若不考慮電阻隨溫度的變化，下列說法正確的是（　　）?

A.電流通過導(dǎo)體時(shí)，沿電流方向電勢(shì)逐點(diǎn)降低?

B.由可知，一段導(dǎo)體的電阻跟它兩端的電壓成正比，跟通過它的電流成反比?

C.由可知，通過一段導(dǎo)體的電流跟加在它兩端的電壓成正比?

D.對(duì)一段確定的導(dǎo)體來說，比值恒定，不隨U或I的改變而改變

如圖所示，粗細(xì)均勻的電阻為r的金屬圓環(huán)，放在圖示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，圓環(huán)直徑為L，長(zhǎng)L，電阻為r/2的金屬棒ab放在圓環(huán)上，始終與圓環(huán)保持良好接觸向左運(yùn)動(dòng)，當(dāng)ab運(yùn)動(dòng)到圖示的虛線位置時(shí)，金屬棒ab兩端的電勢(shì)差的大小及電勢(shì)高低為（�。�

A．電勢(shì)差為BLv₀/2　　　　　　  B．電勢(shì)差為BLv₀/3

C．a點(diǎn)電勢(shì)比b點(diǎn)高　　　　　　 D．b點(diǎn)電勢(shì)比a點(diǎn)高

如圖所示，粗細(xì)均勻的電阻為r的金屬圓環(huán)，放在圖示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，圓環(huán)直徑為L，長(zhǎng)L，電阻為r/2的金屬棒ab放在圓環(huán)上，始終與圓環(huán)保持良好接觸向左運(yùn)動(dòng)，當(dāng)ab運(yùn)動(dòng)到圖示的虛線位置時(shí)，金屬棒ab兩端的電勢(shì)差的大小及電勢(shì)高低為（�。�

A．電勢(shì)差為BLv₀/2　　　　　　  B．電勢(shì)差為BLv₀/3

C．a點(diǎn)電勢(shì)比b點(diǎn)高　　　　　　 D．b點(diǎn)電勢(shì)比a點(diǎn)高

 “電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測(cè)板組成。偏轉(zhuǎn)器是由兩個(gè)相互絕緣、半徑分別為R_A和R_B的同心金屬半球面A和B構(gòu)成，A、B為電勢(shì)值不等的等勢(shì)面，其過球心的截面如圖所示。一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動(dòng)能從偏轉(zhuǎn)器左端M的正中間小孔垂直入射，進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)區(qū)域，最后到達(dá)偏轉(zhuǎn)器右端的探測(cè)板N，其中動(dòng)能為E_k0的電子沿等勢(shì)面C做勻速圓周運(yùn)動(dòng)到達(dá)N板的正中間。忽略電場(chǎng)的邊緣效應(yīng)。

（1）判斷半球面A、B的電勢(shì)高低，并說明理由；

（2）求等勢(shì)面C所在處電場(chǎng)強(qiáng)度E的大��；

（3）若半球面A、B和等勢(shì)面C的電勢(shì)分別為φ_A、φ_B和φ_C，則到達(dá)N板左、右邊緣處的電子，經(jīng)過偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)前、后的動(dòng)能改變量ΔE_K左和ΔE_K右分別為多少？

（4）比較|ΔE_K左|和|ΔE_K右|的大小，并說明理由。

 “電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測(cè)板組成.偏轉(zhuǎn)器是由兩個(gè)相互絕緣、半徑分別為RA和RB的同心金屬半球面A和B構(gòu)成，A、B為電勢(shì)值不等的等勢(shì)面，其過球心的截面如圖所示.一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動(dòng)能從偏轉(zhuǎn)器左端M的正中間小孔垂直入射，進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)區(qū)域，最后到達(dá)偏轉(zhuǎn)器右端的探測(cè)板N，其中動(dòng)能為Ek0的電子沿等勢(shì)面C做勻速圓周運(yùn)動(dòng)到達(dá)N板的正中間.忽略電場(chǎng)的邊緣效應(yīng).

（1）判斷半球面A、B的電勢(shì)高低，并說明理由；

（2）求等勢(shì)面C所在處電場(chǎng)強(qiáng)度E的大��；

（3）若半球面A、B和等勢(shì)面C的電勢(shì)分別為A、B和C，到達(dá)N板左、右邊緣處的電子，經(jīng)過偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)后動(dòng)能如何改變？改變量的大小|ΔEK左|和|ΔEK右|分別為多少？

（4）比較|ΔEK左|和|ΔEK右|的大小，并說明理由.