如圖15-4-8所示的是磁感應(yīng)強(qiáng)度B、正電荷速度v和磁場(chǎng)對(duì)電荷的作用力F三者方向的相互關(guān)系圖（其中B垂直于F與v決定的平面，B、F、v兩兩垂直）.其中正確的是（　�。�

圖15-4-8

關(guān)于帶電粒子所受洛倫茲力F和磁感應(yīng)強(qiáng)度B及粒子速度v三者之間的關(guān)系，下列說法中正確的是（　　）

A.F、B、v三者必定均保持垂直

B.F必定垂直于B、v，但B不一定垂直于v

C.B必定垂直于F、v，但F不一定垂直于v

D.v必定垂直于F、B，但F不一定垂直于B

在相互垂直的勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，有一傾角為θ，足夠長的光滑絕緣斜面，磁感強(qiáng)度為B，方向垂直紙面向外，電場(chǎng)方向豎直向上.有一質(zhì)量為m，帶電荷量為+q的小球靜止在斜面頂端，這時(shí)小球?qū)π泵娴恼龎毫η『脼榱�，如圖15-4-7所示，若迅速把電場(chǎng)方向反轉(zhuǎn)豎直向下，小球能在斜面上連續(xù)滑行多遠(yuǎn)？所用時(shí)間是多少？

圖15-4-7

如圖15-4-6所示，場(chǎng)強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)和磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)相互正交，一個(gè)質(zhì)子以速度v₀以跟E、B都垂直的方向從A點(diǎn)射入.質(zhì)子質(zhì)量為m，電荷量為e，當(dāng)質(zhì)子運(yùn)動(dòng)到c點(diǎn)時(shí)，偏離入射方向的距離為d.則質(zhì)子在c點(diǎn)的速率為多大？

圖15-4-6

如圖15-4-5所示，一根光滑絕緣桿MN在豎直面內(nèi)與水平面夾角為37°，放在一個(gè)范圍較大的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向與桿垂直.質(zhì)量為m的帶電環(huán)沿桿下滑到P處時(shí)，向上拉桿的力大小為0.4mg，若環(huán)帶的電荷量為q，問環(huán)帶什么電？它滑到P處時(shí)的速度多大？在何處環(huán)與桿無相互作用？

圖15-4-5

如圖15-4-4所示，在真空中勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向豎直向下，勻強(qiáng)磁場(chǎng)方向垂直紙面向里，三個(gè)油滴a、b、c帶有等量同種電荷，其中a靜止，b向右做勻速運(yùn)動(dòng)，c向左做勻速運(yùn)動(dòng).比較它們的重力G_a、G_b、G_c間的關(guān)系，正確的是（　�。�

?

圖15-4-4

A.G_a最大?     B.G_b最大        C.G_c最大?   D.G_b最小

電流表可以用來測(cè)量電壓，但它的測(cè)量范圍一般很�。�U_g=I_g·R _g）.為了測(cè)量較大的電壓，需對(duì)其進(jìn)行改裝，即串聯(lián)一個(gè)較大的適當(dāng)電阻，以來增大測(cè)量范圍，即增大量程.試分析說明改裝后的電壓表能否利用原來的刻度盤.

用電流表測(cè)電流時(shí)，要串聯(lián)在被測(cè)電路中，讓電流流過電流表的線圈.任何一個(gè)電流表所能承受的電流都是一定的，當(dāng)電流表中的電流超過該值時(shí)，不僅不能測(cè)量電流，而且還可能燒壞電流表.為此要在電路中并聯(lián)一個(gè)較小的適當(dāng)電阻，以來增大其量程，試分析說明改裝之后的電流表為什么能承受較大的電流.

如圖15-3-11所示，abcd是一豎直放置的矩形導(dǎo)線框，線框面積為S，放在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)水平磁場(chǎng)中，ab邊在水平面內(nèi)，且與磁場(chǎng)方向夾角成60°.若導(dǎo)線框中的電流為I，則線框所受安培力對(duì)某豎直的固定軸的力矩等于…（　�。�

?

圖15-3-11

A.IBS?                      B.

C.?             D.由于線框邊長及轉(zhuǎn)軸未定，無法確定?

如圖15-3-10所示，磁電式電流表線圈面積為S，匝數(shù)為Ｎ，當(dāng)通入的電流為I時(shí)，線圈因受磁力矩作用偏轉(zhuǎn)θ角.若磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，此時(shí)線圈所受磁力矩M為 …（　　）

圖15-3-10

A.NBIS?                         B.NBIScosθ

C.NBISsinθ?                  D.BIScosθ