Question

7．N、P、As、Ga、Cr等元素化合物種類繁多，具有重要的研究價(jià)值和應(yīng)用價(jià)值．請回答下列問題：
（1）N元素與Al、Si等元素在一定條件下生成AlN和Si₃N₄，實(shí)驗(yàn)測得二者在真空條件下的穩(wěn)定存在的最高溫度2200℃和1900℃，硬度類似金剛石，常用作耐高溫和耐磨材料．請推測它們屬于原子晶體類型．
（2）PCl₃和PCl₅是磷元素形成的兩種重要化合物，請根據(jù)價(jià)電子互斥理論推測PCl₃的空間構(gòu)型三角錐形．
（3）As的核外電子排布式中不同類型（s、p、d、f等）的電子比是s電子：p電子：d電子=8：15：10．
（4）Cr元素價(jià)電子排布式為3d⁵4s¹．
（5）砷化鎵以第三代半導(dǎo)體著稱，性能比硅更優(yōu)良，廣泛用于雷達(dá)、電子計(jì)算機(jī)、人造衛(wèi)星、宇宙飛船等尖端技術(shù)中已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl晶胞不同（填“相同”或“不同”）．
（6）根據(jù)As和Ga在元素周期表中的位置判斷，第一電離能As＞Ga（填“＜”“＞”或“=”）．
（7）（CH₃）3Ga中鎵原子的雜化類型為sp²雜化．

Answer 1

分析 （1）原子晶體熔、沸點(diǎn)高、硬度大，金剛石是原子晶體，因此AlN和Si₃N₄都屬于原子晶體；
（2）PCl₃中心原子P原子成3個(gè)σ鍵，P原子價(jià)層電子對是為3+1=4，含有1對孤對電子對，空間構(gòu)型為三角錐形；
（3）根據(jù)基態(tài)電子排布規(guī)律，寫出As原子的基態(tài)電子排布式，計(jì)算不同類型（s、p、d、f等）的電子比；
（4）Cr的原子序數(shù)為24，電子排布為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁵4s¹，價(jià)層電子排布式為3d⁵4s¹；
（5）GaAs晶體中As分布于晶胞體心，Ga分布于頂點(diǎn)和面心，而NaCl中陰陽離子分別位于晶胞的頂點(diǎn)、面心以及棱和體心；
（6）一般情況下，同周期元素從左到右第一電離能逐漸增大；
（7）利用價(jià)層電子對互斥模型判斷分子的空間構(gòu)型、雜化方式．

解答 解：（1）二者在真空條件下的穩(wěn)定存在的最高溫度2200℃和1900℃，硬度類似金剛石，常用作耐高溫和耐磨材料，原子晶體熔、沸點(diǎn)高、硬度大，金剛石是原子晶體，因此AlN和Si₃N₄都屬于原子晶體，
故答案為：原子；
（2）PCl₃中心原子P原子成3個(gè)σ鍵，P原子價(jià)層電子對是為3+1=4，含有1對孤對電子對，雜化軌道數(shù)為4，雜化方式為sp³，其空間構(gòu)型為三角錐，
故答案為：三角錐形；
（3）根據(jù)基態(tài)電子排布規(guī)律，As原子的基態(tài)電子排布式為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p³，因此s電子：p電子：d電子=8：15：10，
故答案為：s電子：p電子：d電子=8：15：10；
（4）Cr的原子序數(shù)為24，電子排布為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁵4s¹，價(jià)層電子排布式為3d⁵4s¹，
故答案為：3d⁵4s¹；
（5）GaAs晶體中As分布于晶胞體心，Ga分布于頂點(diǎn)和面心，而NaCl中陰陽離子分別位于晶胞的頂點(diǎn)、面心以及棱和體心，二者結(jié)構(gòu)不同，
故答案為：不同；
（6）同周期元素從左到右第一電離能逐漸增大，則第一電離能：As＞Ga，
故答案為：＞；
（7）（CH₃）₃Ga中Ga形成3個(gè)δ鍵，沒有孤電子對，為sp²雜化，
故答案為：sp²雜化．

點(diǎn)評 本題考查較為綜合，涉及元素周期律的遞變規(guī)律、分子空間構(gòu)型以及雜化類型的判斷、電子排布式以及氫鍵等知識(shí)，題目難度較大，注意相關(guān)基礎(chǔ)的把握和方法的積累．