9．硅的元素符號(hào)為Si.單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料用化學(xué)方法可制得高純度硅 有關(guān)化學(xué)反應(yīng)方程式為:①SiO2+2C==Si+2CO↑ ②Si+2C12======SiCl4 ③SiCl4+2H2====Si+4HCl其中①.③的反應(yīng)類型屬于 A.復(fù)分解反應(yīng) B.分解反應(yīng) C.置換反應(yīng) D.化合反應(yīng) 【查看更多】

 

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硅的元素符號(hào)為Si，單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料用化學(xué)方法可制得高純硅有關(guān)化學(xué)反應(yīng)方程式為：①SiO2+2C==Si+2CO↑  ②Si+2C12======SiCl4   ③SiCl4+2H2====Si+4HCl其中①、③的反應(yīng)類型屬于  （    ）  

A.復(fù)分解反應(yīng)            B.分解反應(yīng)             C.置換反應(yīng)             D.化合反應(yīng)

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硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO②Si+2Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
SiCl4③SiCl4+2H2
  △  
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Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（　�。�
A、化合反應(yīng)B、分解反應(yīng)
C、置換反應(yīng)D、都不是

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硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO②Si+2Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
SiCl4③SiCl4+2H2
  △  
.
 
Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（　　）
A．化合反應(yīng)B．分解反應(yīng)C．置換反應(yīng)D．都不是

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硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（ ）
A．化合反應(yīng)
B．分解反應(yīng)
C．置換反應(yīng)
D．都不是

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硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（ ）
A．化合反應(yīng)
B．分解反應(yīng)
C．置換反應(yīng)
D．都不是

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