題:
(1)前四周期元素中,基態(tài)原子中未成對(duì)電子與其所在周期數(shù)相同的元素有 種。
(2)第ⅢA、ⅤA原元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為 。在GaN晶體中,每個(gè)Ga原子與 個(gè)N原子相連,與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為 。在四大晶體類型中,GaN屬于 晶體。
(3)在極性分子NCl3中,N原子的化合物為―3,Cl原子的化合價(jià)為+1,請(qǐng)推測(cè)NCl3水解的主要產(chǎn)物是 (填化學(xué)式)。
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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年山東省濰坊市高三第三次模擬考試?yán)砭C化學(xué)試卷(A卷)(解析版) 題型:填空題
碳、氮、氧是地球上豐富的元素。
(1)C、N、O的第一電離能由大到小的順序?yàn)椋ㄓ迷胤?hào)表示)_________。
(2)前四周期元素中,基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)與氮相同的元素有_________種。
(3)試判斷NH3溶于水后,形成NH3·H2O的合理結(jié)構(gòu):_______(填字母代號(hào)),推理依據(jù)是____ ___________。
(4)H2O分子與H+結(jié)合的過程中未發(fā)生改變的是_________(填序號(hào))。
a.微粒的空間構(gòu)型 b.O原子的雜化方式 c.H—O—H的鍵角
(5)C60晶體(其結(jié)構(gòu)模型如圖)中每個(gè)C60分子周圍與它距離最近且等距離的C60分子有__________個(gè)。
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