Question

【題目】(1)碳的一種單質(zhì)的結(jié)構(gòu)如圖（a）所示。該單質(zhì)的晶體類型為___________，碳原子的雜化軌道類型為_________。

(2)SiCl4分子的中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為__________，分子的立體構(gòu)型為_______。

(3)四鹵化硅SiX4的沸點(diǎn)和二鹵化鉛PbX2的熔點(diǎn)如圖（b）所示。

SiX4的沸點(diǎn)依F、Cl、Br、I次序升高的原因是：______________________________________。

(4)碳的另一種單質(zhì)C60可以與鉀形成低溫超導(dǎo)化合物，晶體結(jié)構(gòu)如圖（c）所示。K位于立方體的棱上和立方體的內(nèi)部，此化合物的化學(xué)式為_______________；其晶胞參數(shù)為1.4 nm，晶體密度為___________________________________g·cm-3（列式并計(jì)算保留1位小數(shù)）。

Answer 1

【答案】混合型晶體 sp2 4 正四面體 均為分子晶體，范德華力隨分子相對(duì)質(zhì)量增大而增大 K3C60 2.0

【解析】

（1）碳的一種單質(zhì)的結(jié)構(gòu)如圖（a）所示，應(yīng)為石墨；同層的碳原子與相鄰碳原子形成3個(gè)鍵，無孤電子對(duì)；(2)中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=中心原子孤電子對(duì)數(shù)+中心原子與周圍原子形成σ鍵電子對(duì)數(shù)；(3)SiX4均為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，沸點(diǎn)越高；(4)根據(jù)均攤原則計(jì)算化學(xué)式；1個(gè)晶胞含有4個(gè)C60、12個(gè)K原子，所以晶胞的摩爾質(zhì)量是4×60×12+12×39=3348g/mol；晶胞參數(shù)1.4nm，則1個(gè)晶胞的體積是(1.4×10-7)3cm3。

（1）碳的一種單質(zhì)的結(jié)構(gòu)如圖（a）所示，應(yīng)為石墨，屬于混合型晶體；同層的碳原子與相鄰碳原子形成3個(gè)鍵，無孤電子對(duì)，所以碳原子的雜化軌道類型為sp2；(2)中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=中心原子孤電子對(duì)數(shù)+中心原子與周圍原子形成σ鍵電子對(duì)數(shù)，SiCl4分子的中心原子是Si，孤電子對(duì)數(shù)為0，與氯原子形成4個(gè)σ鍵，所以價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4；根據(jù)價(jià)電子互斥理論，SiCl4分子的立體構(gòu)型為正四面體；(3)SiX4均為分子晶體，范德華力隨分子相對(duì)質(zhì)量增大而增大，所以SiX4的沸點(diǎn)依F、Cl、Br、I次序升高；(4)根據(jù)均攤原則，1個(gè)晶胞中C60數(shù)是，K原子數(shù)是，所以化學(xué)式為K3C60；1個(gè)晶胞含有4個(gè)C60、12個(gè)K原子，所以晶胞的摩爾質(zhì)量是4×60×12+12×39=3348g/mol；晶胞參數(shù)1.4nm，則1個(gè)晶胞的體積是(1.4×10-7)3cm3，晶體的密度為 g·cm–3=2.0 g·cm–3。