在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上.制作四個(gè)電極E.F.M.N.它就成了一個(gè)霍爾元件.在E.F間通入恒定的電流I.同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B.在M.N間出現(xiàn)了電壓UH .稱(chēng)為霍爾電壓.(1)電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示.載流子是電子.M.N兩端中哪端電勢(shì)較高? 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上，制作四個(gè)電極E、F、M、N，它就形成了一個(gè)霍爾元件，如圖所示，在E、F間通入恒定的電流I，同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B，則薄片中的自由電荷就在洛倫茲力的作用下向著與電流和磁場(chǎng)都垂直的方向漂移，使M、N間出現(xiàn)了電壓．設(shè)薄片中的自由電荷為正電荷．下列說(shuō)法正確的是（　�。�

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在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上，制作四個(gè)電極E、F、M、N，它就成了一個(gè)霍爾元件（如圖），在E、F間通入恒定的電流I，同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B，在M、N間出現(xiàn)了電壓UH ，稱(chēng)為霍爾電壓。

（1）電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示，載流子是電子，M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?

（2）試證明： ，K為與材料有關(guān)的常量。

（３）為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法？

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在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上，制作四個(gè)電極E、F、M、N，它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖)，在E、F間通人恒定的電流I，同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B，在M、N間出現(xiàn)了電壓UH，稱(chēng)為霍爾電壓。

（1）電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示，載流子是電子，M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?

（2）試證明： ，K為與材料有關(guān)的常量。

（3）為了提高霍爾元件的靈敏度，可采用哪些方法?[

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在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上，制作四個(gè)電極E、F、M、N，它就成了一個(gè)霍爾元件（如圖），在E、F間通入恒定的電流I，同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B，在M、N間出現(xiàn)了電壓UH，稱(chēng)為霍爾電壓．
（1）電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示，載流子是電子，M、N兩端中哪端電勢(shì)較高？
（2）試證明：UH=K
IB
d
，K為與材料有關(guān)的常量．
（3）為了提高霍爾元件的靈敏度，可采用哪些方法？
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在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上，制作四個(gè)電極E、F、M、N，它就成了一個(gè)霍爾元件（如圖），在E、F間通入恒定的電流I，同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B，在M、N間出現(xiàn)了電壓UH ，稱(chēng)為霍爾電壓。

   （1）電流和磁場(chǎng)方向如下圖中所示，載流子是電子，M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?

（2）試證明： ，K為與材料有關(guān)的常量。

   （3）為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法？

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題號(hào)

1

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8

9

答案

A

B

B

C

D

BD

AD

AC

AC

一.單選題   二.多選題

三. 簡(jiǎn)答題：本題分必做題（第10、11題）和選做題（第12題）兩部分，共計(jì)42分。請(qǐng)將解答填寫(xiě)在答題卡相應(yīng)的位置。

10.(1) 220Ω    3.9 mA      (2)

11.(1)   

�。�2）如圖所示

12.A （略）

B(1)C ， A    (2)1s    上      (3)2r

C(1)BD (2)0.1 不變 (3)4.3(±0.1)×1014Hz(6.2～6.8)×10-34Js

四．解答題：本題共3小題，共計(jì)47分。解答時(shí)請(qǐng)寫(xiě)出必要的文字說(shuō)明、方程式和重要的演算步驟。只寫(xiě)出最后答案的不能得分。有數(shù)值計(jì)算的題，答案中必須明確寫(xiě)出數(shù)值和單位。

13．(1)AB過(guò)程：重力做功W1=mgh    ① 2分

     h=               ② 2分

    平均功率P=              ③2分

由①②③得          ④1分

(2) 設(shè)BC間的水平位移為s,初速度為

                        ⑤2分

由于傾角為450，平拋運(yùn)動(dòng)的豎直位移也為s

S=                   ⑥2分

                          ⑦1分

全過(guò)程：末速度為              ⑧ 2分

由以上各式得：                   ⑨1分

14． (1)    Wa=magd =1.0J                      2分

Wb=mbgd =0.5J                      2分

（2）b在磁場(chǎng)中勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)：速度為,總電阻R1=7.5Ω

 b中的電流                ① 2分

 由以上各式得：        ②2分

 同理，a棒：           ③ 1分

 由以上各式得，               ④1分

                             ⑤1分

                               ⑥1分

                        ⑦ 1分

                              ⑧1分

由④⑤⑥⑦⑧得 Ha=      ⑨ 1分   

Hb=m            ⑩  1分

15．（1）M點(diǎn)電勢(shì)高                         ①３分

（2）設(shè)前后兩個(gè)表面相距為L(zhǎng)，電子所受的電場(chǎng)力等于洛侖茲力

                          ②２分

設(shè)材料單位體積內(nèi)電子的個(gè)數(shù)為n，材料截面積為s

                                       ③２分

          s=dL　　　　　　　　　　　　　　 �、� 1分

         由②③④得：                      ⑤2分

          令,則               ⑥2分

 (3) 增大電流Ｉ、減小厚度d 和減小截流子的密度       4分

 

 

 


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