下列物質(zhì)中熔點(diǎn)最高的是

A． 干冰       B．氯化鈉  C．金剛石           D．汞

下列物質(zhì)中熔點(diǎn)最高的是

A．干冰       B．氯化鈉  C．金剛石w.D．汞

下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序正確的是（    ）

  A．金剛石>晶體硅>二氧化硅>碳化硅         B．CI₄>CBr₄>CCl₄>CF₄

  C．K₂O>Na₂O>O₂>N₂                      D．干冰 >二氧化硅>氯化鈉>鈉

【解析】一般情況下原子晶體的熔沸點(diǎn)最高，其次是離子晶體（或金屬晶體），分子晶體的熔沸點(diǎn)最低。A全部是原子晶體，形成原子晶體共價(jià)鍵的原子半徑越小，共價(jià)鍵越強(qiáng)，原子半徑是Si＞C＞O，所以應(yīng)該是金剛石＞碳化硅＞二氧化硅＞晶體硅，A不正確。B中全部是分子晶體，對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體來(lái)講，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越高，因此B正確。形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，所以C中的正確順序?yàn)镹a₂O＞ K₂O＞O₂＞N₂，C錯(cuò)誤。D中應(yīng)為二氧化硅＞氯化鈉＞鈉＞干冰，所以正確的答案是B。

下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序正確的是（    ）

  A．金剛石>晶體硅>二氧化硅>碳化硅          B．CI₄>CBr₄>CCl₄>CF₄

  C．K₂O>Na₂O>O₂>N₂                       D．干冰 >二氧化硅>氯化鈉>鈉

【解析】一般情況下原子晶體的熔沸點(diǎn)最高，其次是離子晶體（或金屬晶體），分子晶體的熔沸點(diǎn)最低。A全部是原子晶體，形成原子晶體共價(jià)鍵的原子半徑越小，共價(jià)鍵越強(qiáng)，原子半徑是Si＞C＞O，所以應(yīng)該是金剛石＞碳化硅＞二氧化硅＞晶體硅，A不正確。B中全部是分子晶體，對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體來(lái)講，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越高，因此B正確。形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，所以C中的正確順序?yàn)镹a₂O＞ K₂O ＞O₂＞N₂，C錯(cuò)誤。D中應(yīng)為二氧化硅＞氯化鈉＞鈉＞干冰，所以正確的答案是B。