(1)若d進(jìn)入第2個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí).b以與a同樣的速度進(jìn)入第1個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域.求b穿過第1個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域過程中增加的動(dòng)能.(2)若a進(jìn)入第2個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí).b恰好離開第1個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域;此后a離開第2個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí).b又恰好進(jìn)入第2個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域.且a.b在任意一個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域或無磁場(chǎng)區(qū)域的運(yùn)動(dòng)時(shí)間均相等.求a穿過第2個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域過程中.兩導(dǎo)體棒產(chǎn)生的總焦耳熱Q.問所述的運(yùn)動(dòng)情況.求a穿出第k個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)的速率v. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(22分)如圖所示,在x軸下方的區(qū)域內(nèi)存在方向與y軸相同的勻強(qiáng)電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度為E.在x軸上方以原點(diǎn)O為圓心、半徑為R的半圓形區(qū)域內(nèi)存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)的方向垂直于xy平面并指向紙面外,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.y軸下方的A點(diǎn)與O點(diǎn)的距離為d,一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電粒子從A點(diǎn)由靜止釋放,經(jīng)電場(chǎng)加速后從O點(diǎn)射入磁場(chǎng).不計(jì)粒子的重力作用.

(1)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑r.
(2)要使粒子進(jìn)入磁場(chǎng)之后不再經(jīng)過x軸,電場(chǎng)強(qiáng)度需大于或等于某個(gè)值E0,求E0.
(3)若電場(chǎng)強(qiáng)度E等于第(2)問E0,求粒子經(jīng)過x軸時(shí)的位置.

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如圖所示,在x軸下方的區(qū)域內(nèi)存在方向與y軸相同的勻強(qiáng)電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度為E.在x軸上方以原點(diǎn)O為圓心、半徑為R的半圓形區(qū)域內(nèi)存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)的方向垂直于xy平面并指向紙面外,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.y軸下方的A點(diǎn)與O點(diǎn)的距離為d.一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電粒子從A點(diǎn)由靜止釋放,經(jīng)電場(chǎng)加速后從O點(diǎn)射入磁場(chǎng).不計(jì)粒子的重力作用.
(1)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑r.
(2)要使粒子進(jìn)入磁場(chǎng)之后不再經(jīng)過x軸,電場(chǎng)強(qiáng)度需大于或等于某個(gè)值E0.求E0
(3)若電場(chǎng)強(qiáng)度E等于第(2)問E0
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,求粒子經(jīng)過x軸時(shí)的位置.
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如圖所示,在x軸下方的區(qū)域內(nèi)存在方向與y軸相同的勻強(qiáng)電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度為E.在x軸上方以原點(diǎn)O為圓心、半徑為R的半圓形區(qū)域內(nèi)存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)的方向垂直于xy平面并指向紙面外,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.y軸下方的A點(diǎn)與O點(diǎn)的距離為d.一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電粒子從A點(diǎn)由靜止釋放,經(jīng)電場(chǎng)加速后從O點(diǎn)射入磁場(chǎng).不計(jì)粒子的重力作用.
(1)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑r.
(2)要使粒子進(jìn)入磁場(chǎng)之后不再經(jīng)過x軸,電場(chǎng)強(qiáng)度需大于或等于某個(gè)值E.求E
(3)若電場(chǎng)強(qiáng)度E等于第(2)問E,求粒子經(jīng)過x軸時(shí)的位置.

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精英家教網(wǎng)如圖所示,水平線MN的上方區(qū)域是場(chǎng)強(qiáng)大小為E的勻強(qiáng)電場(chǎng),其方向指向右上方向且與MN的夾角θ=45°,水平線MN的下方是有一定高度的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),其方向垂直紙面向外.一個(gè)不計(jì)重力的帶負(fù)電的粒子,從MN上的O點(diǎn),以v0的初速度沿電場(chǎng)方向射入勻強(qiáng)電場(chǎng).已知粒子的電量為q,質(zhì)量為m,求:
(1)要使粒子離開勻強(qiáng)電場(chǎng)后能夠再次返回勻強(qiáng)電場(chǎng),勻強(qiáng)磁場(chǎng)的高度d至少為多少?
(2)若水平虛線MN下方的勻強(qiáng)磁場(chǎng)是足夠高,求粒子離開O點(diǎn)后第一次回到水平線MN進(jìn)入磁場(chǎng)到第二次回到MN的過程,所用的時(shí)間t1為多少?
(3)粒子第二次回到MN到第三次回到MN的過程,所用的時(shí)間t2為多少?

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如圖所示,水平線MN的上方區(qū)域是場(chǎng)強(qiáng)大小為E的勻強(qiáng)電場(chǎng),其方向指向右上方向且與MN的夾角θ=45°,水平線MN的下方是有一定高度的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),其方向垂直紙面向外.一個(gè)不計(jì)重力的帶負(fù)電的粒子,從MN上的O點(diǎn),以v的初速度沿電場(chǎng)方向射入勻強(qiáng)電場(chǎng).已知粒子的電量為q,質(zhì)量為m,求:
(1)要使粒子離開勻強(qiáng)電場(chǎng)后能夠再次返回勻強(qiáng)電場(chǎng),勻強(qiáng)磁場(chǎng)的高度d至少為多少?
(2)若水平虛線MN下方的勻強(qiáng)磁場(chǎng)是足夠高,求粒子離開O點(diǎn)后第一次回到水平線MN進(jìn)入磁場(chǎng)到第二次回到MN的過程,所用的時(shí)間t1為多少?
(3)粒子第二次回到MN到第三次回到MN的過程,所用的時(shí)間t2為多少?

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