A．m>1 B．m1 C．m>1且m-1 D．m>-1且m1(3)在平面直角坐標(biāo)系中.若P在第二象限.則m的范圍A．-1<m<3 B．m>3 C．m<-1 D．m>-1(4)已知反比例函數(shù)圖像經(jīng)過點(diǎn)(m.n).則它一定也經(jīng)過點(diǎn)A． B． C． D．(5)點(diǎn)O是△ABC的內(nèi)心.且∠BAC=100°.則∠BOC=A．130° B．140° C．75° D．65°(6)如圖.已知⊙O的半徑為5.點(diǎn)O到弦AB的距離是3.則⊙O上到弦AB所在直線的距離為2的點(diǎn)有個(gè) 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具，它的構(gòu)造原理如圖所示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可看作為零)，經(jīng)加速電場(chǎng)(加速電場(chǎng)極板間的距離為d、電勢(shì)差為U)加速，然后垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，最后到達(dá)記錄它的照相底片P上．設(shè)離子在P上的位置與入口處S1之間的距離為x。
(1)求該離子的荷質(zhì)比．
(2)若離子源產(chǎn)生的是帶電量為q、質(zhì)量為m1和m2的同位素離子(m1> m2)，它們分別到達(dá)照相底片上的P1、P2位置(圖中末畫出)，求P1、P2間的距離△x。
(3)若第(2)小題中兩同位素離子同時(shí)進(jìn)入加速電場(chǎng)，求它們到達(dá)照相底片上的時(shí)間差△t(磁場(chǎng)邊界與靠近磁場(chǎng)邊界的極板間的距離忽略不計(jì))．

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如圖所示，過點(diǎn)F(0，1)的直線y= kx+b與拋物線 y=交于M(xl, y1)和 N(x2,y2)兩點(diǎn)(其中 xl<0，x2>0).     
(1)求b的值.    
(2)求x1. x2 的值.    
(3)分別過M、N作直線l：y= -1 的垂線，委足分別是M1、N1, 判斷△M1FN1 的形狀，并證明你的結(jié)論.    
(4)對(duì)于過點(diǎn)F1 的任意直線，是否存在一條定直線m，使m與以 MN為直徑的圓相切.如果有，請(qǐng)寫出這條直線 m的解析式；如果沒有，請(qǐng)說明理由.

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已知M1=a×l08，M2=b×l08（且a>0，b>0）是用科學(xué)計(jì)數(shù)法表示的兩數(shù)，若M1>M2，則a（    ）b。

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已知反比例函數(shù)y=的圖象的一支在第一象限內(nèi)，那么a（     ）0（填“>”或“<”），圖象的另一支在第（     ）象限，在這個(gè)函數(shù)圖象的某一支上任取點(diǎn)A（m1，n1）和點(diǎn)B（m2，n2），如果有m1＞m2，那么n1（     ）n2（填“>”或“<”）。

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（2011•香坊區(qū)模擬）已知△ABC，AC=BC，CD⊥AB于點(diǎn)D，點(diǎn)F在BD上，連接CF，AM⊥CF于點(diǎn)M，AM交CD于點(diǎn)E．
（1）如圖1，當(dāng)∠ACB=90°時(shí)，求證：DE=DF；
（2）如圖2，當(dāng)∠ACB=60°時(shí)，DE與DF的數(shù)量關(guān)系是
DF=
3
DE
DF=
3
DE

（3）在2的條件若tan∠EAF=
3
4
，EM=
9
19
19
，連接EF，將∠DEF繞點(diǎn)E逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)后角的兩邊交線段CF于N、G兩點(diǎn)，交線段BC于P、T兩點(diǎn)（如圖3），若CN=3FN，求線段GT的長(zhǎng)．

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