17．（16分）如圖所示，一個(gè)單匝矩形線圈abcd放置在磁感強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)只分布在bc的左側(cè)，線圈以bc為軸旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度為，圖中ad邊正垂直于紙面向外轉(zhuǎn)動(dòng)，外部電路中有一個(gè)負(fù)載電阻，阻值為R，A是一個(gè)理想電流表，電路中其它電阻不計(jì)，已知ab=L₁，bc=L₂，求：

⑴以adcba為電流的正方向，從圖示位置開始計(jì)時(shí)，畫出線圈中產(chǎn)生的電流隨時(shí)間變化的圖象；

⑵從圖示位置（此時(shí)線圈平面與磁感線垂直）起轉(zhuǎn)過1/4轉(zhuǎn)的時(shí)間內(nèi)，負(fù)載電阻R上產(chǎn)生的熱量；

⑶從圖示位置起轉(zhuǎn)過1/4轉(zhuǎn)的時(shí)間內(nèi)，通過負(fù)載電阻R上的電量． 

2.35

525

130

0.663

（普朗克常量h=6.63×10^-34J?s，結(jié)果取兩位有效數(shù)字）

鍍膜前

鍍膜后

開路電壓

U₁(mV)

短路電流

I₁(mA)

膜厚

d(μm)

折射率n

開路電壓

U₂(mV)

短路電流

I₂(mA)

520

100

16．（16分）“神州”六號(hào)飛船上左右伸展的“翅膀”就是太陽(yáng)能電池板。這種硅太陽(yáng)能電池的表面鍍有一層五氧化二鉭薄膜（為增透膜，膜的厚度等于入射光在其中波長(zhǎng)的1/4），可以減少太陽(yáng)光的反射，提高硅太陽(yáng)能電池的效率．請(qǐng)根據(jù)所給表格中的數(shù)據(jù)，計(jì)算鍍膜后，這種硅太陽(yáng)能電池較鍍膜前每秒多吸收了多少個(gè)光子？

⑵光電子所能到達(dá)A板區(qū)域的面積．

15．（15分）如圖所示，相距d的A、B兩平行金屬板足夠大，板間電壓為U，一束波長(zhǎng)為λ的激光照射到B板中央，光斑半徑為r，B板發(fā)生光電效應(yīng)，其逸出功為W．已知電子質(zhì)量為m，電量為e，求：

⑴B板中射出的光電子的最大初速度的大小；

⑵若反應(yīng)前兩個(gè)氘核的動(dòng)能都為0.15MeV，進(jìn)行對(duì)心碰撞，并且釋放的核能全部轉(zhuǎn)化為機(jī)械能，求反應(yīng)中產(chǎn)生的氦核和中子的動(dòng)能各為多少？

14．（14分）兩個(gè)氘核發(fā)生了如下反應(yīng)： H +H  → He + n ，其中氘核的質(zhì)量為2.0136u，氦核的質(zhì)量為3.0150u，中子的質(zhì)量為1.0087u．（已知1u相當(dāng)于931.5MeV）

    ⑴計(jì)算上述反應(yīng)中釋放的核能；

    ⑵發(fā)電機(jī)的電動(dòng)勢(shì)是多大？

    ⑶輸電效率是多少？