18．已知:制備純硅的主要步驟如下:①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅,②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2,③SiHCl3與過量H2在1000-1100℃反應(yīng)制得純硅.已知:SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng).在空氣中易自燃.請(qǐng)回答下列問題: 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

晶體硅是一種重要的非金屬材料．制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅   ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3：Si+3HCl
 300℃ 
.
 
SiHCl3+H2
③SiHCl3與過量H2在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅．
已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃．請(qǐng)回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
．
（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3（沸點(diǎn)33.0℃）中含有少量SiCl4（沸點(diǎn)57.6℃）和HCl（沸點(diǎn)-84.7℃），提純SiHCl3采用的方法為：
分餾
分餾
．
（3）用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：
①裝置B中的試劑是
濃硫酸
濃硫酸
，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是：
使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化
使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化
．
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是
高溫下，普通玻璃會(huì)軟化
高溫下，普通玻璃會(huì)軟化
，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
．
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及
先通一段時(shí)間H2，將裝置中的空氣排盡
先通一段時(shí)間H2，將裝置中的空氣排盡
．
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號(hào)）是
bd
bd

a．碘水b．氯水c．NaOH溶液d．KSCN溶液e．Na2SO3溶液．

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晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅：SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑．
②粗硅與干燥的Cl2反應(yīng)制得SiCl4：Si+2C12
  △  
.
 
SiCl4．
③SiCl4被過量的H2在1 000～1 100℃時(shí)還原制得純硅：SiCl4+2H2
  △  
.
 
Si+4HCl．
某同學(xué)從資料中查知：SiCl4的熔點(diǎn)為-7O℃，沸點(diǎn)為57.6℃，且在潮濕的空氣中能發(fā)生水解反應(yīng)．該同學(xué)設(shè)計(jì)了如下制取純硅的實(shí)驗(yàn)裝置（熱源及夾持裝置已略去）．請(qǐng)回答下列問題：
（1）使SiCl4從裝置B中逸出與H2充分混合，應(yīng)采取的措施是
對(duì)裝置B水浴加熱
對(duì)裝置B水浴加熱
．
（2）裝置C不能采用普通玻璃管的原因是
在1000-1100℃時(shí)普通玻璃管會(huì)軟化
在1000-1100℃時(shí)普通玻璃管會(huì)軟化
，石英的化學(xué)式是
SiO2
SiO2
．
（3）如果從裝置A中快速向裝置B中通入氣體，可能觀察到的現(xiàn)象是
B中液面上方產(chǎn)生少量白霧，液體中有少量白色膠狀物生成
B中液面上方產(chǎn)生少量白霧，液體中有少量白色膠狀物生成
．
（4）為防止空氣污染，含有SiCl4的尾氣要通入盛有
NaOH
NaOH
溶液的燒杯中，反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiCl4+6NaOH=Na2SiO3+4NaCl+3H2O
SiCl4+6NaOH=Na2SiO3+4NaCl+3H2O
．
（5）為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度，還應(yīng)對(duì)該裝置進(jìn)行的改進(jìn)是
在裝置A與B之間連接一盛有濃硫酸的洗氣瓶（或盛有堿石灰的干燥管）．
在裝置A與B之間連接一盛有濃硫酸的洗氣瓶（或盛有堿石灰的干燥管）．
．

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 晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅。
②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3：Si+3HClSiHCl3+H2。
③SiHCl3與過量的H2在1000～1100℃時(shí)反應(yīng)制得純硅。
已知SiHCl3（沸點(diǎn)33.0℃）能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。
請(qǐng)回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)方程式為____________________。
（2）用SiHCl3與過量的H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置已略去）：

①裝置B中的試劑是______________，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是_______________。
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是______________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及_________________________。
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號(hào)）是_____________。
a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液

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晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅?

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3：Si+3HClEquation.3SiHCl3+H2?

③SiHCl3與過量H2在1 000～1 100 ℃反應(yīng)制得純硅?

已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。?

請(qǐng)完成下列問題：?

（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為________________。?

（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3（沸點(diǎn)33.0 ℃）中含有少量SiCl4（沸點(diǎn)57.6 ℃）和HCl（沸點(diǎn)－84.7 ℃），提純SiHCl3采用的方法為：________________。

（3）用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：?

①裝置B中的試劑是________，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是：________________。?

②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是________________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是________________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為________________________。?

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及________________________________。?

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號(hào)）是________。?

a.碘水　

b.氯水　

c.NaOH溶液　

d.KSCN溶液　

e.Na2SO3溶液

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晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

③SiHCl3與過量H2在1 000—1 100 ℃反應(yīng)制得純硅

已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。

請(qǐng)完成下列問題：

(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為______________________________。

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0 ℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6 ℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7 ℃)，提純SiHCl3采用的方法為_____________________。

(3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)：

①裝置B中的試劑是_______________________。裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是___________________________________。

②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是___________________________________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________________________________。

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及________________________________。

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一．單項(xiàng)選擇

1．D  2．A   3．B   4．B   5．D  6．C  7．B   8．A

二．不定項(xiàng)選擇

9．A  10．BC  11．AD  12．AC   13．CD   14．B   15．C   16．D 

三．（本題包括2小題，共22分）

17．①③⑤⑦（6分）  說明：漏選、錯(cuò)選一個(gè)均扣2分，扣完為止

18．⑴分餾（或蒸餾）（2分）

⑵①濃硫酸（1分）  使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化（2分）

②有固體物質(zhì)生成（1分）  在1000～1100℃的反應(yīng)溫度下，普通玻璃會(huì)軟化（1分）  

SiHCl3＋H2Si＋3HCl（3分）

③排盡裝置中的空氣（2分）

④將試樣用稀鹽酸溶解，靜置取上層清液，加入氯水后再滴加幾滴KSCN溶液，觀察是否有紅色溶液生成。（4分）

說明：只要方案設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，現(xiàn)象明顯，合理均可得分。

四．（本題包括2小題，共19分）

19．⑴第三周期第VIA族（2分）

⑵C3N4（2分）  大于（1分）

⑶2Al＋2OH－＋2H2O＝2AlO2－＋3H2↑（3分）

20．⑴NaCl（2分）

⑵降低X、Y熔化時(shí)的溫度，節(jié)約能源（2分）

⑶用作干燥劑（1分）

⑷2Cl2＋Ca(OH)2＝CaCl2＋Ca(ClO)2＋2H2O（3分）

2Na2O2＋2H2O＝4NaOH＋O2（3分）

五．（本題包括1小題，共9分）

21．⑴ ＜（3分）

⑵2C2H6(g)＋7O2(g)＝4CO2(g)＋6H2O(g)；ΔH＝－3121.6KJ/mol （3分）

⑶越少（3分）

六、（本題包括2小題，共18分）

22．⑴（2分）

⑵（2分）

（2分）

⑶  （1分） （1分）

23．⑴NaOH溶液、△（2分）    濃硫酸 、△（2分）

⑵A：     （2分） F： （2分）

⑶2＋O22 ＋2H2O（2分）

七、（本題包括2小題，共18分）

24．⑴1:1（2分）  

⑵0.71（3分）

⑶6g（3分）

25．⑴2.75mol/L（3分）

⑵0（3分）

解析：設(shè)12.8g的樣品中CuS的物質(zhì)的量為x ，Cu2S的物質(zhì)的量為y

96x＋160y＝12.8

           8x/3＋10y/3＝0.3

解得：x＝y(tǒng)＝0.05mol

根據(jù)方程式①、②可知消耗n(H＋)＝0.05mol×8/3＋0.05mol×16/3＝0.4mol

故剩余n(H＋)＝0.1mol，c(H＋)＝1mol/L  pH＝0

⑶11.2L（4分）

解析：首先判斷64g樣品中CuS、Cu2S的物質(zhì)的量為0.25mol

本題采用極端假設(shè)：                                               

若HNO3均與CuS反應(yīng)：硝酸不足，則V(NO)＝0.5mol×22.4L/mol＝11.2L

若HNO3均與Cu2S反應(yīng)：硝酸不足，則V(NO)＝0.5mol×22.4L/mol＝11.2L

所以：c中產(chǎn)生氣體體積（V）等于11.2L。

 

 


同步練習(xí)冊(cè)答案