18.如圖甲所示.豎直向下的勻強(qiáng)磁場垂直光滑桌面.甲圖中的虛線為磁場的邊界線.邊界線右側(cè)的磁場區(qū)域足夠大,質(zhì)量為電阻為的矩形金屬線圈平放在桌面上.線圈的長和寬分別為和.線圈一半在磁場內(nèi).一半在磁場外,= 0時刻磁感應(yīng)強(qiáng)度從開始均勻減小.線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流.在磁場力作用下線圈的圖象如圖乙所示.乙圖中的斜向虛線為= 0時刻速度圖線的切線.數(shù)據(jù)由圖中給出.求: 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

.(12分)如圖甲所示,豎直向下的勻強(qiáng)磁場垂直于光滑的桌面,圖甲中的虛線為磁場的邊界線,邊界線右側(cè)的磁場區(qū)域足夠大;質(zhì)量為m、電阻為R的矩形金屬線圈abcd平放在桌面上,線圈的長和寬分別為l和2l,線圈的一半在磁場內(nèi),一半在磁場外;t=0時刻磁感應(yīng)強(qiáng)度從B0開始均勻減小,線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流,在磁場力作用下線圈的vt圖象如圖11乙所示,圖乙中的斜向虛線為t=0時刻速度圖線的切線,數(shù)據(jù)由圖中給出.求:

 

 

 

 

 

 

 

 

(1)t=0時刻金屬線圈的加速度;

(2)磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化率.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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.(12分)如圖甲所示,豎直向下的勻強(qiáng)磁場垂直于光滑的桌面,圖甲中的虛線為磁場的邊界線,邊界線右側(cè)的磁場區(qū)域足夠大;質(zhì)量為m、電阻為R的矩形金屬線圈abcd平放在桌面上,線圈的長和寬分別為l和2l,線圈的一半在磁場內(nèi),一半在磁場外;t=0時刻磁感應(yīng)強(qiáng)度從B0開始均勻減小,線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流,在磁場力作用下線圈的vt圖象如圖11乙所示,圖乙中的斜向虛線為t=0時刻速度圖線的切線,數(shù)據(jù)由圖中給出.求:

 

 

 

 

 

 

 

 

(1)t=0時刻金屬線圈的加速度;

(2)磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化率.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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.(12分)如圖甲所示,豎直向下的勻強(qiáng)磁場垂直于光滑的桌面,圖甲中的虛線為磁場的邊界線,邊界線右側(cè)的磁場區(qū)域足夠大;質(zhì)量為m、電阻為R的矩形金屬線圈abcd平放在桌面上,線圈的長和寬分別為l和2l,線圈的一半在磁場內(nèi),一半在磁場外;t=0時刻磁感應(yīng)強(qiáng)度從B0開始均勻減小,線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流,在磁場力作用下線圈的vt圖象如圖11乙所示,圖乙中的斜向虛線為t=0時刻速度圖線的切線,數(shù)據(jù)由圖中給出.求:
(1)t=0時刻金屬線圈的加速度;
(2)磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化率.

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如圖甲所示,豎直擋板MN左側(cè)空間有方向豎直向上的勻強(qiáng)電場和垂直紙面向里的水平勻強(qiáng)磁場,電場和磁場的范圍足夠大,電場強(qiáng)度E=40N/C,磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時間t變化的關(guān)系圖象如圖乙所示,選定磁場垂直紙面向里為正方向.t=0時刻,一質(zhì)量m=8×10-4kg、電荷量q=+2×10-4C的微粒在O點具有豎直向下的速度v=0.12m/s,O′是擋板MN上一點,直線OO?與擋板MN垂直,取g=10m/s2.求:

(1)微粒再次經(jīng)過直線OO′時與O點的距離;
(2)微粒在運(yùn)動過程中離開直線OO′的最大高度;
(3)水平移動擋板,使微粒能垂直到擋板上,擋板與O點間的距離應(yīng)滿足的條件.

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如圖甲所示,豎直擋板MN左側(cè)空間有方向豎直向上的勻強(qiáng)電場和垂直紙面向里的水平勻強(qiáng)磁場,電場和磁場的范圍足夠大,電場強(qiáng)度E=40N/C,磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時間t變化的關(guān)系圖象如圖乙所示,選定磁場垂直紙面向里為正方向。t=0時刻,一質(zhì)量m=8×10-4kg、電荷量q=+2×10-4C的微粒在O點具有豎直向下的速度v=0.12m/s,O??是擋板MN上一點,直線OO??與擋板MN垂直,取g=10m/s2。求:

(1)微粒再次經(jīng)過直線OO??時與O點的距離;

(2)微粒在運(yùn)動過程中離開直線OO??的最大高度;

(3)水平移動擋板,使微粒能垂直射到擋板上,擋板與O點間的距離應(yīng)滿足的條件。

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