電離方程式與離子方程式的區(qū)別: . 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)


(1)在上面元素周期表中全部是金屬元素的區(qū)域為
b
b

(a)A     (b)B    (c)C      (d)D
(2)現(xiàn)有甲、乙兩種短周期元素,室溫下,甲元素單質(zhì)在冷的濃硫酸或濃硝酸中,表面都生成致密的氧化膜,乙元素原子核外M電子層與K電子層上的電子數(shù)相等.
①用元素符號將甲、乙兩元素填寫在上面元素周期表中對應(yīng)的位置.
②甲、乙兩元素相比較,金屬性較強的是
Mg
Mg
(填名稱),可以驗證該結(jié)論的實
驗是
bc
bc

(a)將在空氣中放置已久的這兩種元素的塊狀單質(zhì)分別放入熱水中
(b)將這兩種元素的單質(zhì)粉末分別和同濃度的鹽酸反應(yīng)
(c)將這兩種元素的單質(zhì)粉末分別和熱水作用,并滴入酚酞溶液
(d)比較這兩種元素的氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性
③寫出甲的氧化物及氧化物對應(yīng)水化物分別與強堿反應(yīng)的離子方程式
Al2O3 +2OH-═2AlO2-+H2O
Al2O3 +2OH-═2AlO2-+H2O
、
Al(OH)3 +OH-═AlO2-+2H2O
Al(OH)3 +OH-═AlO2-+2H2O

(3)表中所列小寫字母分別代表一種化學元素:
①m、f、j的單質(zhì)熔點由高到低的順序
C>Si>P
C>Si>P
(填元素符號).
②以上元素形成的金屬單質(zhì)中,熔點最低的是
Na
Na
(填元素符號).
③f、m、n、g所形成的氫化物的穩(wěn)定性還性由強到弱的順序為
HCl、H2S、PH3、SiH4
HCl、H2S、PH3、SiH4
(填化學式);
④甲、乙、c、d、e形成的簡單離子的半徑由小到大的順序為
Al3+、Mg2+、Na+、O2-、N3-
Al3+、Mg2+、Na+、O2-、N3-

⑤f元素單質(zhì)是在生產(chǎn)中用量很大,試寫出工業(yè)上制備f元素單質(zhì)的化學方程式
SiO2+2C
 高溫 
.
 
2CO+Si
SiO2+2C
 高溫 
.
 
2CO+Si

⑥c元素的單質(zhì)用途
氮氣是合成氨、制硝酸的重要原料;由于其性質(zhì)穩(wěn)定常被用作保護氣;在高科技領(lǐng)域中常用液氮制造低溫環(huán)境
氮氣是合成氨、制硝酸的重要原料;由于其性質(zhì)穩(wěn)定常被用作保護氣;在高科技領(lǐng)域中常用液氮制造低溫環(huán)境
(填一條).
闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌i幋锝呅撻柛銈呭閺屾盯骞橀懠顒夋М闂佹悶鍔嶇换鍐Φ閸曨垰鍐€妞ゆ劦婢€缁墎绱撴担鎻掍壕婵犮垼娉涢鍕崲閸℃稒鐓忛柛顐g箖閸f椽鏌涢敐鍛础缂佽鲸甯¢幃鈺呮濞戞帗鐎伴梻浣告惈閻ジ宕伴弽顓犲祦闁硅揪绠戠粻娑㈡⒒閸喓鈯曟い鏂垮濮婄粯鎷呴崨濠傛殘婵烇絽娲﹀浠嬫晲閻愭潙绶為柟閭﹀劦閿曞倹鐓曢柡鍥ュ妼閻忕姵淇婇锝忚€块柡灞剧洴閳ワ箓骞嬪┑鍥╀壕缂傚倷绀侀鍛崲閹版澘鐓橀柟杈鹃檮閸婄兘鏌ょ喊鍗炲闁告柨鎲$换娑氣偓娑欋缚閻倕霉濠婂簼绨绘い鏇稻缁绘繂顫濋鐔割仧闂備胶绮灙閻忓繑鐟╁畷鎰版倷閻戞ǚ鎷洪柣搴℃贡婵敻濡撮崘鈺€绻嗛柣鎰綑濞搭喗顨ラ悙宸剱妞わ妇澧楅幆鏃堟晲閸ラ搴婇梻鍌欒兌缁垶宕濋敃鍌氱婵炲棙鎸哥粈澶愭煏閸繃顥撳ù婊勭矋閵囧嫰骞樼捄鐩掋垽鏌涘Ο铏规憼妞ゃ劊鍎甸幃娆撳箵閹烘挻顔勯梺鍓х帛閻楃娀寮诲☉妯锋闁告鍋為悘鍫熺箾鐎电ǹ顎岄柛娆忓暙椤繘鎼归崷顓狅紲濠殿喗顨呭Λ娆撴偩閸洘鈷戠紓浣癸供濞堟棃鏌ㄩ弴銊ら偗闁绘侗鍠涚粻娑樷槈濞嗘垵濮搁柣搴$畭閸庡崬螞瀹€鍕婵炲樊浜濋埛鎴︽煕濞戞﹫鍔熺紒鐘虫崌閹顫濋悡搴$睄闂佽桨绀佺粔鐟邦嚕椤曗偓瀹曟帒饪伴崪鍐簥闂傚倷绀侀幖顐ゆ偖椤愶箑纾块柟鎯板Г閸嬧晜绻涘顔荤凹闁绘挻绋戦湁闁挎繂鎳忛幉鎼佸极閸惊鏃堟偐闂堟稐绮跺┑鐐叉▕閸欏啴濡存笟鈧浠嬵敇閻愰潧骞愰梻浣告啞閸旀垿宕濆澶嬪€堕柛顐犲劜閸婄敻鎮峰▎蹇擃仾缂佲偓閸愨斂浜滈柕濞垮劵闊剚顨ラ悙璇ц含鐎殿喕绮欓、姗€鎮欓棃娑樼闂傚倷绀侀幉锟犲礉閹达箑绀夐幖娣妼绾惧綊鏌ㄩ悤鍌涘

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(1)在上面元素周期表中全部是金屬元素的區(qū)域為
(b)
(b)

(a)A     (b)B    (c)C      (d)D
(2)現(xiàn)有甲、乙兩種短周期元素,室溫下,甲元素單質(zhì)在冷的濃硫酸或濃硝酸中,表面都生成致密的氧化膜,乙元素原子核外M電子層與K電子層上的電子數(shù)相等.
用元素符號將甲、乙兩元素填寫在上面元素周期表中對應(yīng)的位置.
(3)表中所列小寫字母分別代表一種化學元素:①f、m、n、g所形成的氫化物的穩(wěn)定性還原性由強到弱的順序為
HCl>H2S>PH3>SiH4
HCl>H2S>PH3>SiH4
(填化學式);
②甲、乙、c、d、e形成的簡單離子的半徑由小到大的順序為
Al3+、Mg2+、Na+、O2-、N3-
Al3+、Mg2+、Na+、O2-、N3-
.(離子用實際離子符號表示)
③f的最高價氧化物制備對應(yīng)的水化物的化學方程式
SiO2+2NaOH=Na2SiO3+H2O;Na2SiO3+2HCl═2NaCl+H2SiO3↓;
SiO2+2NaOH=Na2SiO3+H2O;Na2SiO3+2HCl═2NaCl+H2SiO3↓;

④c元素的單質(zhì)用途
氮氣是一種重要的工業(yè)原料,化學性質(zhì)穩(wěn)定,可做保護氣
氮氣是一種重要的工業(yè)原料,化學性質(zhì)穩(wěn)定,可做保護氣
(填一條).
闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌i幋锝呅撻柛銈呭閺屾盯骞橀懠顒夋М闂佹悶鍔嶇换鍐Φ閸曨垰鍐€妞ゆ劦婢€缁墎绱撴担鎻掍壕婵犮垼娉涢鍕崲閸℃稒鐓忛柛顐g箖閸f椽鏌涢敐鍛础缂佽鲸甯¢幃鈺呮濞戞帗鐎伴梻浣告惈閻ジ宕伴弽顓犲祦闁硅揪绠戠粻娑㈡⒒閸喓鈯曟い鏂垮濮婄粯鎷呴崨濠傛殘婵烇絽娲﹀浠嬫晲閻愭潙绶為柟閭﹀劦閿曞倹鐓曢柡鍥ュ妼閻忕姵淇婇锝忚€块柡灞剧洴閳ワ箓骞嬪┑鍥╀壕缂傚倷绀侀鍛崲閹版澘鐓橀柟杈鹃檮閸婄兘鏌ょ喊鍗炲闁告柨鎲$换娑氣偓娑欋缚閻倕霉濠婂簼绨绘い鏇稻缁绘繂顫濋鐔割仧闂備胶绮灙閻忓繑鐟╁畷鎰版倷閻戞ǚ鎷洪柣搴℃贡婵敻濡撮崘鈺€绻嗛柣鎰綑濞搭喗顨ラ悙宸剱妞わ妇澧楅幆鏃堟晲閸ラ搴婇梻鍌欒兌缁垶宕濋敃鍌氱婵炲棙鎸哥粈澶愭煏閸繃顥撳ù婊勭矋閵囧嫰骞樼捄鐩掋垽鏌涘Ο铏规憼妞ゃ劊鍎甸幃娆撳箵閹烘挻顔勯梺鍓х帛閻楃娀寮诲☉妯锋闁告鍋為悘鍫熺箾鐎电ǹ顎岄柛娆忓暙椤繘鎼归崷顓狅紲濠殿喗顨呭Λ娆撴偩閸洘鈷戠紓浣癸供濞堟棃鏌ㄩ弴銊ら偗闁绘侗鍠涚粻娑樷槈濞嗘垵濮搁柣搴$畭閸庡崬螞瀹€鍕婵炲樊浜濋埛鎴︽煕濞戞﹫鍔熺紒鐘虫崌閹顫濋悡搴$睄闂佽桨绀佺粔鐟邦嚕椤曗偓瀹曟帒饪伴崪鍐簥闂傚倷绀侀幖顐ゆ偖椤愶箑纾块柟鎯板Г閸嬧晜绻涘顔荤凹闁绘挻绋戦湁闁挎繂鎳忛幉鎼佸极閸惊鏃堟偐闂堟稐绮跺┑鐐叉▕閸欏啴濡存笟鈧浠嬵敇閻愰潧骞愰梻浣告啞閸旀垿宕濆澶嬪€堕柛顐犲劜閸婄敻鎮峰▎蹇擃仾缂佲偓閸愨斂浜滈柕濞垮劵闊剚顨ラ悙璇ц含鐎殿喕绮欓、姗€鎮欓棃娑樼闂傚倷绀侀幉锟犲礉閹达箑绀夐幖娣妼绾惧綊鏌ㄩ悤鍌涘

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(1)在上面元素周期表中全部是金屬元素的區(qū)域為______.
(a)A     (b)B    (c)C      (d)D
(2)現(xiàn)有甲、乙兩種短周期元素,室溫下,甲元素單質(zhì)在冷的濃硫酸或濃硝酸中,表面都生成致密的氧化膜,乙元素原子核外M電子層與K電子層上的電子數(shù)相等.
用元素符號將甲、乙兩元素填寫在上面元素周期表中對應(yīng)的位置.
(3)表中所列小寫字母分別代表一種化學元素:①f、m、n、g所形成的氫化物的穩(wěn)定性還原性由強到弱的順序為______(填化學式);
②甲、乙、c、d、e形成的簡單離子的半徑由小到大的順序為______.(離子用實際離子符號表示)
③f的最高價氧化物制備對應(yīng)的水化物的化學方程式______
④c元素的單質(zhì)用途______(填一條).
闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌i幋锝呅撻柛銈呭閺屾盯骞橀懠顒夋М闂佹悶鍔嶇换鍐Φ閸曨垰鍐€妞ゆ劦婢€缁墎绱撴担鎻掍壕婵犮垼娉涢鍕崲閸℃稒鐓忛柛顐g箖閸f椽鏌涢敐鍛础缂佽鲸甯¢幃鈺呮濞戞帗鐎伴梻浣告惈閻ジ宕伴弽顓犲祦闁硅揪绠戠粻娑㈡⒒閸喓鈯曟い鏂垮濮婄粯鎷呴崨濠傛殘婵烇絽娲﹀浠嬫晲閻愭潙绶為柟閭﹀劦閿曞倹鐓曢柡鍥ュ妼閻忕姵淇婇锝忚€块柡灞剧洴閳ワ箓骞嬪┑鍥╀壕缂傚倷绀侀鍛崲閹版澘鐓橀柟杈鹃檮閸婄兘鏌ょ喊鍗炲闁告柨鎲$换娑氣偓娑欋缚閻倕霉濠婂簼绨绘い鏇稻缁绘繂顫濋鐔割仧闂備胶绮灙閻忓繑鐟╁畷鎰版倷閻戞ǚ鎷洪柣搴℃贡婵敻濡撮崘鈺€绻嗛柣鎰綑濞搭喗顨ラ悙宸剱妞わ妇澧楅幆鏃堟晲閸ラ搴婇梻鍌欒兌缁垶宕濋敃鍌氱婵炲棙鎸哥粈澶愭煏閸繃顥撳ù婊勭矋閵囧嫰骞樼捄鐩掋垽鏌涘Ο铏规憼妞ゃ劊鍎甸幃娆撳箵閹烘挻顔勯梺鍓х帛閻楃娀寮诲☉妯锋闁告鍋為悘鍫熺箾鐎电ǹ顎岄柛娆忓暙椤繘鎼归崷顓狅紲濠殿喗顨呭Λ娆撴偩閸洘鈷戠紓浣癸供濞堟棃鏌ㄩ弴銊ら偗闁绘侗鍠涚粻娑樷槈濞嗘垵濮搁柣搴$畭閸庡崬螞瀹€鍕婵炲樊浜濋埛鎴︽煕濞戞﹫鍔熺紒鐘虫崌閹顫濋悡搴$睄闂佽桨绀佺粔鐟邦嚕椤曗偓瀹曟帒饪伴崪鍐簥闂傚倷绀侀幖顐ゆ偖椤愶箑纾块柟鎯板Г閸嬧晜绻涘顔荤凹闁绘挻绋戦湁闁挎繂鎳忛幉鎼佸极閸惊鏃堟偐闂堟稐绮跺┑鐐叉▕閸欏啴濡存笟鈧浠嬵敇閻愰潧骞愰梻浣告啞閸旀垿宕濆澶嬪€堕柛顐犲劜閸婄敻鎮峰▎蹇擃仾缂佲偓閸愨斂浜滈柕濞垮劵闊剚顨ラ悙璇ц含鐎殿喕绮欓、姗€鎮欓棃娑樼闂傚倷绀侀幉锟犲礉閹达箑绀夐幖娣妼绾惧綊鏌ㄩ悤鍌涘

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(1)在上面元素周期表中全部是金屬元素的區(qū)域為______
(a)A     (b)B    (c)C      (d)D
(2)現(xiàn)有甲、乙兩種短周期元素,室溫下,甲元素單質(zhì)在冷的濃硫酸或濃硝酸中,表面都生成致密的氧化膜,乙元素原子核外M電子層與K電子層上的電子數(shù)相等.
①用元素符號將甲、乙兩元素填寫在上面元素周期表中對應(yīng)的位置.
②甲、乙兩元素相比較,金屬性較強的是______(填名稱),可以驗證該結(jié)論的實
驗是______.
(a)將在空氣中放置已久的這兩種元素的塊狀單質(zhì)分別放入熱水中
(b)將這兩種元素的單質(zhì)粉末分別和同濃度的鹽酸反應(yīng)
(c)將這兩種元素的單質(zhì)粉末分別和熱水作用,并滴入酚酞溶液
(d)比較這兩種元素的氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性
③寫出甲的氧化物及氧化物對應(yīng)水化物分別與強堿反應(yīng)的離子方程式
______、______.
(3)表中所列小寫字母分別代表一種化學元素:
①m、f、j的單質(zhì)熔點由高到低的順序______(填元素符號).
②以上元素形成的金屬單質(zhì)中,熔點最低的是______(填元素符號).
③f、m、n、g所形成的氫化物的穩(wěn)定性還性由強到弱的順序為______(填化學式);
④甲、乙、c、d、e形成的簡單離子的半徑由小到大的順序為______.
⑤f元素單質(zhì)是在生產(chǎn)中用量很大,試寫出工業(yè)上制備f元素單質(zhì)的化學方程式______.
⑥c元素的單質(zhì)用途______(填一條).
闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌i幋锝呅撻柛銈呭閺屾盯骞橀懠顒夋М闂佹悶鍔嶇换鍐Φ閸曨垰鍐€妞ゆ劦婢€缁墎绱撴担鎻掍壕婵犮垼娉涢鍕崲閸℃稒鐓忛柛顐g箖閸f椽鏌涢敐鍛础缂佽鲸甯¢幃鈺呮濞戞帗鐎伴梻浣告惈閻ジ宕伴弽顓犲祦闁硅揪绠戠粻娑㈡⒒閸喓鈯曟い鏂垮濮婄粯鎷呴崨濠傛殘婵烇絽娲﹀浠嬫晲閻愭潙绶為柟閭﹀劦閿曞倹鐓曢柡鍥ュ妼閻忕姵淇婇锝忚€块柡灞剧洴閳ワ箓骞嬪┑鍥╀壕缂傚倷绀侀鍛崲閹版澘鐓橀柟杈鹃檮閸婄兘鏌ょ喊鍗炲闁告柨鎲$换娑氣偓娑欋缚閻倕霉濠婂簼绨绘い鏇稻缁绘繂顫濋鐔割仧闂備胶绮灙閻忓繑鐟╁畷鎰版倷閻戞ǚ鎷洪柣搴℃贡婵敻濡撮崘鈺€绻嗛柣鎰綑濞搭喗顨ラ悙宸剱妞わ妇澧楅幆鏃堟晲閸ラ搴婇梻鍌欒兌缁垶宕濋敃鍌氱婵炲棙鎸哥粈澶愭煏閸繃顥撳ù婊勭矋閵囧嫰骞樼捄鐩掋垽鏌涘Ο铏规憼妞ゃ劊鍎甸幃娆撳箵閹烘挻顔勯梺鍓х帛閻楃娀寮诲☉妯锋闁告鍋為悘鍫熺箾鐎电ǹ顎岄柛娆忓暙椤繘鎼归崷顓狅紲濠殿喗顨呭Λ娆撴偩閸洘鈷戠紓浣癸供濞堟棃鏌ㄩ弴銊ら偗闁绘侗鍠涚粻娑樷槈濞嗘垵濮搁柣搴$畭閸庡崬螞瀹€鍕婵炲樊浜濋埛鎴︽煕濞戞﹫鍔熺紒鐘虫崌閹顫濋悡搴$睄闂佽桨绀佺粔鐟邦嚕椤曗偓瀹曟帒饪伴崪鍐簥闂傚倷绀侀幖顐ゆ偖椤愶箑纾块柟鎯板Г閸嬧晜绻涘顔荤凹闁绘挻绋戦湁闁挎繂鎳忛幉鎼佸极閸惊鏃堟偐闂堟稐绮跺┑鐐叉▕閸欏啴濡存笟鈧浠嬵敇閻愰潧骞愰梻浣告啞閸旀垿宕濆澶嬪€堕柛顐犲劜閸婄敻鎮峰▎蹇擃仾缂佲偓閸愨斂浜滈柕濞垮劵闊剚顨ラ悙璇ц含鐎殿喕绮欓、姗€鎮欓棃娑樼闂傚倷绀侀幉锟犲礉閹达箑绀夐幖娣妼绾惧綊鏌ㄩ悤鍌涘

查看答案和解析>>

(1)在上面元素周期表中全部是金屬元素的區(qū)域為_______________。
(a)A (b)B (c)C (d)D
(2)現(xiàn)有甲、乙兩種短周期元素,室溫下,甲元素單質(zhì)在冷的濃硫酸或濃硝酸中,表面都生成致密的氧化膜,乙元素原子核外M電子層與K電子層上的電子數(shù)相等。
①用元素符號將甲、乙兩元素填寫在上面元素周期表中對應(yīng)的位置。
②甲、乙兩元素相比較,金屬性較強的是_________(填名稱),可以驗證該結(jié)論的實驗是_________。
(a)將在空氣中放置已久的這兩種元素的塊狀單質(zhì)分別放入熱水中
(b)將這兩種元素的單質(zhì)粉末分別和同濃度的鹽酸反應(yīng)
(c)將這兩種元素的單質(zhì)粉末分別和熱水作用,并滴入酚酞溶液
(d)比較這兩種元素的氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性
③寫出甲的氧化物及氧化物對應(yīng)水化物分別與強堿反應(yīng)的離子方程式__________________________、
__________________________。
表中所列小寫字母分別代表一種化學元素:
(3)m、f、j的單質(zhì)熔點由高到低的順序___________________________(填元素符號)。
(4)以上元素形成的金屬單質(zhì)中,熔點最低的是____________________(填元素符號)。
(5)f、m、n、g所形成的氫化物的穩(wěn)定性還性由強到弱的順序為 _________________________________(填化學式);
(6)甲、乙、c、d、e形成的簡單離子的半徑由小到大的順序為 ________________________________。
(7)f元素單質(zhì)是在生產(chǎn)中用量很大,試寫出工業(yè)上制備f元素單質(zhì)的化學方程式 __________________。
(8)c元素的單質(zhì)用途___________________________(填一條)。
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