C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位. (1)寫(xiě)出Si的基態(tài)原子核外電子排布式 . 從電負(fù)性角度分析.C.Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?. (2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似.其中C原子的雜化方式為 .微粒間存在的作用力是 . (3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等.則M為 .MO是優(yōu)良的耐高溫材料.其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似.MO的熔點(diǎn)比CaO的高.其原因是 . (4)C.Si為同一主族的元素.CO2和SiO2化學(xué)式相似.但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同.CO2中C與O原子間形成鍵和鍵.SiO2中Si與O原子間不形成上述健.從原子半徑大小的角度分析.為何C.O原子間能形成.而Si.O原子間不能形成上述鍵 . [答案](1)1s22s22p63s23p2 O>C>Si (2) sp3 共價(jià)鍵 (3)Mg Mg2+半徑比Ca2+小.MgO晶格能大 (4)Si的原子半徑較大.Si.O原子間距離較大.p-p軌道肩并肩重疊程度較小.不能形成上述穩(wěn)定的π鍵 [解析](1)C.Si和O的電負(fù)性大小順序?yàn)?O>C>Si.(2)晶體硅中一個(gè)硅原子周?chē)c4個(gè)硅原子相連.呈正四面體結(jié)構(gòu).所以雜化方式是sp3 .(3)SiC電子總數(shù)是20個(gè).則氧化物為MgO,晶格能與所組成離子所帶電荷成正比.與離子半徑成反比.MgO與CaO的離子電荷數(shù)相同.Mg2+半徑比Ca2+小.MgO晶格能大.熔點(diǎn)高.(4) Si的原子半徑較大.Si.O原子間距離較大.p-p軌道肩并肩重疊程度較小.不能形成上述穩(wěn)定的π鍵 [考點(diǎn)分析]物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì).原子結(jié)構(gòu).雜化方式綜合考查 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(8分)(化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì))

C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

(1)寫(xiě)出Si的基態(tài)原子核外電子排布式    。從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?U>    。

(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為    ,微粒間存在的作用力是    。

(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為    (填元素符號(hào))。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是    。

(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述    。

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(化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì))

C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

(1)寫(xiě)出Si的基態(tài)原子核外電子排布式    。

從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?u>    。

(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為    ,微粒間存在的作用力是    

(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為    (填元素符號(hào))。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是    。

(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述    。

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C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

(1)寫(xiě)出Si的基態(tài)原子核外電子排布式    。

從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?u>    。

(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為    ,微粒間存在的作用力是    。

(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為    (填元素符號(hào))。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是    

(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述    。

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C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

(1)寫(xiě)出Si的基態(tài)原子核外電子排布式    

從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?u>    。

(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為    ,微粒間存在的作用力是    。

(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為    (填元素符號(hào))。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是    。

(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述    。

 

 

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C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

(1)寫(xiě)出Si的基態(tài)原子核外電子排布式    

從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?u>    。

(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為    ,微粒間存在的作用力是    。

(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為    (填元素符號(hào))。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是    。

(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述    。

 

 

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