清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機(jī)物，無(wú)機(jī)鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對(duì)太陽(yáng)光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應(yīng)25～35 min，效果良好。

回答下列問(wèn)題

（1）能否用玻璃試劑瓶來(lái)盛HF溶液，為什么?用化學(xué)方程式加以解釋                           ；

（2）寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式                                    ，對(duì)單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型，他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與OH^一反應(yīng)，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄�；�于此原理分析反應(yīng)中氧化劑為                     。

（3）本�；瘜W(xué)興趣小組同學(xué)，為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確，完成以下實(shí)驗(yàn)：

結(jié)論：從實(shí)驗(yàn)上說(shuō)明堿性水溶液條件下，H₂O可作                 劑；NaOH作               劑，降低反應(yīng)             。高溫?zé)o水環(huán)境下，NaOH作               劑。

（4）在太陽(yáng)能電池表面沉積深藍(lán)色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷（SiH₄）與氨氣（NH₃）在等離子體中反應(yīng)。硅烷是一種無(wú)色、有毒氣體，常溫下與空氣和水劇烈反應(yīng)。下列關(guān)于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是                。

A．在使用硅烷時(shí)要注意隔離空氣和水，SiH₄能與水發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成H₂；

B．硅烷與氨氣反應(yīng)的化學(xué)方程式為：3SiH₄+4NH₃＝Si₃N₄+12H₂↑，反應(yīng)中NH₃作氧化劑；

C．它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能，化學(xué)穩(wěn)定性很好，不與任何酸、堿反應(yīng)；

D．氮化硅晶體中只存在共價(jià)鍵，Si₃N₄是優(yōu)良的新型無(wú)機(jī)非金屬材料。

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機(jī)物，無(wú)機(jī)鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對(duì)太陽(yáng)光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應(yīng)25～35 min，效果良好。
回答下列問(wèn)題
（1）能否用玻璃試劑瓶來(lái)盛HF溶液，為什么?用化學(xué)方程式加以解釋                          ；
（2）寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式                                   ，對(duì)單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型，他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與OH^一反應(yīng)，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄。基于此原理分析反應(yīng)中氧化劑為                    。
（3）本校化學(xué)興趣小組同學(xué)，為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確，完成以下實(shí)驗(yàn)：