題目列表(包括答案和解析)
A、一定溫度下,反應(yīng)Mg(1)+Cl2(g)=MgCl2(1)的△H<0,△S<0 | ||||||||||||
B、101 kPa時(shí),硫的標(biāo)準(zhǔn)燃燒熱與硫完全燃燒時(shí)物質(zhì)的量有關(guān) | ||||||||||||
C、通常人們把拆開1 mol氣態(tài)物質(zhì)中某種共價(jià)鍵需要吸收的能量看成該共價(jià)鍵的鍵能
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D、已知:N2(g)+2O2(g)=2NO2(g)△H=+68kJ?mol-1 2C(s)+O2(g)=2CO(g)△H=-221kJ?mol-1 C(s)+O2(g)=CO2(g)△H=-393.5kJ?mol-1 則4CO(g)+2NO2(g)=4NO2(g)+N2(g)△H=+1200kJ?mol-1 |
化學(xué)鍵 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
鍵能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
請(qǐng)回答下列問題:
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)
SiC_________Si;SiCl4_____________SiO2
(2)圖3-9中立方體中心的“·”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“·”表示出與之緊鄰的硅原子。
圖3-9
(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制。
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)
該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH_______=kJ·mol-1
化學(xué)鍵 | Si-O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
鍵能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
下列敘述正確的是( )
A.由于Si-C的鍵能大于Si-Si的鍵能,所以SiC的熔點(diǎn)高于晶體硅的熔點(diǎn)
B.由于Si-O的鍵能大于Si-Cl的鍵能,所以SiO2的熔點(diǎn)低于晶體SiCl4的熔點(diǎn)
C.SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g)的反應(yīng)熱計(jì)算式為:ΔH=(4×460 kJ·mol-1+2×436 kJ·mol-1)-(4×176 kJ·mol-1-4×431 kJ·mol-1)
D.SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g)的反應(yīng)熱計(jì)算式為:ΔH=(4×460 kJ·mol-1+2×436 kJ·mol-1)-(2×176 kJ·mol-1-4×431 kJ·mol-1)
通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所消耗的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)物的總鍵能與生成物的總鍵能之差。
化學(xué)鍵 |
Si—O |
Si—Cl |
H—H |
H—Cl |
Si—Si |
Si—C |
鍵能/kJ·mol-1 |
460 |
360 |
436 |
431 |
176 |
347 |
工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制。篠iCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g),該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為( )
A.+412 kJ·mol-1 B.-412 kJ·mol-1
C.+236 kJ·mol-1 D.-236 kJ·mol-1
化學(xué)鍵 | H—H | Cl—Cl | H—Cl |
生成1 mol化學(xué)鍵時(shí)放出的能量 | 436 kJ·mol-1 | 243 kJ·mol-1 | 431 kJ·mol-1 |
則下列熱化學(xué)方程式不正確的是
A.H2(g)+Cl2(g)HCl(g);ΔH=-91.5 kJ·mol-1
B.H2(g)+Cl2(g)HCl(g);ΔH=+91.5 kJ·mol-1
C.H2(g)+Cl2(g)2HCl(g);ΔH=-183 kJ·mol-1
D.2HCl(g)H2(g)+Cl2(g);ΔH=+183 kJ·mol-1
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