（2009?崇文區(qū)一模）如圖所示，把質量為m、帶電量為+Q的物塊放在傾角α=60°的固定光滑絕緣斜面的頂端，整個裝置處在范圍足夠大的勻強電場中．已知電場強度大小E=

3 mg

Q

，電場方向水平向左，斜面高為H，則釋放物塊后，物塊落地時的速度大小為（　　）

（2009?崇文區(qū)一模）用如圖所示的裝置來選擇密度相同、大小不同的球狀納米粒子．在電離室中使納米粒子電離后表面均勻帶正電，且單位面積的電量為q₀．電離后，粒子緩慢通過小孔O₁進入極板間電壓為U的水平加速電場區(qū)域I，再通過小孔O₂射入相互正交的恒定勻強電場、勻強磁場區(qū)域II，其中電場強度為E，磁感應強度為B、方向垂直紙面向外．收集室的小孔O₃與O₁、O₂在同一條水平線上．已知納米粒子的密度為ρ，不計納米粒子的重力及納米粒子間的相互作用．（V_球=

4

3

πr3，S_球=4πr²）
（1）如果半徑為r₀的某納米粒子恰沿直線O₁O₃射入收集室，求該粒子的速率和粒子半徑r₀；
（2）若半徑為4r₀的納米粒子進入區(qū)域II，粒子會向哪個極板偏轉？計算該納米粒子在區(qū)域II中偏轉距離為l（粒子在豎直方向的偏移量）時的動能；（r₀視為已知）
（3）為了讓半徑為4r₀的粒子沿直線O₁O₃射入收集室，可以通過改變那些物理量來實現？提出一種具體方案．

（2009?崇文區(qū)模擬）如圖所示，一束電子（電荷量為e）以速度v從A點垂直射入磁感應強度為B，寬為d的勻強磁場中，從C點穿出磁場時速度方向與電子原來入射方向的夾角為30°，求：
（1）電子的質量；
（2）電子穿過磁場所用的時間．