【題目】某校探究性學(xué)習(xí)小組用已部分生銹的廢鐵屑制作印刷電路板的腐蝕劑,并回收銅。探究過程如下:
請回答下列問題:
(1)若溶液B中只含有Fe2+而不含Fe3+,可證明該事實的實驗方法是________(填序號)。
A.先加氯水,后加KSCN溶液后顯紅色
B.先加KSCN溶液,不顯紅色,再加氯水后顯紅色
C.④只滴加KSCN溶液不顯紅色
(2)步驟④的化學(xué)方程式為_____________________________。
(3)若除去氯化亞鐵中氯化鐵可以加入試劑________________。
【答案】B 2FeCl3+Cu===2FeCl2+CuCl2 鐵
【解析】
(1)亞鐵離子具有還原性,鐵離子具有氧化性,鐵離子能夠與硫氰化鉀反應(yīng)生成血紅色溶液,據(jù)此進(jìn)行分析;
(2)印刷電路板與FeCl3反應(yīng),化合價升高元素是銅,化合價降低的元素是三價鐵;
(3)利用鐵的還原性、鐵離子氧化性進(jìn)行解答。
(1) A.先加氯水,后加KSCN溶液后顯紅色無法排除Fe3+的存在,故A不選;
B.先加KSCN溶液,不顯紅色,再加氯水后顯紅色即可證明溶液中只含F(xiàn)e2+不含F(xiàn)e3+,故B可選;
C.④只滴加KSCN溶液不顯紅色,只能排除Fe3+的存在,不能證明溶液含F(xiàn)e2+,故C不選;
故答案選B;
(2)印刷電路板是由高分子材料和銅箔復(fù)合而成,F(xiàn)eCl3具有氧化性,和Cu反應(yīng)生成氯化亞鐵和氯化銅,化學(xué)方程式為:2FeCl3+Cu===2FeCl2+CuCl2;
故答案是:2FeCl3+Cu===2FeCl2+CuCl2;
(3)鐵具有還原性,鐵離子具有氧化性,能夠和鐵反應(yīng)生成亞鐵離子,不引入新雜質(zhì),而鐵與氯化亞鐵不反應(yīng),所以除去氯化亞鐵中氯化鐵可以加入試劑是鐵粉;
故答案是:鐵粉。
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【題目】下列離子方程式書寫正確的是( )
A. 實驗室用氯化銨和熟石灰制氨:NH4++OH-NH3↑+H2O
B. NaOH溶液與NH4Cl溶液混合加熱:NH4+ +OH-NH3·H2O
C. 氨水中加鹽酸:NH3·H2O+H+=NH4++H2O
D. 氨水中加入氯化鐵溶液:Fe2++2NH3·H2O=2NH4++Fe(OH)2↓
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【題目】有X、Y、Z、M、R五種短周期主族元素,部分信息如下表所示:
X | Y | Z | M | R | |
原子半徑/nm | 0.074 | 0.099 | |||
主要化合價 | +4,-4 | -2 | -1,+7 | ||
其它 | 陽離子核外無電子 | 無機(jī)非金屬材料的主角 | 第三周期簡單離子半徑最小 |
請回答下列問題:
(1)Z與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式:___。(用元素符號表示,下同。)
(2)下列事實能說明R非金屬性比Y強(qiáng)這一結(jié)論的是___(選填字母序號)。
a.常溫下Y的單質(zhì)呈固態(tài),R的單質(zhì)呈氣態(tài)
b.氣態(tài)氫化物穩(wěn)定性R>Y
c.Y與R形成的化合物中Y呈正價
d.Y與R各自形成的含氧酸中R的氧化性更強(qiáng)
(3)經(jīng)測定X2M2為二元弱酸,寫出X2M2的電子式___。其酸性比碳酸的還要弱,請寫出其第一步電離的電離方程式___。
(4)已知I2能做X2M2分解的催化劑:
第一步:X2M2+I2=2XIM;
第二步:……
請寫出第二步反應(yīng)的化學(xué)方程式___。
(5)廢印刷電路板上含有銅,以往的回收方法是將其灼燒使銅轉(zhuǎn)化為氧化銅,再用硫酸溶解,F(xiàn)在改用X2M2和稀硫酸浸泡廢印刷電路板既達(dá)到上述目的,又保護(hù)了環(huán)境,試寫出反應(yīng)的離子方程式___。
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【題目】海水曬鹽后的鹽鹵中含Br-,可提取Br2,流程如圖:
已知:①3Br2+3CO= 5Br- +BrO+3CO2↑②5Br- +BrO+6H+ =3Br2 +3H2O
下列說法不正確的是
A.海水曬鹽能實現(xiàn)溴元素的富集
B.通入Cl2后發(fā)生反應(yīng): 2Br- +Cl2= Br2 +2Cl-
C.吸收塔中加入W溶液后得到Br2,W可以是硝酸
D.海水中Br-的濃度約為66mg·L-1 ,若該工藝總提取率為60%,1m3海水能制得39.6g Br2
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【題目】在一定溫度和體積固定的密閉容器中,可逆反應(yīng)H2(g)+I(xiàn)2(g) 2HI(g) (無色)達(dá)平衡狀態(tài),該狀態(tài)下,說法不正確的是( )
A. 可逆反應(yīng)停止 B. I2濃度不再變化
C. HI濃度不再變化 D. 混合氣體顏色不再變化
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【題目】高純度晶體硅是良好的半導(dǎo)體材料,它的發(fā)現(xiàn)和使用引起了計算機(jī)的一場“革命”。它可以按下列方法制備:
SiO2Si(粗)SiHCl3Si(純)
下列說法不正確的是( )
A.步驟③中氫氣作還原劑
B.硅和二氧化硅都能用作計算機(jī)“芯片”
C.步驟①的化學(xué)方程式為:SiO2+2CSi+2CO↑
D.步驟①②③中發(fā)生的反應(yīng)都屬于氧化還原反應(yīng)
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【題目】C、N和Si能形成多種高硬度材料,如、、SiC
(1)和中硬度較高的是______,理由是______。
(2)和N能形成一種類石墨結(jié)構(gòu)材料,其合成過程如圖1所示。該類石墨結(jié)構(gòu)材料化合物的化學(xué)式為______,其合成過程中有三聚氰胺形成,三聚氰胺中N原子的雜化方式有______。
(3)和N能形成一種五元環(huán)狀有機(jī)物咪唑簡寫為,其結(jié)構(gòu)為化合物的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2:
①陽離子和之間除了陰陽離子間的靜電作用力,還存在氫鍵作用寫出該氫鍵的表示式:______。例如水中氫鍵的表示式為
②多原子分子中各原子若在同一平面,且有相互平行的p軌道,則p電子可在多個原子間運動,形成“離域鍵”,如分子中存在“離域鍵”,則im分子中存在的“離域鍵”是______。
(4)為立方晶系晶體,該晶胞中原子的坐標(biāo)參數(shù)為
C:;;0,,;;
Si:;;;
則立方晶胞中含有______個Si原子、______個C原子。
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【題目】一定溫度下10L密閉容器中發(fā)生某可逆反應(yīng),其平衡常數(shù)表達(dá)為:K=。
根據(jù)題意完成下列填空:
(1)寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式___;若溫度升高,K增大,該反應(yīng)是___反應(yīng)(填“吸熱”或“放熱”)。
(2)能判斷該反應(yīng)一定達(dá)到平衡狀態(tài)的是___(選填編號)。
a.v正(H2O)=v逆(H2) b.容器中氣體的相對分子質(zhì)量不隨時間改變
c.消耗nmol H2同時消耗nmolCO d.容器中物質(zhì)的總物質(zhì)的量不隨時間改變
(3)該反應(yīng)的v正 隨時間變化的關(guān)系如圖。t2時改變了某種條件,改變的條件可能是___、___。(填寫2項)
(4)實驗測得t2時刻容器內(nèi)有1molH2O,5min后H2O的物質(zhì)的量是0.8mol,這5min內(nèi)H2O的平均反應(yīng)速率為___。
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【題目】A 的產(chǎn)量可以用來衡量一個國家的石油化工發(fā)展水平,E 是一種具有果香味的有機(jī)物(過程中的水或其他物質(zhì)已省略)。
(1)D 分子中的官能團(tuán)名稱是_____。
(2)寫出 C 的結(jié)構(gòu)簡式:_____
(3)反應(yīng)①A→B 的反應(yīng)類型是_____
(4)寫出下列反應(yīng)的化學(xué)方程式:B+D→E:_____。
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