21.參照下表中物質(zhì)的熔點(diǎn).回答有關(guān)問題: ① 鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)高低取決于其 . 物質(zhì) NaF NaCl NaBr NaI NaCl KCl RbCl CsCl 熔點(diǎn)℃ 995 801 755 651 801 776 715 646 物質(zhì) SiF4 SiCl4 SiBr4 SiI4 SiCl4 GeCl4 SnCl4 PbCl4 熔點(diǎn)℃ -90.2 -70.4 5.2 12.05 -70.4 -49.5 -36.2 -15.0 在這種情況下. 越大. 越弱.故熔點(diǎn)依次降低. ② 硅的鹵化物及硅.鍺.錫.鉛的氯化物的熔點(diǎn)高低取決于其 . 越大. 越大.故熔點(diǎn)依次升高. ③ 鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多.這是由于 . 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題:
物質(zhì) 熔點(diǎn)/℃ 物質(zhì) 熔點(diǎn)/℃
NaF 993 SiF4 -90.2
NaCl 801 SiCl4 -70.4
NaBr 747 SiBr4 5.2
NaI 662 SiI4 120.5
NaCl 801 SiCl4 -70.4
KCl 768 GeCl4 -49.5
RbCl 717 SnCl4 -36.2
CsCl 646 PbCl4 -15
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的
 
有關(guān),隨著
 
的增大,熔點(diǎn)逐漸降低.
(2)硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與
 
有關(guān),隨著
 
增大,
 
增強(qiáng),故熔點(diǎn)逐漸升高.
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與
 
有關(guān),因?yàn)?!--BA-->
 
,故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于后者.

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參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題:

物質(zhì)

NaF

NaCl

NaBr

NaI

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)/℃

995

801

755

651

801

776

715

646

物質(zhì)

SiF4

SiCl4

SiBr4

SiI4

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)/℃

-90.2

-70.4

5.2

10.5

-70.4

-49.5

-36.2

-15.0

(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與_____有關(guān),隨_______增大,_____減小,故熔點(diǎn)依次降低。

(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與_______有關(guān),隨著_______增大則_____________增大,故熔點(diǎn)依次升高。

(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與_______有關(guān),因?yàn)?/p>

___________________________________,故前者熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于后者。

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參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題。

物質(zhì)

NaF

NaCl

NaBr

NaI

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)/℃

995

801

755

651

801

776

715

646

物質(zhì)

SiF4

SiCl4

SiBr4

SiI4

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)/℃

-90.4

-70.4

5.2

120

-70.4

-49.5

-36.2

-15

(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的___________有關(guān),隨著___________________的增大,熔點(diǎn)依次降低。

(2)硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與___________有關(guān),隨著___________增大,______________增大,故熔、沸點(diǎn)依次升高。

(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與___________有關(guān),因?yàn)橐话鉥_____________比______________熔點(diǎn)高。

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參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題。

物質(zhì)

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)/℃

801

776

715

646

物質(zhì)

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)/℃

-70.4

-49.5

-36.2

-15

(1)NaCl、KCl、RbCl、CsCl的熔點(diǎn)的變化規(guī)律是            ,造成這種規(guī)律的主要原因是                                                      。

(2)SiCl4、GeCl4、SnCl4、PbCl4的熔點(diǎn)的變化規(guī)律是                     ,造成這種規(guī)律的主要原因是                                   

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參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題:

物質(zhì)

NaF

NaCl

NaBr

NaI

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)/℃

995

801

755

651

801

776

715

646

物質(zhì)

SiF4

SiCl4

SiBr4

SiI4

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)/℃

-90.4

-70.4

5.2

120

-70.4

-49.5

-36.2

-15

    (1)鈉的鹵化物、堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子、堿金屬離子的________有關(guān),隨著________的增大,熔點(diǎn)依次降低。

     (2)硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與__________有關(guān),隨著_________增大,_________增大,故熔沸點(diǎn)依次升高。

    (3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與________有關(guān),因?yàn)開______,故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于后者。

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