22.如圖在Oxy平面內(nèi).MN與x軸平行.M點坐 標為(0.6L).在MN和x軸之間有平行于y軸的勻強電場和垂直于Oxy平面的勻強磁場.y軸上離坐標原點4L的A點處有一電子槍.可以沿x軸正方向射出速度為v0的電子.如果電場和磁場同時存在.電子將做勻速直線運動.如果撤去電場.只保留磁場.電子將從x軸上距坐標原點3L的C點離開磁場.不計重力的影響.求: (1)磁感應強度B和電場強度E的大小和方向, 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(20分)如下圖所示,帶電平行金屬板PQ和MN之間距離為d;兩金屬板之間有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應強度大小為B。建立如圖所示的坐標系,x軸平行于金屬板,且與金屬板中心線重合,y軸垂直于金屬板。區(qū)域I的左邊界是y軸,右邊界與區(qū)域II的左邊界重合,且與y軸平行;區(qū)域II的左、右邊界平行。在區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)分別存在勻強磁場,磁感應強度大小均為B,區(qū)域I內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向里。一電子沿著x軸正向以速度v0射入平行板之間,在平行板間恰好沿著x軸正向做直線運動,并先后通過區(qū)域I和II。已知電子電量為e,質(zhì)量為m,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向?qū)挾染鶠?img width=45 height=41>。不計電子重力。

(1)求兩金屬板之間電勢差U;

(2)求電子從區(qū)域II右邊界射出時,射出點的縱坐標y;

(3)撤除區(qū)域I中的磁場而在其中加上沿x軸正向勻強電場,使得該電子剛好不能從區(qū)域II的右邊界飛出。求電子兩次經(jīng)過y軸的時間間隔t。

 

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(20分)如下圖所示,帶電平行金屬板PQ和MN之間距離為d;兩金屬板之間有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應強度大小為B。建立如圖所示的坐標系,x軸平行于金屬板,且與金屬板中心線重合,y軸垂直于金屬板。區(qū)域I的左邊界是y軸,右邊界與區(qū)域II的左邊界重合,且與y軸平行;區(qū)域II的左、右邊界平行。在區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)分別存在勻強磁場,磁感應強度大小均為B,區(qū)域I內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向里。一電子沿著x軸正向以速度v0射入平行板之間,在平行板間恰好沿著x軸正向做直線運動,并先后通過區(qū)域I和II。已知電子電量為e,質(zhì)量為m,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向?qū)挾染鶠?img src="http://thumb.zyjl.cn/pic5/tikupic/c7/8/inxmb1.png" style="vertical-align:middle;" />。不計電子重力。

(1)求兩金屬板之間電勢差U;
(2)求電子從區(qū)域II右邊界射出時,射出點的縱坐標y;
(3)撤除區(qū)域I中的磁場而在其中加上沿x軸正向勻強電場,使得該電子剛好不能從區(qū)域II的右邊界飛出。求電子兩次經(jīng)過y軸的時間間隔t。

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(20分)如下圖所示,帶電平行金屬板PQ和MN之間距離為d;兩金屬板之間有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應強度大小為B。建立如圖所示的坐標系,x軸平行于金屬板,且與金屬板中心線重合,y軸垂直于金屬板。區(qū)域I的左邊界是y軸,右邊界與區(qū)域II的左邊界重合,且與y軸平行;區(qū)域II的左、右邊界平行。在區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)分別存在勻強磁場,磁感應強度大小均為B,區(qū)域I內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向里。一電子沿著x軸正向以速度v0射入平行板之間,在平行板間恰好沿著x軸正向做直線運動,并先后通過區(qū)域I和II。已知電子電量為e,質(zhì)量為m,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向?qū)挾染鶠?img src="http://thumb.zyjl.cn/pic6/res/gzwl/web/STSource/2012062002340879769628/SYS201206200235023289917498_ST.files/image001.png">。不計電子重力。

(1)求兩金屬板之間電勢差U;

(2)求電子從區(qū)域II右邊界射出時,射出點的縱坐標y;

(3)撤除區(qū)域I中的磁場而在其中加上沿x軸正向勻強電場,使得該電子剛好不能從區(qū)域II的右邊界飛出。求電子兩次經(jīng)過y軸的時間間隔t。

 

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精英家教網(wǎng)如圖所示,帶電平行金屬板PQ和MN之間的距離為d;兩金屬板之間有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應強度大小為B.如圖建立坐標系,x軸平行于金屬板,與金屬板中心線重合,y軸垂直于金屬板.區(qū)域I的左邊界在y軸,右邊界與區(qū)域II的左邊界重合,且與y軸平行;區(qū)域II的左、右邊界平行.在區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)分別存在勻強磁場,磁感應強度大小均為B,區(qū)域I內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向里.一電子沿著x軸正向以速度v0射入平行板之間,在平行板間恰好沿著x軸正向做直線運動,并先后通過區(qū)域I和II.已知電子電量為e,質(zhì)量為m,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向?qū)挾染鶠椋挥嬰娮又亓Γ?br />(1)求兩金屬板之間電勢差U;
(2)求電子從區(qū)域II右邊界射出時,射出點的縱坐標y;
(3)撤除區(qū)域I中的磁場而在其中加上沿x軸正向的勻強電場,使得該電子剛好不能從區(qū)域II的右邊界飛出.求電子兩次經(jīng)過y軸的時間間隔t.

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(19分)如圖所示,帶電平行金屬板PQ和MN之間的距離為d;兩金屬板之間有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應強度大小為B。如圖建立坐標系,x軸平行于金屬板,與金屬板中心線重合,y軸垂直于金屬板。區(qū)域I的左邊界在y軸,右邊界與區(qū)域II的左邊界重合,且與y軸平行;區(qū)域II的左、右邊界平行。在區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)分別存在勻強磁場,磁感應強度大小均為B,區(qū)域I內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向里。一電子沿著x軸正向以速度v0射入平行板之間,在平行板間恰好沿著x軸正向做直線運動,并先后通過區(qū)域I和II。已知電子電量為e,質(zhì)量為m,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向?qū)挾染鶠?img width=45 height=41 src="http://thumb.zyjl.cn/pic1/imagenew/gzwl/6/231506.png" >。不計電子重力。

(1)求兩金屬板之間電勢差U;

(2)求電子從區(qū)域II右邊界射出時,射出點的縱坐標y;

(3)撤除區(qū)域I中的磁場而在其中加上沿x軸正向的勻強電場,使得該電子剛好不能從區(qū)域II的右邊界飛出。求電子兩次經(jīng)過y軸的時間間隔t。

 

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一、選擇題:選對的給6分,選錯的得0分。

1.B    2.D    3.B    4.B   5.D

6.A    7.D    8.A    9.D   10.D    11. C    12.D

二、選擇題:全部選對的給6分,選對但不全的給3分,有選錯的得0分。

13.BC   14.C   15.A    16.A   17.D   18.AC

19.(1)(12分)①0.04   左;    ② 1.215     9.375

(2) (6分)

 

.  

   

 

 

 

③ 單向?qū)щ娦?/p>

20. (15分)(1)如圖所示:(3分)

(2)當ab桿速度為v時,感應電動勢E=BLv,(2分)

此時電路電流     (2分)

ab桿受到安培力(3分)

根據(jù)牛頓運動定律,有

  (3分)

解得   (2分)

21.(19分)

  

22.(20分)

解:(1)只有磁場時,電子作圓周運動,

軌跡如圖所示,利用幾何作圖,O’是其圓心,

  (2)只有電場時,電子從MN上的D點離開電場,如圖所示,設D點橫坐標為x

  

  (3)從A點到D點,電場力做正功,由動能定理得:

23、(共15分)(1)氧(1分)

(2)                      (2分);N2 H 4−4e +4OH= N 2 +4H2O(2分)

(3)2Cl−2e=Cl2↑(2分),升高(2分);

(4)①NH4Cl(或NH4NO3)(2分),NaOH;(2分)

②c(Cl)>c(NH4+)>c(Na+)>c(OH)>c(H+)或c(NO3)>c(NH4+)>c(Na+)>c(OH)>c(H+)

(2分)

 

 

24、(14分,每空2分)

Ⅰ、 ⑴ S2- + H2OHS- +OH- ;HS- + H2OH2S +OH-;

⑵ 2.7×10-3 ;    ⑶ +172.5 ;

Ⅱ、(1)K=;   放熱。     (2)1.5×10-3mol/(L?s)。     (3) c。

25.(16分)(1)KClO3(2分)…     H2O2(2分)

②MnO2+4H++2Cl     Mn2++Cl2↑+2H2O(2分)… 

③S2+Cl2=S↓+2 Cl (2分) 

 ④II 與 III(1分)

除去氯氣中的水蒸氣(或干燥氯氣)(2分)…

(3)Cl2+H2O2   2HCl+O2…(2分)

26.Ⅰ.(每空2分,共16分)

1.(1)①NaOH溶液   ②遮光

(2)①NaHCO3溶液,裝置乙作對照、诠庹粘渥、溫度相同的環(huán)境中

(3)左、右

2.4    84

Ⅱ.(每空2分,共10分)

(1) B   

(2)吞噬細胞、T細胞、B細胞、漿細胞(效應B細胞)(寫全才得分)

(3)體內(nèi)快速產(chǎn)生大量抗體

未經(jīng)免疫的大小、體質(zhì)大致一致的小鼠注射等量的毒性極強的霍亂弧菌制劑

(4)不吃未煮熟的魚類和貝殼類食物(或不生吃),或接種霍亂疫苗(答對1點即給分)

27.(每空2分,共14分)

(1)基因突變   不定向的   基因分離

(2) ①青毛┱白毛大致等于1┱1;   ②b1>b3>b2>b4       ③b3>b1>b2>b4  

(3)Bb4

28.(1)D  (2)C   

29. (1)C  (2)D

 

30.(共13分)

 (1)   ⑧應為黑色。(2分)

(2)燃燒時,電子獲得能量,從內(nèi)層軌道躍遷到外層軌道。躍遷到新軌道的電子處在一種不穩(wěn)定的狀態(tài),隨即躍遷回原來軌道,并向外界釋放能量(光能)。(3分)

  (3)   NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,所以NaF與MgF2遠比SiF4要高。又因為Mg2+的半徑小于Na+的半徑,所以MgF2的離子鍵強度大于NaF的離子鍵強度,故MgF2的熔點大于NaF。(3分)

 (4)  ①σ(2分)

②a中X和w微粒間的相互作用力為氫鍵,b中X和 Cu(I)微粒間的相互作用力為配位鍵。 (3分)

31.(共13分)(1)① 羧基、羥基(酚羥基)(2分)         ② CD(2分)

(2)4         (2分)

(3)①                                         (2分)

②(2分)酯化(取代)反應(1分)  ③                     

32.(10分)【現(xiàn)代生物科技專題】

(1)早期胚胎培養(yǎng)(受精卵培養(yǎng))      胚胎移植      囊胚(桑椹胚)

(2)協(xié)調(diào)與平衡原理   物質(zhì)循環(huán)再生原理

 

 

 

 


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