（20分）已知一個(gè)碳原子上連有兩個(gè)羥基時(shí)，易發(fā)生下列轉(zhuǎn)化：

請(qǐng)根據(jù)下圖回答問(wèn)題：

(1)E中含有官能團(tuán)的名稱(chēng)是               ；③的反應(yīng)類(lèi)型是            ，C跟新制的氫氧化銅反應(yīng)的化學(xué)方程化為                                    。

(2)已知B的相對(duì)分子質(zhì)量為162，其燃燒產(chǎn)物中 則B的分子式為            ，F(xiàn)的分子式為            .

(3)在電腦芯片生產(chǎn)領(lǐng)域，高分子光阻劑是光刻蝕線寬芯片的關(guān)鍵技術(shù).F是這種高分子光阻劑生產(chǎn)中的主要原料.F具有如下特點(diǎn)：①能跟溶液發(fā)生顯色反應(yīng)：②能發(fā)生加聚反應(yīng)；③芳環(huán)上的一氯代物只有兩種.

F在一定條件下發(fā)生加聚反應(yīng)的化學(xué)方程式為                                     。

(4)化合物G是F的同分異構(gòu)體，它屬于芳香族化合物，能發(fā)生銀鏡反應(yīng).G可能有          種結(jié)構(gòu)，寫(xiě)出它們的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式                                      。

請(qǐng)根據(jù)下圖回答。

（1）E中含有的官能團(tuán)的名稱(chēng)是_________；③的反應(yīng)類(lèi)型是________，C跟新制的氫氧化銅反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)___________________。

（2）已知B的相對(duì)分子質(zhì)量為162，其燃燒產(chǎn)物中?n(CO₂)∶n(H₂O)=2∶1。則B的分子式為_(kāi)________，F(xiàn)的分子式為_(kāi)________。

（3）在電腦芯片生產(chǎn)領(lǐng)域，高分子光阻劑是光刻蝕0?11 μm線寬芯片的關(guān)鍵技術(shù)。F是這種高分子光阻劑生產(chǎn)中的主要原料。F具有如下特點(diǎn)：①能跟FeCl₃溶液發(fā)生顯色反應(yīng)；②能發(fā)生加聚反應(yīng)；③芳環(huán)上的一氯代物只有兩種。F在一定條件下發(fā)生加聚反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)_________________。?

(4)化合物G是F的同分異構(gòu)體，它屬于芳香族化合物，能發(fā)生銀鏡反應(yīng)。G可能有_________種結(jié)構(gòu)，寫(xiě)出其中任一種同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式__________________。

。請(qǐng)根據(jù)下圖完成下列問(wèn)題：

（1）E中含有的官能團(tuán)的名稱(chēng)是_____________；③的反應(yīng)類(lèi)型是_____________，C跟新制的氫氧化銅反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)_______________________________________。

（2）已知B的相對(duì)分子質(zhì)量為162，其燃燒產(chǎn)物中n(CO₂)∶n(H₂O)=2∶1。則B的分子式為_(kāi)______________，F(xiàn)的分子式為_(kāi)______________。

（3）在電腦芯片生產(chǎn)領(lǐng)域，高分子光阻劑是光刻蝕0.11 μm線寬芯片的關(guān)鍵技術(shù)。F是這種高分子光阻劑生產(chǎn)中的主要原料。F具有如下特點(diǎn)：①能跟FeCl₃溶液發(fā)生顯色反應(yīng)；②能發(fā)生加聚反應(yīng)；③芳環(huán)上的一氯代物只有兩種。F在一定條件下發(fā)生加聚反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)___________________________________________________________。

（4）化合物G是F的同分異構(gòu)體，它屬于芳香族化合物，能發(fā)生銀鏡反應(yīng)。G可能有____________種結(jié)構(gòu)，寫(xiě)出其中任一種同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式_________________________。