如圖甲所示,bacd為導體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m的導體棒PQab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個裝置放于垂直框架平面的變化磁場中,磁感應強度B的變化情況如圖乙所示,PQ能夠始終保持靜止,則0~t2時間內(nèi),PQ受到的安培力F和摩擦力f隨時間變化的圖像一定錯誤的是(取平行斜面向上為正方向)
[     ]
A、
B、
C、
D、
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲所示,bacd為導體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個裝置放于垂直框架平面的變化磁場中,磁感應強度B的變化情況如圖乙所示,PQ能夠始終保持靜止.試畫出0~t2時間內(nèi)PQ受到的安培力F隨時間變化的圖象(取沿斜面向上為正方向).
精英家教網(wǎng)

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2012-2013學年貴州省高三第二次月考理科綜合物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖甲所示,bacd為導體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個裝置放于垂直框架平面的變化磁場中,磁感應強度B的變化情況如圖乙所示,PQ能夠始終保持靜止,則0~t2時間內(nèi),PQ受到的安培力F和摩擦力f隨時間變化的圖像可能正確的是(取平行斜面向上為正方向)

 

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2012屆江西省高二下學期第一次月考物理卷(普) 題型:選擇題

如圖甲所示,bacd為用導體做成的框架,其平面與水平面成角,質(zhì)量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個裝置放在垂直于框架平面的變化的磁場中,磁感應強度B的變化情況如圖乙所示,PQ始終靜止,則在0~t2 s內(nèi)(t=0時刻,安培力大于mgsin),對PQ受到的摩擦力F的分析正確的是

A.F先減小后增大,且在t1時刻為零

B.F先減小后增大,且在t1時刻F=mgsin

C.F先增大后減小,且在時刻為最大值

D.F先增大后減小,且在t1時刻F=mgsin

 

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2013年高考物理復習卷C(九)(解析版) 題型:解答題

如圖甲所示,bacd為導體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個裝置放于垂直框架平面的變化磁場中,磁感應強度B的變化情況如圖乙所示,PQ能夠始終保持靜止.試畫出0~t2時間內(nèi)PQ受到的安培力F隨時間變化的圖象(取沿斜面向上為正方向).

查看答案和解析>>

同步練習冊答案