科目: 來(lái)源: 題型:
A.電流很快消失
B.電流會(huì)持續(xù)相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間
C.要使電流持續(xù),必須需要電源
D.這個(gè)過(guò)程發(fā)熱的功率很大
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科目: 來(lái)源: 題型:
A.超導(dǎo)體在臨界溫度以下電阻為0
B.超導(dǎo)體中的電子做定向運(yùn)動(dòng)不易于與構(gòu)成物質(zhì)的晶格發(fā)生碰撞
C.水銀的Tc為4.2 K,即水銀在低于4.2℃時(shí),其電阻為0
D.超導(dǎo)體中的電流可以長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)下去
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科目: 來(lái)源: 題型:
圖14-3-2
A.環(huán)境溫度降低 B.環(huán)境溫度升高
C.環(huán)境溫度不變 D.都有可能
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科目: 來(lái)源: 題型:
A.純凈半導(dǎo)體的電阻比摻入微量雜質(zhì)的半導(dǎo)體電阻小
B.溫度降低,半導(dǎo)體電阻的阻值減小
C.光照變強(qiáng),光敏電阻阻值減小
D.摻有微量雜質(zhì)的半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能增強(qiáng)
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科目: 來(lái)源: 題型:
A.半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能隨溫度的升高而降低
B.半導(dǎo)體與導(dǎo)體都是自由電子導(dǎo)電
C.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間
D.在太空船中可以制造純度極高的半導(dǎo)體單晶硅
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科目: 來(lái)源: 題型:
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科目: 來(lái)源: 題型:
A.增加半導(dǎo)體的溫度 B.半導(dǎo)體中加入其他微量雜質(zhì)
C.用激光照射半導(dǎo)體 D.增大半導(dǎo)體兩端的電壓
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科目: 來(lái)源: 題型:
A.導(dǎo)體的電阻隨溫度的升高而增大
B.半導(dǎo)體的電阻隨溫度的升高而增大
C.純金屬的電阻率大,合金的電阻率小
D.純凈半導(dǎo)體的導(dǎo)電性差,摻入雜質(zhì)后的導(dǎo)電性能增強(qiáng)
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科目: 來(lái)源: 題型:
圖14-2-5
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