（2010?上海）NA表示阿伏加德羅常數(shù)，下列敘述正確的是（　　）
分析：本題考查了阿伏伽德羅常數(shù)知識．主要考查點(diǎn)有：①判斷一定量的物質(zhì)所含的某種粒子數(shù)目的多少；②物質(zhì)的組成；③通過阿伏加德羅常數(shù)進(jìn)行一些量之間的換算；④氣體摩爾體積
解答：解：A、阿伏伽德羅常數(shù)是指1mol任何微粒中含有的微粒數(shù)，等物質(zhì)的量不一定是1mol，A錯；
    B、H2O2的相對分子質(zhì)量為34，故1.7g的物質(zhì)的量為0.05mol，其每個(gè)分子中含有的電子為18個(gè)，則其1.7g中含有的電子的物質(zhì)的量為0.9mol，數(shù)目為0.9NA，B對；
    C、Na2O2固體中，含有的是Na+和O22-兩種離子，1mol固體中含有3mol離子，故其中的離子總數(shù)為3 NA，C錯；
    D、戊烷在標(biāo)準(zhǔn)狀況下為液態(tài)，故其2.24L不是0.1mol，D錯．
故選：B．
點(diǎn)評：判斷一定量的物質(zhì)所含有的某種粒子數(shù)目的多少是高考命題的熱點(diǎn)之一．在平時(shí)的學(xué)習(xí)中要強(qiáng)化訓(xùn)練，并注意知識的積累和總結(jié)．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答：
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1
．
（2）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個(gè)數(shù)為
4
4
，與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
．
（3）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3＞AsH3＞PH3
NH3＞AsH3＞PH3
． （用氫化物分子式表示）
（4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時(shí)制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
．
（5）比較二者的第一電離能：As
＞
＞
Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
（6）下列說法正確的是
BCD
BCD
（填字母）．
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B．GaP與GaAs互為等電子體
C．電負(fù)性：As＞Ga       D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

2010年的上海世博會是第41屆綜合性世博會，其內(nèi)運(yùn)用多處科技創(chuàng)新．圖1為PEMFC（質(zhì)子交換膜燃料電池），以全氟磺酸型固體聚合物為電解質(zhì)，鉑/碳或鉑一釕為電極，氫或凈化重整氣為燃料，空氣或純氧為氧化劑．圖2為光伏并網(wǎng)發(fā)電裝置，通過并網(wǎng)，上海市將使用半導(dǎo)體照明（LED）．發(fā)出白光的LED是由GaN芯片和釔鋁石榴石（YAG，化學(xué)式：Y3Al5O12）芯片封裝在一起做成的．
 
下列有關(guān)說法中正確的是（　　）

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2011?南京模擬）2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、InGaN（氮化銦鎵）為主．砷化鎵的品胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答：
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
ls22s22p63s23p63d104s24p1（或[Ar]3d104s24p1）
ls22s22p63s23p63d104s24p1（或[Ar]3d104s24p1）
．
（2）砷化鎵品胞中所包含的砷原子（白色球）個(gè)數(shù)為
4
4
，與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
．
（3）下列說法正確的是
BCDE
BCDE
（填字母）．
A．砷化鎵品胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B．第一電離能：As＞Ga
C．電負(fù)性：As＞Ga
D．砷化鎵晶體中含有配位鍵
E．GaP與GaAs互為等電子體
（4）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3＞AsH3＞PH3
NH3＞AsH3＞PH3
．
（5）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時(shí)制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2010?上海）接觸法制硫酸工藝中，其主反應(yīng)在450℃并有催化劑存在下進(jìn)行：
2SO2（g）+O2（g）?2SO3（g）+190kJ
1）該反應(yīng)所用的催化劑是
五氧化二釩
五氧化二釩
 （填寫化合物名稱），該反應(yīng)450℃時(shí)的平衡常數(shù)
大于
大于
 500℃時(shí)的平衡常數(shù)（填“大于”、“小于”或“等于”）．
2）該熱化學(xué)反應(yīng)方程式的意義是
在450℃時(shí)，2molSO2氣體和1molO2氣體完全反應(yīng)生成2molSO3氣體時(shí)放出的熱量為190kJ
在450℃時(shí)，2molSO2氣體和1molO2氣體完全反應(yīng)生成2molSO3氣體時(shí)放出的熱量為190kJ
．
3）對于反應(yīng)2SO2+O2?2SO3（g），化學(xué)平衡狀態(tài)的標(biāo)志為
bd
bd

a．v正（O2）=2v正（SO3）     
b．容器中氣體的平均分子量不隨時(shí)間而變化
c．容器中氣體的密度不隨時(shí)間而變化 
d．容器中氣體的分子總數(shù)不隨時(shí)間而變化
4）在一個(gè)固定容積為5L的密閉容器中充入0.20mol SO2和0.10molO2，半分鐘后達(dá)到平衡，測得容器中含SO30.18mol，則v（O2）=
0.036
0.036
mol．L-1．min-1：若繼續(xù)通入0.20mol SO2和0.10mol O2，則平衡
向正反應(yīng)方向
向正反應(yīng)方向
移動（填“向正反應(yīng)方向”、“向逆反應(yīng)方向”或“不”），再次達(dá)到平衡后，
0.36
0.36
mol＜n（SO3）＜
0.40
0.40
 mol．

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科目：高中化學(xué) 來源：0110 期末題 題型：填空題

零排放、太陽能、綠色光源等高科技點(diǎn)亮2010上海世博會。
（1）世博園區(qū)外圍設(shè)置生態(tài)化停車場，有害尾氣被納米光觸媒涂料分解為無毒物質(zhì)，汽車尾氣中下列物質(zhì)屬于由極性鍵構(gòu)成的非極性分子為_____________。
a. CO b. NO c. NO2 d. CO2
（2）“一軸四館”中安裝了高亮度節(jié)能的陶瓷金鹵燈，金鹵燈中填充物通常包含Na、81Tl、49In、Sc、N等元素的單質(zhì)及化合物。下列說法正確的是_____________。
a. 第ⅢA元素鉈和銦，第一電離能鉈小于銦
b. 元素Sc 位于周期表s區(qū)
c. 鈉的熔點(diǎn)低，是因?yàn)榻饘冁I較弱
d. 純凈的N2（光譜純）可由疊氮化鈉（NaN3）加熱分解而得到，由等電子體理論可推知N3-呈直線型 （3）世博館廣泛采用了冰蓄冷空調(diào)。冰蓄冷空調(diào)采用液態(tài)化合物乙二醇（HOCH2CH2OH）介質(zhì)，乙二醇沸點(diǎn)高，是由于_____________。
（4）上海地區(qū)大規(guī)模集中使用“21世紀(jì)綠色光源”LED半導(dǎo)體照明， LED晶片采用砷化鎵（GaAs）等材料組成。其中Ga原子在基態(tài)時(shí)，核外電子排布式為_____________。GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，晶胞中含砷原子數(shù)為_____________。砷化鎵是將(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃時(shí)制備得到。AsH3的空間形狀為_____________，(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為_____________。
（5）“東方之冠”（中國館）表面裝有7000多塊紅色鋁板，紅色鋁板為新型氟碳噴涂型材，一種氟碳涂層聚酯（FEP），它的單體為CF3-CF=CF2，該分子中碳原子的雜化方式有_____________ 。

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同步練習(xí)冊答案