A.分子間距離增大時，分子間的引力減小，斥力增大

B.氣體壓強本質(zhì)上就是大量氣體分子作用在器壁單位面積上的平均作用力

C.一定質(zhì)量的理想氣體，壓強不變，溫度升高時，分子間的平均距離一定增大

D.內(nèi)能少的物體也可以自發(fā)地將一部分內(nèi)能轉(zhuǎn)移給內(nèi)能多的物體

E.理想氣體在絕熱膨脹的過程中，內(nèi)能一定減小

A.0~t2時間內(nèi)物塊A可能下滑

B.物塊A受到的摩擦力在0~t1時間內(nèi)減小，t2時刻恢復(fù)原來的大小

C.地面C受到物塊B的摩擦力為零

D.物塊B受到地面C的支持力不變

【題目】如圖所示，半徑為R的圖形區(qū)域內(nèi)存在方向垂直紙面向里、磁感應(yīng)強度大小為B的勻強磁場（圓形區(qū)域上半圓半徑略小于下半圓半徑）。一群質(zhì)量為m、電荷量為+q的帶電粒子從A點沿平行于紙面的任意方向射入磁場，粒子射入磁場的速度大小為，不計粒子重力及粒子間相互作用，則（ ）

A.粒子在磁場中運動的最短時間為

B.粒子在磁場中運動的最長時間為

C.粒子離開磁場時，速度方向一定相同

D.粒子離開磁場時，動量變化量一定相同

A.該行星表面的重力加速度為8m/s2

B.該行星的質(zhì)量比地球的質(zhì)量大

C.該行星的第一宇宙速度為6.4km/s

D.該物體落到行星表面時的速率為30m/s

A.電壓表的示數(shù)為90 VB.電流表的示數(shù)為0.15A

C.原線圈的輸人電壓u=450sin100πt（V）D.電阻R2消耗的電功率為45 W

【題目】如圖所示，兩個等量正點電荷放置在距原點距離相等的x軸上。設(shè)沿x軸、y軸方向為正方向，無窮遠處電勢為零，則下列關(guān)于x軸上（）區(qū)域和y軸上的場強E和電勢φ的圖像可能正確的是（ ）

A.B.C.D.

A.甲圖，湯姆生通過α粒子散射實驗，提出了原子核的概念，建立了原子核式結(jié)構(gòu)模型

B.乙圖，氫原子的能級結(jié)構(gòu)圖，大量處于n=4能級的原子向低能級躍遷時，能輻射6種不同頻率的光子

C.丙圖，“光電效應(yīng)”實驗揭示了光的粒子性，愛因斯坦為此提出了相對論學(xué)說，建立了光電效應(yīng)方程

D.丁圖，重核裂變產(chǎn)生的中子能使核裂變反應(yīng)連續(xù)得進行，稱為鏈?zhǔn)椒磻?yīng)，其中一種核裂變反應(yīng)方程為

A.兩小球在C點的速度大小均為

B.A、B兩點高度差為

C.兩小球在C點時重力的瞬時功率大小相等

D.甲、乙兩小球到達C點所用時間之比為3：5

（1）求粒子到達O點時的速度大��；

（2）如果α=30°，則粒子能經(jīng)過OM分界面上的哪些點？

（3）如果α=30°，讓粒子在OA之間的某點釋放，要求粒子仍能經(jīng)過（2）問中的那些點，則粒子釋放的位置應(yīng)滿足什么條件？

【題目】如圖所示，阻值為R，質(zhì)量為m，邊長為l的正方形金屬框位于光滑的水平面上。金屬框的ab邊與磁場邊緣平行，并以一定的初速度進入矩形磁場區(qū)域，運動方向與磁場邊緣垂直。磁場方向垂直水平面向下，在金屬框運動方向上的長度為。已知金屬框的ad邊進入磁場后，金屬框在進、出磁場階段中的運動速度與ab邊在磁場中的位置坐標(biāo)之間的關(guān)系為（未知），式中c為某正值常量。若金屬框完全通過磁場后恰好靜止，求：

(1)磁場的磁感應(yīng)強度；

(2)從金屬框開始進入磁場區(qū)域到金屬框的ab邊剛出磁場區(qū)域的運動過程中的安培力所做的功。