1.下列關于遺傳變異的敘述不正確的是                                          （    ）

   A．在噬菌體侵染細菌的實驗中，用³²P、³⁵S分別標記細菌DNA、蛋白質，復制4次，則子代噬菌體100％³²P、³⁵S

B．色盲遺傳具有交叉遺傳的特點，男性的色盲基因只會傳給女兒，女性的色盲基因既會傳給兒子，也會傳給女兒

C．如果控制人的血紅蛋白的基因中有一對堿基發(fā)生改變,則血紅蛋白的結構一定發(fā)生改變

D．與酶―樣，轉運RNA也具有專一性，在蛋白質的翻譯過程中，只能運載一種特定的氨基酸

2.玉米間作與單作相比，可以明顯提高產量。易染病抗倒伏玉米甲（aaBB）與抗病易倒伏玉米乙（AAbb）間作，甲株所結玉米胚、胚乳的基因型分別是                                                     （    ）

①AaBb     ②aaBB     ③AAbb     ④AaaBBb     ⑤aaaBBB     ⑥AAAbbb

A．①④              B．③⑥           C．①②④⑤          D．②③⑤⑥

3.種子的成熟過程，實質上就是胚由小長大，以及營養(yǎng)物質在種子中變化和積累的過程。右圖示小麥種子（淀粉類種子）成熟過程中蛋白質、葡萄糖、淀粉的含量和淀粉磷酸化酶（催化淀粉的生物合成）活性的變化。據(jù)圖可推知?

A.曲線①表示淀粉，曲線②表示葡萄糖?

B.曲線②表示淀粉，曲線③表示淀粉磷酸化酶?

C.淀粉是由葡萄糖和蛋白質等轉變而來的?

D.生長素含量逐漸增加，淀粉酶活性不斷增強?

4.下列有關實驗敘述正確的是（     ）

Ａ．探究溫度對淀粉酶活性的影響實驗時，應該用斐林試劑進行鑒定

Ｂ．DNA的鑒定需要水浴加熱，蛋白質的鑒定不需要水浴加熱

Ｃ．光學顯微鏡能觀察到的結構有染色體、大液泡、核糖體、葉綠體等

Ｄ．用黑藻觀察細胞質流動，觀察到葉綠體的流動方向與實際方向相反．

5.下列對圖中有關的生物學意義描述正確的是

A．若切斷甲圖中的c點，則刺激b點后，a點會興奮，肌肉會收縮

B．乙圖中該遺傳病一定是常染色體顯性遺傳病

C．丙圖中，對向光彎曲的植物而言，若莖背光側為B對應的生長素濃度，則莖向光側不可能為C對應的濃度

D．丁圖中若B表示5片新鮮土豆片放入等量過氧化氫溶液中的氣體變化，則A表示8片

新鮮土豆片放入等量過氧化氫溶液中的氣體變化

6．下列說法或表示方法正確的是                                                                          （    ）

       A．反應物總能量低于生成物總能量時，該反應就不能發(fā)生

    B．向等質量的碳酸鈉粉末中滴加少量水和大量水的熱效應相同

       C．由石墨比金剛石穩(wěn)定，可知C（石墨）= C（金剛石）；△H>0

D．在101kPa、25℃時，2g H₂完全燃燒生成液態(tài)水，放出285.8kJ熱量，氫氣燃燒的   熱化學方程式表示為2H₂（g）+O₂（g）===2H₂O（1）；△H=－285.8kJ/mol

7．一定條件下向一帶活塞的密閉容器中充入2 mol SO₂和1mol O₂，發(fā)生反應：2SO₂（g）+O₂（g）2SO₃（g），達到平衡后改變下述條件，SO₃氣體平衡濃度不改變的是

A．保持溫度和容器內壓強不變，充入1molSO₃（g）

B．保持溫度和容器容積不變，充入1molSO₃（g）

C．保持溫度和容器內壓強不變，充入1molO₂（g）

D．保持溫度和容器內壓強不變，充入1molAr（g）

8．設N_A為阿伏加德羅常數(shù)，下列有關敘述正確的是（    ）

A．1 mol C₄H₈中含有共用電子對數(shù)是12 N_A

B．1 mol NaHSO₄晶體中含有的離子總數(shù)為3 N_A

C．標準狀況下，22.4 L甲苯所含的分子數(shù)約為N_A

D．0.1 mol K₂O₂與水反應時，轉移的電子數(shù)為0.2 N_A

9． 反應（1）、（2）分別是從海藻灰和智利硝石中提取碘的主要反應：

2NaI+MnO₂+3H₂SO₄=2NaHSO₄+MnSO₄+2H₂O+I₂   （1）

2NaIO₃+5NaHSO₃=2Na₂SO₄+3NaHSO₄+H₂O+I₂       （2）

下列說法正確的是                                                                                          （    ）

A．兩個反應中NaHSO₄均為氧化產物

B． I₂在反應（1）中是還原產物，在反應（2）中是氧化產物

C． 氧化性：MnO₂?SO₄^2-?IO₃^-?I₂

D． 反應（1）（2）中生成等量的碘單質時轉移電子數(shù)比為1：5

10．下列離子方程式書寫正確的是（    ）

A．在標準狀況下，2.24 L CO₂通入1 mol/L 100 mL NaOH溶液中：

    CO₂ + 2 OH^－ = CO₃^2－ + H₂O

B．尼泊金酸()與碳酸氫鈉溶液反應：

＋2HCO₃^－→＋2CO₂↑＋2H₂O

C．電解飽和硫酸鈉溶液時的陰極反應：2H^＋＋2e^－＝H₂↑

D．向漂白粉溶液中通入SO₂氣體：Ca²⁺+2ClO^－+SO₂+H₂O=CaSO₃↓+2HClO

11．目前人類已發(fā)現(xiàn)的非金屬元素除稀有氣體外共有16種，下列是對這16種非金屬

    元素的相關判斷：①都是主族元素，最外層電子數(shù)都大于4；②單質在反應中都只

    能作氧化劑；③氫化物常溫下都是氣態(tài)，所以又都叫氣態(tài)氫化物；④單質形成的晶

    體都為分子晶體；⑤氧化物常溫下都可以與水反應生成酸。正確的是

    A、只有①②正確    B、只有①③正確

    C、只有④正確    D、①②③④⑤均不正確

12．三氧化二鎳（Ni₂O₃）可用于制造高能電池，其電解法制備過程如下：用NaOH調NiCl₂

溶液pH至7.5，加入適量Na₂SO₄后進行電解，電解過程中產生的Cl₂在弱堿條件下生成ClO^-，

把二價鎳氧化成三價鎳。以下說法正確的是

A．可用鐵作陽極材料

B．2 mol二價鎳全部轉為三價鎳時，外電路中通過了2 mol電子

C．陽極反應方程式為：2 Cl^- + 2e^- = Cl₂

D．電解過程中陽極附近溶液的pH升高

 13．常溫下，將1．92 g Cu加入到100 mL硫酸和硝酸的混合溶液中，銅全部溶解并放出無色氣體，再向該溶液中加入足量的Fe粉充分反應，此時收集到的氣體全部是氫氣且在標準狀況下的體積為448 mL。下列說法 中正確的是

A．原混合液中n(NO－3)＝0．08 mol          B．原混合液中c(SO2-4 )＝0．2 mol/L

C．原混合液中pH＝1－lg1．2              D．溶解的Fe粉質量為2．8 g

14．下列關于超重、失重現(xiàn)象的描述中，正確的是（�。�．

　　A．電梯正在減速上升，人在電梯中處于超重狀態(tài)

　　B．列車在水平軌道上加速行駛，車上的人處于超重狀態(tài)

　　C．蕩秋千時當秋千擺到最低位置時，人處于失重狀態(tài)

　　D．在國際空間站內的宇航員處于失重狀態(tài)

15．圖中，每個電池的電動勢為e ，內阻為r，電阻器的電阻R保持不變．甲圖中通過R的電流為，乙圖中通過R的電流為．已知，則（�。�．

　　A．等于3∶4　　　　　　　　　　　　B．等于4∶3

　　C．等于1∶1　　　　　　　　　　　　D．不能確定

16．夏天，如果將自行車內胎充氣過足，又放在陽光下受暴曬，車胎極易爆裂．關于這一現(xiàn)象有以下描述（暴曬過程中內胎容積幾乎不變）

　�、佘囂ケ�裂，是車胎內氣體溫度升高，氣體分子間斥力急劇增大的結果．

　�、谠诒�裂前的過程中，氣體溫度升高，分子無規(guī)則熱運動加劇，氣體壓強增大．

　�、墼诒�裂前的過程中，氣體吸熱，內能增加．

　�、茉谲囂ネ蝗槐�裂的瞬間，氣體內能減少．

　　描述正確的是（�。�．

　　A．①②③④　　 B．②③④　　　C．①③④　　　　　 D．①②④

　17．如圖所示，a、b、c為電場中同一條水平方向電場線上的三點，c為ab中點．a、b電勢分別為，．下列敘述正確的是（�。�．

　　A．該電場在c點處的電勢一定為4 V

　　B．a點處的場強一定大于b點處的場強

　　C．一正電荷從c點運動到b點電勢能一定減少

　　D．一正電荷運動到c點時受到的電場力由c指向a

　18．從地面上方同一點向東與向西分別平拋出兩個等質量的小物體，拋出速度大小分別為v和2v不計空氣阻力，則兩個小物體

　�、購膾伋龅铰涞貏恿康脑隽肯嗤�．

　　②從拋出到落地重力做的功相同．

　�、蹚膾伋龅铰涞刂亓Φ钠骄�功率相同．

　�、苈涞貢r重力做功的瞬時功率相同．

　　以上說法正確的是（�。�．

　　A．①②　　　　 B．③④　　　　C．②③④　　　D．①②③④

　19．如圖所示，在水平面上有一固定的U形金屬框架，框架上置一金屬桿ab，不計摩擦．在豎直方向上有勻強磁場．則（�。�．

　　A．若磁場方向豎直向上并增大時，桿ab將向右移動

　　B．若磁場方向豎直向上并減小時，桿ab將向右移動

　　C．若磁場方向豎直向下并增大時，桿ab將向右移動

　　D．若磁場方向豎直向下并減小時，桿ab將向左移動

20．傳感器是把非電學量（如高度、溫度、壓力等）的變化轉換成電學量變化的一種元件，它在自動控制中有著廣泛的應用．如圖是一種測定液面高度的電容式傳感器的示意圖．金屬棒與導電液體構成一個電容器，將金屬棒和導電液體分別與直流電源的兩極相連接，從電容C和導電液與金屬棒間的電壓U的變化就能反映液面的升降情況，即

　�、匐娫唇油ê�，電容C減小，反映h減小．

　�、陔娫唇油ê螅�電容C減小，反映h增大．

　�、垭娫唇油ㄔ贁嚅_后，電壓U減小，反映h減�。�

　�、茈娫唇油ㄔ贁嚅_后，電壓U減小，反映h增大．

　　以上判斷正確的是（　）．

　　A．①③　　　　 B．①④　　　　C．②③　　　　　　 D．②④

　21．如圖甲，某人正通過定滑輪將質量為m的貨物提升到高處．滑輪的質量和摩擦均不計，貨物獲得的加速度a與繩子對貨物豎直向上的拉力T之間的函數(shù)關系如圖乙所示．由圖可以判斷

　�、賵D線與縱軸的交點M的值．

　　②圖線與橫軸的交點N的值．

　�、蹐D線的斜率等于物體的質量m．

　�、軋D線的斜率等于物體質量的倒數(shù)1／m．

　　以上判斷正確的是（�。�．

　　A．④           B．②③　　　　 C．①②③　　　D．①②④

   第Ⅱ卷（非選擇題，共174分）

　實驗題．本題10分．請按要求做答、作圖，并將答案填在題中橫線上．

22．（1）某同學用伏安法測電阻．兩測量電路圖電流表分別為內接和外接，其他條件都相同．若用甲圖電路，兩表讀數(shù)分別為2.00 V和0.30 A；若用乙圖電路，兩表讀數(shù)為1.51 V和0.31 A．為了使測出的電阻值誤差較小，實驗應選用圖________所示電路．選用此電路的測量值比真實值________（偏大或偏�。�．

　　（2）下圖給出了測量所用的全部器材．請按照選好的電路用導線把所給器材連接起來，使之成為測量電路．注意兩個電表要選用適當量程．

　　（3）這位同學用選好的電路進行測量，數(shù)據(jù)記錄如下

次數(shù)

1

2

3

4

5

6

7

U（V）

0.81

1.21

1.51

1.70

1.79

2.31

2.51

I（A）

0.16

0.24

0.30

0.33

0.40

0.42

0.50

　　請在坐標圖中畫出U -I圖線，并求出＝________．

　　計算題．本大題有4個小題，共45分．解答應有必要的文字說明、方程式和重要的演算步驟，只寫出最后答案的不能得分．有數(shù)值計算的，答案中必須寫出數(shù)值和單位．

23．（10分）一質量為m的物塊放在水平地面上，現(xiàn)在對物塊施加一個大小為F的水平恒力，使物塊從靜止開始向右移動距離s后立即撤去F．物塊與水平地面間的動摩擦因數(shù)為m ．求：

　�。�1）撤去F時，物塊的速度大�。�

　�。�2）撤去F后，物塊還能滑行多遠?

24.（18分）．如圖，在水平面上有兩條平行導電導軌MN、PQ，導軌間距離為，勻強磁場垂直于導軌所在的平面（紙面）向里，磁感應強度的大小為B，兩根金屬桿1、2擺在導軌上，與導軌垂直，它們的質量和電阻分別為和R₁、R₂，兩桿與導軌接觸良好，與導軌間的動摩擦因數(shù)為，已知：桿1被外力拖動，以恒定的速度沿導軌運動；達到穩(wěn)定狀態(tài)時，桿2也以恒定速度沿導軌運動，導軌的電阻可忽略，求此時桿2克服摩擦力做功的功率。

  25．(20分)如圖所示，坐標空間中有場強為E的勻強電場和磁感應強度為B的勻強磁場，y軸為兩種場的分界面，圖中虛線為磁場區(qū)域的右邊界；現(xiàn)有一個質量為m，電荷量為―q的帶電粒子(不計重力)，從電場中坐標位置(―，0)處以初速度v_o沿x軸正方向開始運動，且已知=，試求：   

    (1)粒子第一次通過y軸時的位置?  

    (2)若要使帶電粒子能穿越磁場區(qū)域而不再返回電場中，磁場的寬度d應滿足的條件?

26．（14分）下圖表示幾種無機物之間的轉化關系。其中A．B均為黑色粉末，C為無色氣體，E是紅棕色氣體，G是具有漂白性的氣體，H的水溶液呈藍色。

請回答下列問題：

（1）A的化學式是        ，C的電子式是        ，Y 的名稱是                    。        

（2）反應①的化學方程式為       

                                 。

（3）實驗室測定氣體E的相對分子質量時，得到的實驗         

值總是比理論值偏大。要準確測定E的相對分子質量， 

最適宜的條件是_________。

a．高溫高壓      b．低溫低壓       c．高溫低壓       d．低溫高壓

（4）用石墨作電極電解H的水溶液，電解總反應的離子方程式是                。

（5）推測反應③的還原產物可能是          。

27．（15分）硅單質及其化合物應用范圍很廣。

（1）制備硅半導體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅：

Ⅰ．高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

Ⅱ．粗硅與干燥的氯氣在450 ℃～500 ℃ 反應制得SiCl₄

Ⅲ． SiCl₄液體經精餾提純后與過量H₂在1100 ℃～1200 ℃ 反應制得純硅

已知SiCl₄沸點為57．6 ℃，能與H₂O強烈反應。1 mol H₂與SiCl₄氣體完全反應吸收的熱量為120．2 kJ。請回答下列問題：

① 第Ⅰ步制備粗硅的化學反應方程式為                                      ，第Ⅲ步反應的熱化學方程式是                                               。

②整個制備純硅過程必須嚴格控制無水無氧。SiCl₄在潮濕的空氣中因水解而產生白色煙霧，其生成物是           ；H₂還原SiCl₄過程中若混O₂，可能引起的后果是         。