（2012?杭州模擬）如圖所示，在豎直平面內(nèi)，帶等量同種電荷的小球A、B，帶電荷量為-q（q＞0），質(zhì)量都為m，小球可當(dāng)作質(zhì)點(diǎn)處理．現(xiàn)固定B球，在B球正上方足夠高的地方釋放A球，則從釋放A球開(kāi)始到A球運(yùn)動(dòng)到最低點(diǎn)的過(guò)程中（　　）

（2012?杭州模擬）如圖所示，在坐標(biāo)系xOy內(nèi)有一半徑為a的圓形區(qū)域，圓心坐標(biāo)為O₁（a，0），圓內(nèi)分布有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)．一質(zhì)量為m、電荷量為+q（q＞0）的粒子以速度v從O點(diǎn)垂直于磁場(chǎng)方向射入，當(dāng)入射速度方向沿x軸正方向時(shí)，粒子恰好從O₁點(diǎn)正上方的A點(diǎn)射出磁場(chǎng)，不計(jì)粒子重力．試求：
（1）求磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大��；
（2）若帶電粒子以沿x軸正方向成θ角（0＜θ＜

π

2

）的速度v從O點(diǎn)垂直于磁場(chǎng)方向射入磁場(chǎng)區(qū)域，求粒子離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的位置坐標(biāo)；
（3）在（2）情況下，請(qǐng)通過(guò)在圓形區(qū)域外加勻強(qiáng)電場(chǎng)的方法設(shè)計(jì)一種方案能使粒子最終從O點(diǎn)射出，且射出方向與初始射入O點(diǎn)的方向相反．（在答題卷上畫(huà)出粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡及所加勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向示意圖）

（2012?杭州模擬）如圖R₁和R₂是材料相同、厚度相同、表面為正方形的導(dǎo)體，正方形的邊長(zhǎng)之比為2：1．通過(guò)這兩導(dǎo)體的電流方向如圖所示，則這兩個(gè)導(dǎo)體電阻之比為R₁：R₂=．你認(rèn)為這種關(guān)系對(duì)電路元件改進(jìn)的意義是．

（2012?杭州模擬）某同學(xué)站在體重計(jì)上，做下蹲、起立動(dòng)作來(lái)探究超重和失重現(xiàn)象．下列說(shuō)法正確的是（　�。�

（2012?杭州模擬）如圖所示，勻強(qiáng)電場(chǎng)水平向右，勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直紙面向里，帶正電的小球在場(chǎng)中靜止釋放，最后落到地面上．關(guān)于該過(guò)程，下述說(shuō)法正確的是（　�。�