氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。
(1)Al與NaOH溶液反應的離子方程式為???????????????????????????????????? 。
(2)下列實驗能比較鎂和鋁的金屬性強弱的是???? ??? ?? (填序號)。
a.測定鎂和鋁的導電性強弱
b.測定等物質(zhì)的量濃度的Al2(SO4)3和MgSO4溶液的pH
c.向0.1 mol/LAlCl3和0.1 mol/L MgCl2中加過量NaOH溶液
(3)鋁熱法是常用的金屬冶煉方法之一。
已知:4Al (s)+3O2(g) =2Al2O3(s)??? ΔH1 = -3352 kJ/mol
Mn(s)+ O2(g) =MnO2 (s)???? ΔH2 = -521 kJ/mol
Al與MnO2反應冶煉金屬Mn的熱化學方程式是?????????????????????? ????? 。
(4)氮化硅抗腐蝕能力很強,但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應生成四氟化硅和一種銨鹽,其反應方程式為??????????????????? ????????? ???????????? 。
(5)工業(yè)上用化學氣相沉積法制備氮化硅,其反應如下:3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g) Si3N4(s) + 12HCl(g)?? △H<0??
某溫度和壓強條件下,分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密閉容器內(nèi),進行上述反應,5min達到平衡狀態(tài),所得Si3N4(s)的質(zhì)量是5.60g。
①H2的平均反應速率是???????? mol/(L·min)。
②若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) = 3 : 2 : 6的投料配比,向上述容器不斷擴大加料,SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率應????? (填“增大”、“減小”或“不變”)。
(6)298K時,Ksp[Ce(OH)4]=1×10—29。Ce(OH)4的溶度積表達式為Ksp=?????????????? 。
為了使溶液中Ce4+沉淀完全,即殘留在溶液中的c(Ce4+)小于1×10-5mol·L-1,需調(diào)節(jié)pH為????? 以上。
(1)2Al +2OH-+6H2O = 2 [Al(OH)4]- + 3H2↑?? (2分)
(2)c?? (2分)?????????????
(3)4Al (s)+ 3MnO2 (s) = 3Mn(s) +2Al2O3(s)??? ΔH=–1789 kJ/mol(3分)
(4)Si3N4 +16HF = 3SiF4 + 4NH4F??? (2分)
(5)①0.024? (3分)? ??? ②減小? (2分)?????
(6)c(Ce4+)?[c(OH-)]4?? (2分) ;? 8? (2分)
【解析】
試題分析:(1)Al與NaOH、H2O反應生成Na[Al(OH)4]和H2,離子方程式為:2Al +2OH-+6H2O = 2 [Al(OH)4]- + 3H2↑
(2)a、導電性與金屬性強弱無關(guān),錯誤;b、物質(zhì)的量濃度的Al2(SO4)3和MgSO4溶液中,Al3+與Mg2+濃度不相等,不能根據(jù)水解后溶液的pH判斷金屬性強弱,錯誤;c、向0.1 mol/LAlCl3中加過量NaOH溶液,先生成白色沉淀,然后逐漸溶解,說明Al(OH)3呈兩性,向0.1 mol/L MgCl2中加過量NaOH溶液,生成白色沉淀,Mg(OH)2的堿性大于Al(OH)3,則Mg的金屬性大于Al,正確。
(3)先寫出Al與MnO2反應的化學方程式并注明狀態(tài),4Al (s)+ 3MnO2 (s) = 3Mn(s) +2Al2O3(s),然后根據(jù)蓋斯定律求算焓變,?H=?H1-3?H2=-3352 kJ?mol?1+3×521 kJ?mol?1=–1789 kJ?mol?1,可寫出熱化學方程式。
(4)氮化硅與氫氟酸反應生成四氟化硅和一種銨鹽,根據(jù)元素守恒,銨鹽為NH4F,配平可得化學方程式:Si3N4 +16HF = 3SiF4 + 4NH4F
(5)①所得Si3N4(s)的物質(zhì)的量為:5.60g÷140g/mol=0.04mol,則v(H2)=6×0.04mol÷2L÷5min=0.024 mol/(L·min)。
②因為正反應方向氣體的系數(shù)減小,若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) = 3 : 2 : 6的投料配比,向上述容器不斷擴大加料,容器內(nèi)壓強不斷增大,SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率減小。
(6)根據(jù)溶度積的定義,Ce(OH)4的溶度積表達式為Ksp=c(Ce4+)?[c(OH-)]4;c(Ce4+)等于1×10-5mol·L-1,帶入Ksp表達式,1×10-5?[c(OH-)]4=1×10—29,可得c(OH?)= 1×10—6,則pH=8.
考點:本題考查化學方程式與離子方程式的書寫、金屬性的判斷、熱化學方程式的書寫、化學反應速率的計算、 Ksp表達式及計算。
科目:高中化學 來源:2012-2013學年北京市房山區(qū)房山中學高二下學期期中考試化學試卷(帶解析) 題型:填空題
碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。
(1)Al的原子結(jié)構(gòu)示意圖為 ;Al與NaOH溶液反應的離子方程式為
。
(2)氮化硅抗腐蝕能力很強,但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應生成四氟化硅和一種銨鹽,其反應方程式為 。
(3)工業(yè)上用化學氣相沉積法制備氮化硅,其反應如下:
3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g) △H<0
某溫度和壓強條件下,分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密閉容器內(nèi),進行上述反應,5min達到平衡狀態(tài),所得Si3N4(s)的質(zhì)量是5.60g。
①H2的平均反應速率是 mol/(L·min)。
②平衡時容器內(nèi)N2的濃度是 mol·L-1。
③SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率是 。
④若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) =" 3" : 2 : 6的投料配比,向上述容器不斷擴大加料,SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率應 (填“增大”、“減”或“不變”)。
⑤工業(yè)上制備純硅反應的熱化學方程式如下:
SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g);△H=+QkJ·mol-1(Q>0)
某溫度、壓強下,將一定量的反應物通入密閉容器進行以上的反應(此條件下為可逆反應),下列敘述正確的是( )
A.反應過程中,若增大壓強能提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率
B.若反應開始時SiCl4為1mol,則達到平衡時,吸收熱量為QkJ
C.當反應吸收熱量為0.025QkJ時,生成的HCl通入100mL1mol·L-1的NaOH恰好反應
D.反應至4min時,若HCl的濃度為0.12mol·L-1,則H2的反應速率為0.03mol/(L·min)
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科目:高中化學 來源:2012-2013學年四川成都棠湖中學外語實驗學校高二5月月考化學卷(帶解析) 題型:填空題
碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。宇宙火箭和導彈中,大量用鈦代替鋼鐵。
(1)Al的離子結(jié)構(gòu)示意圖為 ;
Al與NaOH溶液反應的離子方程式為
(2)氮化硅抗腐蝕能力很強,但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應生成四氟化硅和一種銨鹽,
其反應方程式為
(3)工業(yè)上用化學氣相沉積法制備氮化硅,其反應如下:
3SiCl4(g) + x N2(g) + 6 H2(g) Si3N4(s) + 12 HCl(g) △H<0
在恒溫、恒容時,分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2 L密閉容器內(nèi),進行上述反應,5 min達到平衡狀態(tài),所得HCl(g)為0.3mol/L、 N2為0.05 mol/L
① H2的平均反應速率是
② 反應前與達到平衡時容器內(nèi)的壓強之比=
③ 系數(shù) x =
(4)已知:TiO2(s)+2Cl2(g)===TiCl4(l)+O2(g) ΔH1=+140 kJ·mol-1
C(s)+O2(g)=== CO(g) ΔH2 =-110 kJ·mol-1
寫出TiO2和焦炭、氯氣反應生成TiCl4和CO氣體的熱化學方程式:
。
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科目:高中化學 來源:2014屆北京市高二下學期期中考試化學試卷(解析版) 題型:填空題
碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。
(1)Al的原子結(jié)構(gòu)示意圖為 ;Al與NaOH溶液反應的離子方程式為
。
(2)氮化硅抗腐蝕能力很強,但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應生成四氟化硅和一種銨鹽,其反應方程式為 。
(3)工業(yè)上用化學氣相沉積法制備氮化硅,其反應如下:
3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g) △H<0
某溫度和壓強條件下,分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密閉容器內(nèi),進行上述反應,5min達到平衡狀態(tài),所得Si3N4(s)的質(zhì)量是5.60g。
①H2的平均反應速率是 mol/(L·min)。
②平衡時容器內(nèi)N2的濃度是 mol·L-1。
③SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率是 。
④若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) =" 3" : 2 : 6的投料配比,向上述容器不斷擴大加料,SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率應 (填“增大”、“減”或“不變”)。
⑤工業(yè)上制備純硅反應的熱化學方程式如下:
SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g);△H=+QkJ·mol-1(Q>0)
某溫度、壓強下,將一定量的反應物通入密閉容器進行以上的反應(此條件下為可逆反應),下列敘述正確的是( )
A.反應過程中,若增大壓強能提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率
B.若反應開始時SiCl4為1mol,則達到平衡時,吸收熱量為QkJ
C.當反應吸收熱量為0.025QkJ時,生成的HCl通入100mL1mol·L-1的NaOH恰好反應
D.反應至4min時,若HCl的濃度為0.12mol·L-1,則H2的反應速率為0.03mol/(L·min)
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科目:高中化學 來源:2014屆四川成都棠湖中學外語實驗學校高二5月月考化學卷(解析版) 題型:填空題
碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。宇宙火箭和導彈中,大量用鈦代替鋼鐵。
(1)Al的離子結(jié)構(gòu)示意圖為 ;
Al與NaOH溶液反應的離子方程式為
(2)氮化硅抗腐蝕能力很強,但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應生成四氟化硅和一種銨鹽,
其反應方程式為
(3)工業(yè)上用化學氣相沉積法制備氮化硅,其反應如下:
3SiCl4(g) + x N2(g) + 6 H2(g) Si3N4(s) + 12 HCl(g) △H<0
在恒溫、恒容時,分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2 L密閉容器內(nèi),進行上述反應,5 min達到平衡狀態(tài),所得HCl(g)為0.3mol/L、 N2為0.05 mol/L
① H2的平均反應速率是
② 反應前與達到平衡時容器內(nèi)的壓強之比=
③ 系數(shù) x =
(4)已知:TiO2(s)+2Cl2(g)===TiCl4(l)+O2(g) ΔH1=+140 kJ·mol-1
C(s)+O2(g)=== CO(g) ΔH2 =-110 kJ·mol-1
寫出TiO2和焦炭、氯氣反應生成TiCl4和CO氣體的熱化學方程式:
。
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