如圖所示，豎直放置的半圓形絕緣軌道半徑為R，下端與光滑絕緣水平面平滑連接，整個裝置處于方向豎直向上的勻強電場中E中，一質(zhì)量為m帶電量+q的物塊（可視為質(zhì)點），從水平面上的A占以初速度v₀水平向左運動沿半圓形軌道恰好通過最高點C，場強大小為E（E＜mg/q）
（1）求小球在C點的速度．
（2）試計算物塊在運動過中克服摩擦力做的功．
（3）求物塊從C點飛出后，落回軌道的位置與B的水平距離．

如圖所示，豎直放置的半圓形絕緣軌道半徑為R，下端與絕緣水平面平滑連接，整個裝置處于方向豎直向上的勻強電場E中．一質(zhì)量為m、帶電量為+q的物塊（可視為質(zhì)點），從水平面上的A點以初速度v₀水平向左運動，沿半圓形軌道恰好通過最高點C，場強大小E＜

mg

q

．
（1）物塊經(jīng)過最高點C的速度為多大？
（2）試計算物塊在運動過程中克服摩擦力做的功．
（3）證明物塊離開軌道落回水平面的水平距離與場強大小E無關(guān)，且為一常量．

如圖所示，豎直放置的半圓形絕緣軌道半徑為R，下端與絕緣水平面平滑連接，整個裝置處于方向豎直向上的勻強電場E中．一質(zhì)量為m、帶電量為+q的物塊（可視為質(zhì)點），從水平面上的A點以初速度v₀水平向左運動，沿半圓形軌道恰好通過最高點C，場強大小E＜

mg

q

．
（1）試計算物塊在運動過程中克服摩擦力做的功．
（2）求物塊離開軌道落回水平面的位置距C點的水平距離．