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科目: 來(lái)源: 題型:

用超導(dǎo)材料制成一個(gè)閉合線圈,一旦激發(fā)電流,以下說(shuō)法正確的是(     )

    A.電流很快消失

    B.電流會(huì)持續(xù)相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間

    C.要使電流持續(xù),必須需要電源

    D.這個(gè)過(guò)程發(fā)熱的功率很大

   

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科目: 來(lái)源: 題型:

關(guān)于超導(dǎo)體,下列說(shuō)法中正確的是(     )

    A.超導(dǎo)體在臨界溫度以下電阻為0

    B.超導(dǎo)體中的電子做定向運(yùn)動(dòng)不易于與構(gòu)成物質(zhì)的晶格發(fā)生碰撞

    C.水銀的Tc為4.2 K,即水銀在低于4.2℃時(shí),其電阻為0

    D.超導(dǎo)體中的電流可以長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)下去

   

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科目: 來(lái)源: 題型:

如圖14-3-2所示,已知R1為半導(dǎo)體熱敏電阻,R2為普通電阻,當(dāng)燈泡L的亮度逐漸變暗時(shí),這說(shuō)明(     )

圖14-3-2

    A.環(huán)境溫度降低                         B.環(huán)境溫度升高

    C.環(huán)境溫度不變                         D.都有可能

   

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科目: 來(lái)源: 題型:

下列關(guān)于半導(dǎo)體的說(shuō)法,正確的有(     )

    A.純凈半導(dǎo)體的電阻比摻入微量雜質(zhì)的半導(dǎo)體電阻小

    B.溫度降低,半導(dǎo)體電阻的阻值減小

    C.光照變強(qiáng),光敏電阻阻值減小

    D.摻有微量雜質(zhì)的半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能增強(qiáng)

   

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科目: 來(lái)源: 題型:

關(guān)于半導(dǎo)體材料,下列判斷錯(cuò)誤的是(     )

    A.半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能隨溫度的升高而降低

    B.半導(dǎo)體與導(dǎo)體都是自由電子導(dǎo)電

    C.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間

    D.在太空船中可以制造純度極高的半導(dǎo)體單晶硅

   

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科目: 來(lái)源: 題型:

下列電器不能用超導(dǎo)體制作的是(     )

    A.電爐             B.發(fā)電機(jī)           C.電動(dòng)機(jī)            D.計(jì)算機(jī)

   

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科目: 來(lái)源: 題型:

利用超導(dǎo)材料的零電阻的性質(zhì),可實(shí)現(xiàn)無(wú)損耗輸電,現(xiàn)有一直流電路,輸電線的電阻為0.4Ω,它提供給用電器的功率為40kW,電壓為800V,如果使用臨界溫度以下的超導(dǎo)電纜代替原來(lái)的輸電線,保持供給用電器的功率和電壓不變,那么節(jié)約用電功率為多少?

   

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科目: 來(lái)源: 題型:

下列哪些方法可能改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能(     )

    A.增加半導(dǎo)體的溫度                    B.半導(dǎo)體中加入其他微量雜質(zhì)

    C.用激光照射半導(dǎo)體                    D.增大半導(dǎo)體兩端的電壓

   

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科目: 來(lái)源: 題型:

關(guān)于導(dǎo)體和半導(dǎo)體,下列說(shuō)法正確的是(     )

    A.導(dǎo)體的電阻隨溫度的升高而增大

    B.半導(dǎo)體的電阻隨溫度的升高而增大

    C.純金屬的電阻率大,合金的電阻率小

    D.純凈半導(dǎo)體的導(dǎo)電性差,摻入雜質(zhì)后的導(dǎo)電性能增強(qiáng)

   

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科目: 來(lái)源: 題型:

如圖14-2-5,A、B兩地相距40 km,從A到B兩條輸電線的總電阻為800 Ω.若在AB間的某處E兩條輸電線路發(fā)生短路,為查明短路地點(diǎn),在A 處接上電源,測(cè)得電壓示數(shù)為10 V,小量程電流表讀數(shù)為40 mA,則短路處距A多遠(yuǎn)?

圖14-2-5

   

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同步練習(xí)冊(cè)答案