（2011?海淀區(qū)模擬）如圖所示裝置可用來分析氣體原子的組成．首先使待研究氣體進入電離室A，在此氣體被電離成等離子體（待研究氣體的等離子體由含有一價正離子和電荷量為e的電子組成，整體顯電性）．這些等離子體（統(tǒng)稱“帶電粒子”）從電離室下端狹縫S₁飄出（忽略飄出的速度），經(jīng)兩極板間電壓為U的加速電場后（忽略這些帶電粒子被加速的時間），從狹縫S₂沿垂直磁場方向進入磁感應(yīng)強度為B的有界勻強磁場，在磁場的上、下邊界處分別裝有水平底片E和F．當(dāng)雙刀雙擲開關(guān)分別擲向1、2和3、4時，發(fā)現(xiàn)從電離室狹縫S₁飄出的帶電粒子分別打在E和F上的P、Q點．已知狹縫S₂與水平底片E上P點之間的距離d₁=2.0cm，到水平底片F(xiàn)上Q點的水平距離d₂=6.4cm，磁場區(qū)域?qū)挾萪=30cm．空氣阻力、帶電粒子所受重力以及帶電粒子之間的相互作用均可忽略不計．
（1）試分析打在P點的帶電粒子的帶電性質(zhì)，并寫出該帶電粒子質(zhì)量的表達式；（要求用題中的字母表示）
（2）試確定打在Q點的帶電粒子的質(zhì)量和打在P點的帶電粒子的質(zhì)量之比；（結(jié)果保留兩位有效數(shù)字）
（3）若P點是底片E上刻度尺的右端點，而實驗中帶電粒子總是打到P點右側(cè)，從而導(dǎo)致不便于測量帶電粒子擊中底片位置到狹縫S₂的距離，應(yīng)如何調(diào)整可使帶電粒子能打在P點左側(cè)的位置．

如圖所示，虛線a、b、c表示O處點電荷的電場中的三個不同的等勢面，設(shè)兩相鄰等勢面的間距相等，一電子射入電場后（只受電場力作用）的運動軌跡如圖中實線所示，其中1、2、3、4表示運動軌跡與等勢面的交點，由此可以判定（　�。�

如圖所示，虛線a、b、c表示O處點電荷的電場中的三個不同的等勢面，設(shè)兩相鄰等勢面的間距相等，一電子射入電場后（只受電場力作用）的運動軌跡如圖中實線所示，其中1、2、3、4表示運動軌跡與等勢面的交點，由此可以判定（　�。�