碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。
(1)Al的原子結(jié)構(gòu)示意圖為 ;Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為
。
(2)氮化硅抗腐蝕能力很強(qiáng),但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽,其反應(yīng)方程式為 。
(3)工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:
3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g) △H<0
某溫度和壓強(qiáng)條件下,分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密閉容器內(nèi),進(jìn)行上述反應(yīng),5min達(dá)到平衡狀態(tài),所得Si3N4(s)的質(zhì)量是5.60g。
①H2的平均反應(yīng)速率是 mol/(L·min)。
②平衡時(shí)容器內(nèi)N2的濃度是 mol·L-1。
③SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率是 。
④若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) =" 3" : 2 : 6的投料配比,向上述容器不斷擴(kuò)大加料,SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率應(yīng) (填“增大”、“減”或“不變”)。
⑤工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下:
SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g);△H=+QkJ·mol-1(Q>0)
某溫度、壓強(qiáng)下,將一定量的反應(yīng)物通入密閉容器進(jìn)行以上的反應(yīng)(此條件下為可逆反應(yīng)),下列敘述正確的是( )
A.反應(yīng)過程中,若增大壓強(qiáng)能提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率
B.若反應(yīng)開始時(shí)SiCl4為1mol,則達(dá)到平衡時(shí),吸收熱量為QkJ
C.當(dāng)反應(yīng)吸收熱量為0.025QkJ時(shí),生成的HCl通入100mL1mol·L-1的NaOH恰好反應(yīng)
D.反應(yīng)至4min時(shí),若HCl的濃度為0.12mol·L-1,則H2的反應(yīng)速率為0.03mol/(L·min)
(1)
2Al +2OH-+2H2O = 2AlO2 + 3H2↑
(2)Si3N4 +16HF = 3SiF4 + 4NH4F
(3)①0.024 ②0.06 ③40% ④不變 ⑤ C
解析試題分析:(1)Al的原子結(jié)構(gòu)示意圖為,Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為2Al +2OH-+2H2O = 2AlO2 + 3H2↑;
(2)氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽,這種銨鹽是NH4F,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為Si3N4 +16HF = 3SiF4 + 4NH4F ;
(3)①Si3N4(s)的質(zhì)量是5.60g,所以的物質(zhì)的量n=5.60/80=0.04mol,根據(jù)
3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g) Si3N4(s) + 12HCl(g),可知
V(H2)="6" V(Si3N4)=6×(0.04/2/5)="0.024" mol/(L·min);②反應(yīng)的N2的物質(zhì)的量n=0.04×2=0.08mol,所以平衡時(shí)容器內(nèi)N2的濃度=(0.2-0.08)/2="0.06" mol·L-1;
③SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率是=0.04×3/0.3×100%=40%;④若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) =" 3" : 2 : 6的投料配比,向上述容器不斷擴(kuò)大加料,因?yàn)檫@個(gè)投料比為化學(xué)計(jì)量數(shù)之比,所以SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率應(yīng)該不變;⑤由SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g);△H=+QkJ·mol-1(Q>0)可以知道,壓強(qiáng)增大,反應(yīng)向左進(jìn)行,所以減小壓強(qiáng)能提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率,故A錯(cuò)誤;若反應(yīng)開始時(shí)SiCl4為1mol,達(dá)到平衡時(shí),由于該反應(yīng)為可逆反應(yīng),所以吸收熱量小于QkJ,故B錯(cuò)誤;C正確,反應(yīng)至4min時(shí),若HCl的濃度為0.12mol·L-1,則H2的反應(yīng)速率為0.015mol/(L·min),故D也錯(cuò)誤,本題答案為C。
考點(diǎn):原子結(jié)構(gòu)示意圖、離子方程式、化學(xué)平衡
點(diǎn)評:本題綜合考查了原子結(jié)構(gòu)示意圖、離子方程式、化學(xué)平衡的綜合知識,是高考考查的重點(diǎn),該題比較全面,是一道不錯(cuò)的題目。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
A、①②③④⑤⑥ | B、①④③②⑥⑤ | C、③④①②⑥⑤ | D、③④①②⑤⑥ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
碳化硅(SiC)的一種晶體具有類似金剛石的結(jié)構(gòu),其中碳原子和硅原子的位置是交替的。在下列三種晶體①金剛石、②晶體硅、③碳化硅中,它們的熔點(diǎn)從高到低的順序是( )
A. ①③② B. ②③① C. ③①② D. ②①③
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
碳化硅(SiC)是一種晶體,具有類似金剛石的結(jié)構(gòu),其中碳原子和硅原子的位置是交替的,在下列三種晶體,它們的熔點(diǎn)由高到低的是( 。
①金剛石、诰w硅、厶蓟
A.①③② B.③①②? C.②③① D.②①③
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科目:高中化學(xué) 來源:2013屆甘肅省高二下學(xué)期第二次月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
碳化硅(SiC)是一種具有類似金剛石結(jié)構(gòu)的晶體,其中碳原子和硅原子的位置是交替的。下列三種晶體:①金剛石、②晶體硅、③碳化硅中,它們的熔點(diǎn)由高到低的順序是( )
A.①③② B.②③① C.③①② D.②①③
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