題目列表(包括答案和解析)
硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問題:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:
①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式 。
②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式 ;H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是 。
(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是 (填字母)。
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高
E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋 。
硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問題:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅 的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:
① 寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________。
② 整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式
________________________________________________________________________;
H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是
________________________________________________________________________。
(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是________(填字母)。
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高
E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液, 振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋:
________________________________________________________________________
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________________________________________________________________________。
硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問題:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。
三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:
①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式 。
②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式 ;
H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是
。
(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是 (填字母)。
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥 |
B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承 |
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維 |
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高 |
硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問題:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前
制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:
寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式_______________________________。整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式______________________________________________。H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是____________________________________________。
(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是________(填字母)。
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥 |
B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承 |
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維 |
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高 |
硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問題:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前
制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:
寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式_______________________________。整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式______________________________________________。H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是____________________________________________。
(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是________(填字母)。
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高
E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋。____________________________________________。
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