在新材料領域,碳族元素有許多應用,請用所學相關知識回答下列問題:
(1)碳納米管由單層或多層石墨層卷曲而成,其結構類似于石墨晶體,每個碳原子通過
 
雜化與周圍碳原子成鍵,多層碳納米管的層與層之間靠
 
結合在一起.
(2)CH4中共用電子對偏向C,SiH4中共用電子對偏向H,則C、Si、H的電負性由大到小的順序為
 
.CH4的熔點比SiH4(填“高”或“低”)
 
,原因是
 

(3)用價層電子對互斥理論推斷SnBr2分子中Sn-Br鍵的鍵角
 
120°(填“>”、“<”或“=”),原因是
 

(4)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結構是:Pb4+處于立方晶胞頂點,Ba2+處于晶胞中心,O2-處于晶胞棱邊中心.該化合物化學式為
 
,每個Ba2+
 
個O2-配位.
(5)氮化碳結構如圖,其中β氮化碳硬度超過金剛石晶體,成為首屈一指的超硬新材料.在氮化碳晶體中每個碳原子與
 
個氮原子相連,每個氮原子與
 
個碳原子相連,化學式為
 

考點:晶胞的計算,元素電離能、電負性的含義及應用,鍵能、鍵長、鍵角及其應用,不同晶體的結構微粒及微粒間作用力的區(qū)別
專題:化學鍵與晶體結構
分析:(1)石墨是層狀結構,每層中每個C原子與周圍的3個C原子成σ鍵,鍵角為120°(這些都是實驗數(shù)據(jù)得出的),根據(jù)價層電子對互斥理論分析,層層之間存在分子間作用力;
(2)分子中共用電子對偏向于電負性大的原子,偏離于電負性小的原子;分子晶體中,氫化物的熔沸點與其相對分子質(zhì)量成正比;
(3)中心原子的孤電子對對成鍵電子對有排斥作用;
(4)利用均攤法確定其化學式;
(5)根據(jù)氮化碳結構知,在氮化碳晶體中每個碳原子與4個氮原子相連,每個氮原子與3個碳原子相連,據(jù)此判斷其化學式.
解答: 解:(1)石墨是層狀結構,每層中每個C原子與周圍的3個C原子成σ鍵,且含有一個π鍵,所以C原子雜化方式為sp2,鍵角為120°,層層之間存在分子間作用力,
故答案為:sp2;分子間作用力(或范德華力);
(2)元素的電負性越大,其吸引電子能力越大,根據(jù)元素吸引電子能力知,這三種元素電負性大小順序是C>H>Si,硅烷和甲烷都是分子晶體,硅烷相對分子質(zhì)量大于甲烷,二者結構和組成相似,所以甲烷的范德華力吸引硅烷,則CH4的熔點比SiH4低,
故答案為:C>H>Si;低;兩分子結構與組成相似,CH4的相對分子量小,范德華力小;
(3)SnBr2分子中Sn原子價層電子對個數(shù)=2+
1
2
×(4-2×1)=3且含有一個孤電子對,所以該分子為V形分子,孤電子對對成鍵電子對有排斥作用,所以其鍵角小于120°,
故答案為:<;中心原子的孤電子對對成鍵電子對有排斥作用;
(4)Pb4+處于立方晶胞頂點,Ba2+處于晶胞中心,O2-處于晶胞棱邊中心,則該晶胞中Pb4+個數(shù)=8×
1
8
=1,Ba2+個數(shù)為1,O2-個數(shù)=12×
1
4
=3,所以其化學式為BaPbO3,每個Ba2+與12個O2-配位,
故答案為:BaPbO3;12;
(5)根據(jù)氮化碳結構知,在氮化碳晶體中每個碳原子與4個氮原子相連,每個氮原子與3個碳原子相連,則C原子和N原子個數(shù)之比為3:4,所以其化學式為C3N4,
故答案為:4;3;C3N4
點評:本題考查物質(zhì)結構和性質(zhì),涉及晶胞計算、電負性、鍵角等知識點,利用均攤法、元素周期律、價層電子對互斥理論等知識點分析解答,難點是價層電子對個數(shù)的計算、晶胞的計算,同時考查學生空間想象能力,題目難度中等.
練習冊系列答案
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氧離子的結構示意圖是(  )
A、
B、
C、
D、

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下列有關摩爾使用的說法中不正確的是( 。
A、1摩爾氧原子
B、1摩爾氧分子
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D、1摩爾氧

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互為同素異形體的一組物質(zhì)是( 。
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D、CH3CH2CH2CH3

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欲鑒別碳酸鈉和亞硫酸鈉,應選用的試劑是( 。
A、氯化鋇溶液
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向某碳酸鈉溶液中逐滴加1mol?L─1的鹽酸,測得溶液中Cl-、HCO3-的物質(zhì)的量隨加入鹽酸體積的關系如圖所示,其中n2:n1=3:2
(1)Oa段反應的離子方程式為:
 
ab段反應的離子方程式為:
 

(2)該碳酸鈉溶液中含Na2CO3的物質(zhì)的量為:
 

(3)b點的數(shù)值為:
 

(4)b點時生成CO2的物質(zhì)的量為:
 

(5)b點時溶液中大量存在的離子為:
 

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今有含碳酸氫鈉的碳酸鈉樣品10.0g,放在空氣中加熱至質(zhì)量恒重為9.38g;則樣品中碳酸鈉的質(zhì)量分數(shù)為( 。
A、91.6%
B、83.2%
C、75.0%
D、67.6%

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A、1:2B、2:3
C、3:2D、1:1

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某學生用電解純凈的CuSO4溶液的方法,并根據(jù)電極上析出Cu的質(zhì)量(m g)以及電極上產(chǎn)生氣體的體積(V mL 標準狀況)來測定Cu的相對原子質(zhì)量,所用部分儀器及裝置如圖所示,回答下列問題:
(1)該裝置中B電極為電解池的
 
極(填“陰”或“陽”);
(2)A電極上的電極反應式為
 

電解池總反應的離子方程式為
 
;
(3)電解過程中,電解質(zhì)溶液的酸性
 
(填“增強”、“減弱”或“不變”);
(4)下列實驗操作中必要的是
 
(填寫字母);
(A)稱量電解前的電極的質(zhì)量;
(B)電解后,電極在烘干稱量前,必須用蒸餾水沖洗;
(C)刮下電解后電極上析出的銅,并清洗,稱量;
(D)電解后烘干稱重的操作中必須按“烘干→稱量→再烘干→再稱量”進行;
(E)在有空氣存在的情況下,烘干電極必須用低溫烘干的方法.
(5)銅的相對原子質(zhì)量為
 
(用帶有m、V的計算式表示).

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