Question

【題目】Q、R、X、M、Y、Z是元素周期表前四周期的五種元素，原子序數(shù)依次遞增。已知：

①Z位于ds區(qū)，最外能層沒有單電子，其余的均為短周期主族元素；

②Y原子價(jià)電子（外圍電子）排布為msnmpn(m≠n)，M的基態(tài)原子2p能級(jí)有1個(gè)單電子；

③Q、X原子p軌道的未成對(duì)電子數(shù)都是2。

回答下列問題：

（1）Z在周期表中的位置_______。

（2）Q、R、X、M四種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)?/span>____(用對(duì)應(yīng)元素的符號(hào)填寫)。

（3）Q、Y分別與X形成的化合物AB2中沸點(diǎn)較高的是___（填寫化學(xué)式），原因是______。

（4）X、M兩元素形成的化合物XM2的VSEPR模型名稱為______，已知XM2分子的極性比水分子的極性弱，其原因是_____。

Answer 1

【答案】第四周期第IIB族 F>N >O>C SiO2 干冰為分子晶體，熔化時(shí)不需破壞化學(xué)鍵，破壞較弱的分子間作用力；SiO2為原子晶體，熔化時(shí)破壞較強(qiáng)的共價(jià)鍵 四面體形 OF2和H2O均為V形分子且中心原子孤電子對(duì)數(shù)均為2，F與O的電負(fù)性差值比O與H的電負(fù)性差值小

【解析】

Q、R、X、M、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增，Z位于ds區(qū)，最外能層沒有單電子，Z為Zn元素，其余的均為短周期主族元素；Q、X原子p軌道的未成對(duì)電子數(shù)都是2，則Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4，Q原子的核外電子排布為1s22s22p2，故Q為C元素；X原子的核外電子排布為1s22s22p4，X為O元素；Y原子價(jià)電子(外圍電子)排布msnmpn，n=2，故為第ⅣA族元素，原子序數(shù)大于O元素，小于Zn元素，故Y為Si元素；M的基態(tài)原子2p能級(jí)有1個(gè)單電子，核外電子排布為1s22s22p5，，則M為F元素；R原子序數(shù)介于C元素與O元素之間，故R為N元素，據(jù)此解答。

(1)Zn原子的核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d104s2，Zn在周期表中位于第四周期第IIB族，

故答案為：第四周期第IIB族；

(2) Q、R、X、M四種元素分別是C、N、O、F，同周期元素隨核電荷數(shù)的遞增，第一電離能逐漸增大，但N原子2p軌道電子半滿比較穩(wěn)定，第一電離能大于相鄰元素，因此第一電離能由大到小的順序?yàn)?/span>F>N >O>C，

故答案為：F>N >O>C；

(3) Q、Y分別與X形成的化合物AB2分別為CO2和SiO2，前者為分子晶體，后者為原子晶體，故沸點(diǎn)CO2＜SiO2；原因是干冰為分子晶體，熔化時(shí)不需破壞化學(xué)鍵，破壞較弱的分子間作用力；SiO2為原子晶體，熔化時(shí)破壞較強(qiáng)的共價(jià)鍵，

故答案為：SiO2；干冰為分子晶體，熔化時(shí)不需破壞化學(xué)鍵，破壞較弱的分子間作用力；SiO2為原子晶體，熔化時(shí)破壞較強(qiáng)的共價(jià)鍵；

(4) X、M兩元素形成的化合物OF2中O原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)==2，價(jià)層電子對(duì)數(shù)=2+2=4，VSEPR模型名稱為四面體形，已知OF2分子的極性比水分子的極性弱，其原因是：OF2和H2O均為V形分子且中心原子孤電子對(duì)均為2對(duì)，F于O的電負(fù)性差值比O與H的電負(fù)性差值小。

故答案為：四面體形；OF2和H2O均為V形分子且中心原子孤電子對(duì)數(shù)均為2，F與O的電負(fù)性差值比O與H的電負(fù)性差值小。