【題目】下列關于硅的說法正確的是( )
A.單質(zhì)硅的導電性介于導體和絕緣體之間
B.單質(zhì)硅是制造光導纖維的材料
C.硅為非金屬,熔點低,但有金屬光澤
D.晶體硅為非金屬,屬于絕緣體
科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】在鐵粉和過量2mol/L的稀H2SO4反應中,下列各措施能加快的速率,但又不影響H2的總量的是( )
A.加入少量的CuSO4溶液B.將2mol/L的稀硫酸改成98%的濃硫酸
C.將鐵粉改為鐵片D.加熱
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【題目】SO2的含量是衡量大氣污染的一個重要指標,工業(yè)上常采用催化還原法或吸收法處理SO2。利用催化還原SO2不僅可消除SO2污染,而且可得到有經(jīng)濟價值的單質(zhì)S。
(1)在復合組分催化劑作用下,CH4可使SO2轉(zhuǎn)化為S,同時生成CO2和H2O。
己知CH4和S的燃燒熱(△H)分別為-890.3 kJ /mol和-297.2 kJ /mol,則CH4和SO2反應的熱化學方程式為 _________________________________________________。
(2)用H2還原SO2生成S的反應分兩步完成,如圖1所示,該過程中相關物質(zhì)的物質(zhì)的量濃度隨時間的變化關系如圖2所示:
①分析可知X為________(寫化學式), 0~t1時間段的溫度為_____, 0~t1時間段用SO2表示的化學反應速率為 ___________________________。
②總反應的化學方程式為__________________________________________________________。
(3)焦炭催化還原SO2生成S2,化學方程式為:2C(s)+2SO2(g)S2(g)+2CO2(g),恒容容器中,1 mol/LSO2與足量的焦炭反應,SO2的轉(zhuǎn)化率隨溫度的變化如圖3所示。
①該反應的△H _________________________ 0 (填“>”或“<”)
②計算700℃該反應的平衡常數(shù)為____________________ 。
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【題目】下列敘述不正確的是( )
A. 不粘鍋表面涂有的聚四氟乙烯不能使溴的四氯化碳溶液褪色
B. 工業(yè)酒精因含有甲醇,飲后可能會造成人的雙目失明甚至死亡
C. 化合物屬于烴的衍生物,能發(fā)生加聚反應
D. 苯酚有殺菌和止痛作用,可以直接涂抹到皮膚上消毒
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【題目】含有C=C的有機物與O3作用形成不穩(wěn)定的臭氧化物,臭氧化物在還原劑存在下,與水作用分解為羰基化合物,總反應為:+(R1、R2、R3、R4為H或烷基)。以下四種物質(zhì)發(fā)生上述反應,所得產(chǎn)物為純凈物且含有醛基的是( )
A. (CH3)2C=C(CH3)2 B. CH2=CHCH=CHCH=CH2 C. D.
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【題目】2016年度國家科學技術獎授予我國諾貝爾獎獲得者屠呦呦,表彰她在抗瘧疾青蒿素方面的研究。
(查閱資料)青蒿素熔點156~157℃,易溶于丙酮、氯仿和乙醚,在水幾乎不溶。
I.實驗室用乙醚提取青蒿素的工藝流程如下:
(1)在操作I前要對青蒿進行粉碎,其目的是________________
(2)操作II的名稱是_____________。
(3)操作III進行的是重結(jié)晶,其操作步驟為_____ 、_____、______、過濾、洗滌、干燥
II.已知青蒿素是一種烴的含氧衍生物為確定它的化學式,進行了如下實驗:
實驗步驟:①連接裝置,檢查裝置的氣密性。②稱量E、F中儀器及藥品的質(zhì)量。③取14.10g青蒿素放入硬質(zhì)試管C中,點燃C、D處酒精燈加熱,充分燃燒④實驗結(jié)束后冷卻至室溫,稱量反應后E、F中儀器及藥品的質(zhì)量。
(4)裝置E、F應分別裝入的藥品為_______________、___________________。
(5)實驗測得:
裝置 | 實驗前 | 實驗后 |
E | 24.00g | 33.90g |
F | 100.00g | 133.00g |
通過質(zhì)譜法測得青蒿素的相對分子質(zhì)量為282,結(jié)合上述數(shù)據(jù),得出青蒿素的分子式為______。
(6)若使用上述方法會產(chǎn)生較大實驗誤差,你的改進方法是________________________。
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【題目】下圖是金屬鎂和鹵素單質(zhì)(X2)反應的能量變化示意圖。下列敘述中,正確的說法有幾項 ( )
①Mg(s)所具有的能量高于MgX2(s)所具有的能量
②MgCl2電解制Mg(s)和Cl2(g)是吸熱過程
③熱穩(wěn)定性:MgI2>MgBr2>MgCl2>MgF2
④常溫下氧化性:F2<Cl2<Br2<I2
A. 1項 B. 2項
C. 3項 D. 4項
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