如圖甲中通過(guò)P點(diǎn)電流的（向右為正）變化規(guī)律如圖所示，則 [     ]

1. A.
   在t從0.5s～1s，電容器C正在充電
2. B.
   0.5s～1s間，電容器C上板帶正電
3. C.
   1s～1.5s內(nèi)，電勢(shì)Q點(diǎn)比P點(diǎn)高
4. D.
   1s～1.5s磁場(chǎng)能轉(zhuǎn)化為電場(chǎng)能

如圖甲中通過(guò)P點(diǎn)電流的（向右為正）變化規(guī)律如圖2所示，則 [     ]

A.在t從0.5s～1s，電容器C正在充電

B.0.5s～1s間，電容器C上板帶正電

C.1s～1.5s內(nèi)，電勢(shì)Q點(diǎn)比P點(diǎn)高

D.1s～1.5s磁場(chǎng)能轉(zhuǎn)化為電場(chǎng)能

如下圖甲中通過(guò)P點(diǎn)電流的（向右為正）變化規(guī)律如圖所示，則

A.在0.～0.5s過(guò)程中，電容器C正在充電

B.0.5s～1s間，電容器C上板帶正電

C.1s～1.5s內(nèi)，電勢(shì)Q點(diǎn)比P點(diǎn)高

D.1.5s～2.0s磁場(chǎng)能轉(zhuǎn)化為電場(chǎng)能

如圖甲中通過(guò)P點(diǎn)電流的（向右為正）變化規(guī)律如圖所示，則[　　 ]

A、在t從0.5s～1s，電容器C正在充電 ；

B、0.5s～1s間，電容器C上板帶正電 ；

C、1s～1.5s內(nèi)，電勢(shì)Q點(diǎn)比P點(diǎn)高 ；

D、1s～1.5s磁場(chǎng)能轉(zhuǎn)化為電場(chǎng)能。