A.在時(shí)刻t1,電路中的電流最大 |
B.在時(shí)刻t2,電路中的磁場(chǎng)能最大 |
C.從時(shí)刻t2至t3,電路的電場(chǎng)能不斷增大 |
D.從時(shí)刻t3至t4,電容器帶的電荷量不斷增大 |
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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.調(diào)制 | B.調(diào)頻 | C.調(diào)幅發(fā) | D.調(diào)諧 |
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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題
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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.會(huì)產(chǎn)生變化的磁場(chǎng) |
B.會(huì)產(chǎn)生穩(wěn)定的磁場(chǎng) |
C.不產(chǎn)生磁場(chǎng) |
D.會(huì)產(chǎn)生周期性變化的磁場(chǎng) |
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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題
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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.速度變慢,波長(zhǎng)變短 | B.速度不變,波長(zhǎng)變短 |
C.頻率增高,波長(zhǎng)變長(zhǎng) | D.頻率不變,波長(zhǎng)變長(zhǎng) |
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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.0至0.5ms內(nèi),電容器C正在充電 |
B.0.5ms至1ms內(nèi),電容器上極板帶正電荷 |
C.1ms至1.5ms內(nèi),Q點(diǎn)比P點(diǎn)電勢(shì)高 |
D.1.5ms至2ms內(nèi)磁場(chǎng)能在減少,磁感應(yīng)強(qiáng)度增大 |
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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.“光梳”是利用光的干涉來(lái)測(cè)定未知頻譜的具體頻率 |
B.“光梳”是利用光的折射來(lái)測(cè)定未知頻譜的具體頻率 |
C.“光梳”是利用原子躍遷光譜來(lái)測(cè)定未知頻譜的具體頻率 |
D.“光梳”是利用一系列頻率均勻分布的頻譜與未知頻譜對(duì)比來(lái)測(cè)定未知頻譜的具體頻率 |
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