碳族元素包括C、Si、Ge、Sn、Pb.
(1)碳納米管由單層或多層石墨層卷曲而成,其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體,每個(gè)碳原子通過______雜化與周圍碳原子成鍵,多層碳納米管的層與層之間靠______結(jié)合在一起.
(2)CH4中共用電子對(duì)偏向C,SiH4中共用電子對(duì)偏向H,則C、Si、H的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開_____.
(3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷SnBr2分子中Sn-Br鍵的鍵角______120°(填“>”“<”或“=”)
(4)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是:Pb4+處于立方晶胞頂點(diǎn),Ba2+處于晶胞中心,O2-處于晶胞棱邊中心.該化合物化學(xué)式為______,每個(gè)Ba2+與______個(gè)O2-配位.

解:(1)石墨每個(gè)碳原子用SP2雜化軌道與鄰近的三個(gè)碳原子以共價(jià)鍵結(jié)合,形成無限的六邊形平面網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),每個(gè)碳原子還有一個(gè)與碳環(huán)平面垂直的未參與雜化的2P軌道,并含有一個(gè)未成對(duì)電子,這些平面網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)再以范德華力結(jié)合形成層狀結(jié)構(gòu).因碳納米管結(jié)構(gòu)與石墨類似.
故答案為:SP2 ;范德華力;
(2)根據(jù)共用電子對(duì)偏向電負(fù)性大的原子,已知CH4中共用電子對(duì)偏向C,SiH4中共用電子對(duì)偏向H,故有C>H>Si,
故答案為:C>H>Si;
(3)SnBr2分子中,Sn原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)目是=3,配位原子數(shù)為2,故Sn含有孤對(duì)電子,SnBr2空間構(gòu)型為V型,鍵角小于120°,故答案為:<;
(4)根據(jù)均攤法可知,每個(gè)晶胞含有Pb4+:8×8=1個(gè),Ba2+:1個(gè),O2-:12×=3個(gè),故化學(xué)式為PbBaO3,Ba2+ 處于晶胞中心,只有一個(gè),O2-處于晶胞棱邊中心,共有12個(gè),故每個(gè)Ba2+與12個(gè)O2-配位.
故答案為:PbBaO3;12.
分析:(1)石墨是層狀結(jié)構(gòu)的,每層每個(gè)C原子與周圍的三個(gè)碳原子成σ鍵,鍵角為120°(這些都是實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得出的),根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論分析;
(2)根據(jù)吸電子能力強(qiáng)的原子電負(fù)性大分析;
(3)首先判斷價(jià)層電子對(duì)數(shù)目和有無孤電子對(duì),進(jìn)而判斷分子的空間構(gòu)型;
(4)利用均攤法計(jì)算該化合物的化學(xué)式.
點(diǎn)評(píng):此知識(shí)點(diǎn)為選修內(nèi)容,本題綜合考查了原子雜化方式、電負(fù)性、價(jià)層電子對(duì)互斥理論、晶胞結(jié)構(gòu)等知識(shí),知識(shí)點(diǎn)全面,突出主干知識(shí),題目難度中等,學(xué)生在學(xué)習(xí)過程中重點(diǎn)在于能利用模型解決問題,側(cè)重于方法.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2010?山東)碳族元素包括C、Si、Ge、Sn、Pb.
(1)碳納米管由單層或多層石墨層卷曲而成,其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體,每個(gè)碳原子通過
SP2
SP2
雜化與周圍碳原子成鍵,多層碳納米管的層與層之間靠
范德華力
范德華力
結(jié)合在一起.
(2)CH4中共用電子對(duì)偏向C,SiH4中共用電子對(duì)偏向H,則C、Si、H的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
C>H>Si
C>H>Si

(3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷SnBr2分子中Sn-Br鍵的鍵角
120°(填“>”“<”或“=”)
(4)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是:Pb4+處于立方晶胞頂點(diǎn),Ba2+處于晶胞中心,O2-處于晶胞棱邊中心.該化合物化學(xué)式為
PbBaO3
PbBaO3
,每個(gè)Ba2+
12
12
個(gè)O2-配位.

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科目:高中化學(xué) 來源:2012屆福建省高二下學(xué)期學(xué)段考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

. (6分) 碳族元素包括C、Si、Cu、Sn、Pb。

(1)碳納米管由單層或多層石墨卷曲而成,其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體,每個(gè)碳原子通過           雜化與周圍碳原子成鍵,多層碳納米管的層與層之間靠       結(jié)合在一起。

(2)CH4中共用電子對(duì)偏向C、SiH4中共用電子對(duì)偏向H,則C、Si、H的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?u>           。

(3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷SnBr2分子中Sn—Br鍵的鍵角      120°(填“>”“<”或“=”)

(4)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是:Pb4+處于立方晶胞頂點(diǎn),Ba2+處于晶胞中心,O2-處于晶胞棱邊中心。該化合物化學(xué)式為          ,每個(gè)Ba2+           個(gè)O2-配位。

 

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科目:高中化學(xué) 來源:同步題 題型:填空題

碳族元素包括C、Si、 Ge、Sn、Pb。
(1)碳納米管由單層或多層石墨層卷曲而成,其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體,每個(gè)碳原子通過_________雜化與周圍碳原子成鍵,多層碳納米管的層與層之間靠______結(jié)合在一起。
(2)CH4中共用電子對(duì)偏向C,SiH4共用電子對(duì)偏向H,則C、Si、H的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開______。
(3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷SnBr2分子中Sn-Br鍵的鍵角_____120。(填“>”“<”或“=”)。

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科目:高中化學(xué) 來源:山東省高考真題 題型:填空題

碳族元素包括C、Si、Ge、Sn、Pb。
(1)碳納米管由單層或多層石墨層卷曲而成,其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體,每個(gè)碳原子通過____雜化與周圍碳原子成鍵,多層碳納米管的層與層之間靠______ 結(jié)合在一起。
(2)CH4中共用電子對(duì)偏向C,SiH4中共用電子對(duì)偏向H,則C、Si、H的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開__。
(3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷SnBr2分子中Sn-Br鍵的鍵角_______120。(填“>”“<”或“=”)。
(4)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是:Pb4+處于立方晶胞頂點(diǎn),Ba2+處于晶胞中心,O2-處于晶胞棱邊中心。該化合物化學(xué)式為_________,每個(gè)Ba2+與_______個(gè)O2-配位。

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科目:高中化學(xué) 來源:山東 題型:問答題

碳族元素包括C、Si、Ge、Sn、Pb.
(1)碳納米管由單層或多層石墨層卷曲而成,其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體,每個(gè)碳原子通過______雜化與周圍碳原子成鍵,多層碳納米管的層與層之間靠______結(jié)合在一起.
(2)CH4中共用電子對(duì)偏向C,SiH4中共用電子對(duì)偏向H,則C、Si、H的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開_____.
(3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷SnBr2分子中Sn-Br鍵的鍵角______120°(填“>”“<”或“=”)
(4)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是:Pb4+處于立方晶胞頂點(diǎn),Ba2+處于晶胞中心,O2-處于晶胞棱邊中心.該化合物化學(xué)式為______,每個(gè)Ba2+與______個(gè)O2-配位.

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