D．在c(H+)=1.0×10-13mol?L-1的溶液中:Na+.S2-.AlO2−.SO32- 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

一種半導(dǎo)體材料稱為“霍爾材料”,用它制成的元件稱為“霍爾元件”,這種材料有可定向移動(dòng)的電荷,稱為“載流子”,每個(gè)載流子的電荷量大小為q=1.6×10－19 C，霍爾元件在自動(dòng)檢測、控制領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,如錄像機(jī)中用來測量錄像磁鼓的轉(zhuǎn)速、電梯中用來檢測電梯門是否關(guān)閉以及自動(dòng)控制升降電動(dòng)機(jī)的電源的通斷等.

在一次實(shí)驗(yàn)中,一塊霍爾材料制成的薄片寬ab=1.0×10－2 m、長bc=4.0×10－2 m、厚h=1.0×10－3 m,水平放置在豎直向上的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=2.0 T的勻強(qiáng)磁場中,bc方向通有I=3.0 A的電流,如圖11-8所示,由于磁場的作用,穩(wěn)定后,在沿寬度方向上產(chǎn)生1.0×10－5 V的橫向電壓.

(1)假定載流子是電子,ad、bc兩端中哪端電勢較高?

(2)薄板中形成電流I的載流子定向運(yùn)動(dòng)的速率為多大?

(3)這塊霍爾材料中單位體積內(nèi)的載流子個(gè)數(shù)為多少?

圖11-8

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（2004?連云港模擬）一種半導(dǎo)體材料稱為“霍爾材料”，用它制成的元件稱為“霍爾元件”，這種材料有可定向移動(dòng)的電荷，稱為“載流子”，每個(gè)載流子的電荷量大小為1元電荷，即q=1.6×10-19C，霍爾元件在自動(dòng)檢測、控制領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，如錄像機(jī)中用來測量錄像磁鼓的轉(zhuǎn)速、電梯中用來檢測電梯門是否關(guān)閉以自動(dòng)控制升降電動(dòng)機(jī)的電源的通斷等．
在一次實(shí)驗(yàn)中，一塊霍爾材料制成的薄片寬ab=1.0×10-2m、長bc=4.0×10-2m、厚h=1.0×10-3m，水平放置在豎直向上的磁感強(qiáng)度B=2.0T的勻強(qiáng)磁場中，bc方向通有I=3.0A的電流，如圖所示，由于磁場的作用，穩(wěn)定后，在沿寬度方向上產(chǎn)生1.0×10-5V的橫向電壓．
（1）假定載流子是電子，a、b兩端中哪端電勢較高？
（2）薄板中形成電流I的載流子定向運(yùn)動(dòng)的速率多大？
（3）這塊霍爾材料中單位體積內(nèi)的載流子個(gè)數(shù)為多少？

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一種半導(dǎo)體材料稱為“霍爾材料”，用它制成的元件稱為“霍爾元件”，這種材料有可定向移動(dòng)的電荷，稱為“載流子”，每個(gè)載流子的電荷量大小為1元電荷，即q=1.6×10-19C，霍爾元件在自動(dòng)檢測、控制領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，如錄像機(jī)中用來測量錄像磁鼓的轉(zhuǎn)速、電梯中用來檢測電梯門是否關(guān)閉以自動(dòng)控制升降電動(dòng)機(jī)的電源的通斷等．
在一次實(shí)驗(yàn)中，一塊霍爾材料制成的薄片寬ab=1.0×10-2m、長bc=4.0×10-2m、厚h=1.0×10-3m，水平放置在豎直向上的磁感強(qiáng)度B=2.0T的勻強(qiáng)磁場中，bc方向通有I=3.0A的電流，如圖所示，由于磁場的作用，穩(wěn)定后，在沿寬度方向上產(chǎn)生1.0×10-5V的橫向電壓．
（1）假定載流子是電子，a、b兩端中哪端電勢較高？
（2）薄板中形成電流I的載流子定向運(yùn)動(dòng)的速率多大？
（3）這塊霍爾材料中單位體積內(nèi)的載流子個(gè)數(shù)為多少？
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如圖所示，電源電動(dòng)勢E=6V，內(nèi)阻不計(jì)，電阻R1=2Ω，R2=4Ω，電容C1=2μF，C2=3μF. 則當(dāng)電鍵S斷開后，通過R2的電荷量為

      A．1.8×10－5C                                                             B．8×10－6C

       C．1.0×10－5C                                    D．2.6×10－5C

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如圖，靠正電荷導(dǎo)電的矩形薄片長l=4.0×10-2m，高h=1.0×10-2m；勻強(qiáng)磁場垂直于薄片向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=2.0T.若P、Q間通入I=3.0A電流后，M、N間產(chǎn)生穩(wěn)定的電勢差，薄片內(nèi)正電荷定向移動(dòng)的平均速率v=5.0×10-4m/s。

（1）求矩形薄片受的安培力大小

（2）判斷M、N電勢的高低并求出M、N間的電壓。

 

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一、選擇題：選對的給6分，選錯(cuò)的得0分。

1．B    2．D    3．B    4．B   5．D

6．A    7．D    8．A    9．D   10．D    11． C    12．D

二、選擇題：全部選對的給6分，選對但不全的給3分，有選錯(cuò)的得0分。

13．BC   14．C   15．A    16．A   17．D   18．AC

19．（1）(12分)①0.04   左；    ② 1.215     9.375

(2) (6分)

 

．  

   

 

 

 

③ 單向?qū)щ娦?/p>

20. (15分)（1）如圖所示：（3分）

（2）當(dāng)ab桿速度為v時(shí)，感應(yīng)電動(dòng)勢E=BLv，（2分）

此時(shí)電路電流     （2分）

ab桿受到安培力（3分）

根據(jù)牛頓運(yùn)動(dòng)定律，有

  （3分）

解得   （2分）

21．（19分）

  

22．（20分）

解：（1）只有磁場時(shí)，電子作圓周運(yùn)動(dòng)，

軌跡如圖所示，利用幾何作圖，O’是其圓心，

  （2）只有電場時(shí)，電子從MN上的D點(diǎn)離開電場，如圖所示，設(shè)D點(diǎn)橫坐標(biāo)為x

  

  （3）從A點(diǎn)到D點(diǎn)，電場力做正功，由動(dòng)能定理得：

23、（共15分）（1）氧（1分）

（2）                      （2分）；N2 H 4−4e− +4OH−= N 2 +4H2O（2分）

（3）2Cl−−2e−=Cl2↑（2分），升高（2分）；

（4）①NH4Cl（或NH4NO3）（2分），NaOH；（2分）

②c(Cl−)＞c(NH4+)＞c(Na+)＞c(OH−)＞c(H+)或c(NO3−)＞c(NH4+)＞c(Na+)＞c(OH−)＞c(H+)

（2分）

 

 

24、（14分，每空2分）

Ⅰ、 ⑴ S2- + H2OHS- +OH- ；HS- + H2OH2S +OH-；

⑵ 2.7×10-3 ；    ⑶ +172.5 ；

Ⅱ、（1）K＝；   放熱。     (2）1.5×10－3mol/(L?s)。     (3） c。

25．（16分）（1）KClO3（2分）…     H2O2（2分）


 

  
  
    
   
    
    
    
    
    
    △
    ②MnO2+4H++2Cl－     Mn2++Cl2↑+2H2O（2分）…  
    ③S2－+Cl2=S↓+2
Cl （2分）  
     ④II 與 III（1分）
    除去氯氣中的水蒸氣（或干燥氯氣）（2分）…
    （3）Cl2+H2O2   2HCl+O2…（2分）
    26．Ⅰ．（每空2分，共16分）
    1．（1）①NaOH溶液   ②遮光
    （2）①NaHCO3溶液，裝置乙作對照�、诠庹粘渥�、溫度相同的環(huán)境中
    （3）左、右
    2．4    84
    Ⅱ．（每空2分，共10分）
    （1） B    
    （2）吞噬細(xì)胞、T細(xì)胞、B細(xì)胞、漿細(xì)胞（效應(yīng)B細(xì)胞）（寫全才得分）
    （3）體內(nèi)快速產(chǎn)生大量抗體
    將未經(jīng)免疫的大小、體質(zhì)大致一致的小鼠注射等量的毒性極強(qiáng)的霍亂弧菌制劑
    （4）不吃未煮熟的魚類和貝殼類食物（或不生吃），或接種霍亂疫苗（答對1點(diǎn)即給分）
    27．(每空2分，共14分)
    （1）基因突變   不定向的   基因分離
    （2） ①青毛┱白毛大致等于1┱1；   ②b1>b3>b2>b4       ③b3>b1>b2>b4  

    （3）Bb4
    28.（1）D  （2）C    
    29. (1)C  (2)D
     
    30.（共13分）
     (1)   ⑧應(yīng)為黑色。（2分）
    (2)燃燒時(shí)，電子獲得能量，從內(nèi)層軌道躍遷到外層軌道。躍遷到新軌道的電子處在一種不穩(wěn)定的狀態(tài)，隨即躍遷回原來軌道，并向外界釋放能量（光能）。（3分）
      (3)   NaF與MgF2為離子晶體，SiF4為分子晶體，所以NaF與MgF2遠(yuǎn)比SiF4要高。又因?yàn)镸g2+的半徑小于Na+的半徑，所以MgF2的離子鍵強(qiáng)度大于NaF的離子鍵強(qiáng)度，故MgF2的熔點(diǎn)大于NaF。（3分）
     (4)  ①σ（2分）
    ②a中X和w微粒間的相互作用力為氫鍵，b中X和 Cu（I）微粒間的相互作用力為配位鍵。 （3分）
    31．（共13分）（1）① 羧基、羥基（酚羥基）（2分）        
② CD（2分）
    （2）4        
（2分）
    （3）①                                        
（2分）
    ②（2分）酯化（取代）反應(yīng)（1分）  ③                     

    32．（10分）【現(xiàn)代生物科技專題】
    （1）早期胚胎培養(yǎng)（受精卵培養(yǎng)）      胚胎移植     
囊胚（桑椹胚）
    （2）協(xié)調(diào)與平衡原理   物質(zhì)循環(huán)再生原理
     
     
     
     
    		
    
	
	
    
		
    


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