(1)在圖中畫出AB邊下落時框中電流的方向. (2)如果AB邊勻速下落,試用下列數(shù)據(jù)求出下落的速度:AB邊的質(zhì)量m=0.2克,長度l=10厘米,AB邊的電阻R=0.2歐姆(框的其他三邊的電阻可忽略),磁場強度H=1000奧斯特,重力加速度g=1000厘米/秒2,空氣阻力不計. 答案: 1962年答案 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

（2010?蘇州二模）如圖所示，間距為L的平行金屬板AB、CD之間有相互垂直的勻強電場和勻強磁場（圖中未畫出），電場強度為E1，磁感應強度為B1．帶異種電荷的兩離子a、b，負離子a質(zhì)量為m、帶電量為q，其比荷為正離子b比荷的9倍．它們在分別距離AB、CD板L/4處，以平行于金屬板方向的速度沿直線穿過ABCD區(qū)域進入電場強度為E2的勻強電場區(qū)，E2與E1平行．MNP為沿AB、CD中心線方向的光滑絕緣板，離子與板碰撞后反彈無能量損失（即反彈前后水平分速度保持不變，豎直分速度大小不變、方向相反），且電量保持不變，到達板的N點后反彈進入磁感應強度為B2的勻強磁場區(qū)，不計兩離子間的相互作用力及重力．
（1）在圖中畫出AB、CD間勻強磁場B1的方向，并寫出離子速度大小的表達式；
（2）MN的長度要滿足什么條件，兩離子能恰好到達N點？
（3）若a離子的比荷q/m=108C/kg，El=103V/m，Bl=0.1T，E2=3×103V，L=2×10-3m，且板NP足夠長．則兩離子進入勻強磁場B2后，沿板NP方向上平均速度之比為多少？

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如圖示的電路中，AB是一段粗細均勻的電阻絲，R是保護電阻，電阻值為2Ω，電源的電動勢為6V，安培表內(nèi)阻為零，其示數(shù)為I，滑動片P與電阻絲有良好接觸，且AP長度為L，其它連接導線電阻不計。閉合電鍵，調(diào)節(jié)P的位置，記錄L和與之相對應的I數(shù)據(jù)，并同已計算出的1/I值列表如下：
 
實驗次數(shù)
  1
   2
  3
  4
   5
L（m）
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
I(A)
1.78
1.39
1.09
0.96
0.83
1/I(A-1)
0.56
0.72
0.92
1.04
1.20

(1)    （2分）在圖中畫出1/I～L圖象；
(2)    （4分）從圖中求出截距b＝       和斜率K＝        ；
(3)（6分）根據(jù)截距和斜率，求出電源內(nèi)電阻r＝       和該電阻絲單位長度的電阻R0＝           。

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如圖所示，間距為L的平行金屬板AB、CD之間有相互垂直的勻強電場和勻強磁場（圖中未畫出），電場強度為E1，磁感應強度為B1．帶異種電荷的兩離子a、b，負離子a質(zhì)量為m、帶電量為q，其比荷為正離子b比荷的9倍．它們在分別距離AB、CD板L/4處，以平行于金屬板方向的速度沿直線穿過ABCD區(qū)域進入電場強度為E2的勻強電場區(qū)，E2與E1平行．MNP為沿AB、CD中心線方向的光滑絕緣板，離子與板碰撞后反彈無能量損失（即反彈前后水平分速度保持不變，豎直分速度大小不變、方向相反），且電量保持不變，到達板的N點后反彈進入磁感應強度為B2的勻強磁場區(qū)，不計兩離子間的相互作用力及重力．
（1）在圖中畫出AB、CD間勻強磁場B1的方向，并寫出離子速度大小的表達式；
（2）MN的長度要滿足什么條件，兩離子能恰好到達N點？
（3）若a離子的比荷q/m=108C/kg，El=103V/m，Bl=0.1T，E2=3×103V，L=2×10-3m，且板NP足夠長．則兩離子進入勻強磁場B2后，沿板NP方向上平均速度之比為多少？

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如圖，A、B、C為一等邊三角形的三個頂點，某勻強電場的電場線平行與該三角形平面．現(xiàn)將電量為10－8 C的正點電荷從A點移到B點，電場力做功6×10－6 J，將另一電量為10－8 C的負點電荷從A點移到C點，克服電場力做功3×10－6 J，

(1)在圖中畫出電場線的方向；

(2)若AB邊長為2 cm，求該勻強電場的場強大�。�

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如圖所示，一個重10 N的光滑重球被一根細繩掛在豎直墻壁上的A點，繩子和墻壁的夾角為37°，取cos37°＝0.8，sin37°＝0.6.求：

(1)在圖中畫出球的受力圖

(2)繩子對重球的拉力的大小

(3)如果增大懸線AB的長度(球仍保持靜止)，AB繩和墻對球的作用力分別將怎樣變化？

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