(2008年上海卷.物理.)用如圖所示的實驗裝置觀察光的薄膜干涉現(xiàn)象。圖2(a)是點燃酒精燈(在燈芯上灑些鹽),圖2(b)是豎立的附著一層肥皂液薄膜的金屬絲圈。將金屬絲圈在其所在的豎直平面內緩慢旋轉,觀察到的現(xiàn)象是
A.當金屬絲圈旋轉30°時干涉條紋同方向旋轉30°
B.當金屬絲圈旋轉45°時干涉條紋同方向旋轉90°
C.當金屬絲圈旋轉60°時干涉條紋同方向旋轉30° 圖2
D.干涉條紋保持原來狀態(tài)不變
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某物體以30 m/s的初速度豎直上拋,不計空氣阻力,g取10 m/s2,則5 s內物體的[2008年高考·上海物理卷]( )
A.路程為65 m
B.位移大小為25 m,方向向上
C.速度改變量的大小為10 m/s
D.平均速度大小為13 m/s,方向向上
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科目:高中物理 來源: 題型:
(2008年上海卷)如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內,存在兩個場強大小均為E的勻強電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計電子所受重力).
(1)在該區(qū)域AB邊的中點處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置.
(2)在電場I區(qū)域內適當位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點的位置.
(3)若將左側電場II整體水平向右移動L/n(n≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場移動),求在電場I區(qū)域內由靜止釋放電子的所有位置.
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(2008年上海卷)如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內,存在兩個場強大小均為E的勻強電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計電子所受重力).
(1)在該區(qū)域AB邊的中點處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置.
(2)在電場I區(qū)域內適當位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點的位置.
(3)若將左側電場II整體水平向右移動L/n(n≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場移動),求在電場I區(qū)域內由靜止釋放電子的所有位置.
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科目:高中物理 來源: 題型:
2008年(上海卷 物理)23.(12分)如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內,存在兩個場強大小均為E的勻強電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計電子所受重力)。
(1)在該區(qū)域AB邊的中點處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置。
(2)在電場I區(qū)域內適當位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點的位置。
(3)若將左側電場II整體水平向右移動L/n(n≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場移動),求在電場I區(qū)域內由靜止釋放電子的所有位置。
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