如圖所示,MNPQ是一個(gè)足夠長的處于豎直平面內(nèi)的固定的金屬框架,框架的寬度為L,電阻忽略不計(jì).a(chǎn)b是一根質(zhì)量為m,有一定電阻的導(dǎo)體,能緊貼框架無摩擦下滑,整個(gè)框架平面處于垂直于框架平面的勻強(qiáng)磁場中,磁感強(qiáng)度為B.當(dāng)單刀雙擲開關(guān)S置于1位置時(shí),導(dǎo)體ab恰好靜止在框架的某一處.已知電源的電動(dòng)勢為ε,內(nèi)阻為r.
(1)勻強(qiáng)磁場的方向如何?
(2)當(dāng)開關(guān)S置于2位置時(shí),導(dǎo)體ab由靜止開始下落,試寫出ab下落運(yùn)動(dòng)的分析過程,并用所給的物理量表達(dá)ab在下落過程中的最大速度.
(3)ab達(dá)到最大速度的1/2時(shí),其加速度大小是多大?此時(shí)ab兩端的電壓為多少?
(4)如果ab由靜止開始下落到達(dá)到最大速度所用的時(shí)間為t,下落高度為h.試推導(dǎo)則該過程中h和t應(yīng)滿足的不等式關(guān)系?

【答案】分析:(1)當(dāng)單刀雙擲開關(guān)S置于1位置時(shí),導(dǎo)體ab恰好靜止,受到向上的安培力,由左手定則判斷磁場方向;
(2)當(dāng)開關(guān)S置于2位置時(shí),導(dǎo)體ab由靜止開始下落,棒受到重力和安培力,開始階段安培力小于重力,棒做加速度減小的加速運(yùn)動(dòng),當(dāng)兩力平衡時(shí),棒做勻速運(yùn)動(dòng),達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),根據(jù)安培力的表達(dá)式,由平衡條件求出最大速度;
(3)ab達(dá)到最大速度的時(shí),求出安培力,再根據(jù)牛頓第二定律求加速度,由歐姆定律求電壓;
(4)作出ab運(yùn)動(dòng)過程的υ-t圖線:ab初始加速度為g,即圖線在原點(diǎn)的切線斜率為g.運(yùn)動(dòng)過程下落距離h即為圖線曲線部分所包的“面積”,它介于圖示“梯形面積”和“三角形面積”之間.即可得到h和t應(yīng)滿足的不等式關(guān)系.
解答:解:(1)由左手定則判斷得知:磁場方向垂直紙面向內(nèi)
(2)S接1時(shí),mg=F=BIL=B  ①
S接2時(shí),剛開始ab下落的加速度為g,接著加速運(yùn)動(dòng)、同時(shí)受重力和安培力作用,由牛頓第二定律得:mg-F=ma
隨著的υ的增大,感應(yīng)電場也隨著增大,感應(yīng)電流也增大,從而使F增大而導(dǎo)致速度a的減小,最終達(dá)到和重力的平衡而做勻速運(yùn)動(dòng),因而有:
由①得R代入②整理后得:υm=
(3)由②可知,當(dāng)ab達(dá)到最大速度的時(shí),安培力F=mg,因此有:
   mg-F=ma
解得,a=g.
又因?yàn),ab切割磁感線產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢,其電阻相當(dāng)于電源內(nèi)阻,而據(jù)題意,框架電阻不計(jì),因而外電阻為0,從而使ab兩端的電壓(端電壓)為0.
(4)作出ab運(yùn)動(dòng)過程的υ-t圖線:
ab初始加速度為g,即圖線在原點(diǎn)的切線斜率為g.運(yùn)動(dòng)過程下落距離h即為圖線曲線部分所包的“面積”,它介于圖示“梯形面積”和“三角形面積”之間.
故有:,
將(2)中求的υm值代入得:
答:
(1)勻強(qiáng)磁場的方向垂直紙面向內(nèi);
(2)S接2時(shí),剛開始ab下落的加速度為g,接著加速運(yùn)動(dòng)、同時(shí)受重力和安培力作用,由牛頓第二定律得:mg-F=ma,隨著的υ的增大,感應(yīng)電場也隨著增大,感應(yīng)電流也增大,從而使F增大而導(dǎo)致速度a的減小,最終達(dá)到和重力的平衡而做勻速運(yùn)動(dòng),ab在下落過程中的最大速度為
(3)ab達(dá)到最大速度的時(shí),其加速度大小是,此時(shí)ab兩端的電壓為0.
(4)該過程中h和t應(yīng)滿足的不等式關(guān)系為:
點(diǎn)評:本題是電磁感應(yīng)與力學(xué)知識的綜合,分析和計(jì)算安培力是關(guān)鍵,同時(shí)要抓住v-t圖象的物理意義分析h與t的關(guān)系式.
練習(xí)冊系列答案
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(2004?南匯區(qū)一模)如圖所示,MNPQ是一個(gè)足夠長的處于豎直平面內(nèi)的固定的金屬框架,框架的寬度為L,電阻忽略不計(jì).a(chǎn)b是一根質(zhì)量為m,有一定電阻的導(dǎo)體,能緊貼框架無摩擦下滑,整個(gè)框架平面處于垂直于框架平面的勻強(qiáng)磁場中,磁感強(qiáng)度為B.當(dāng)單刀雙擲開關(guān)S置于1位置時(shí),導(dǎo)體ab恰好靜止在框架的某一處.已知電源的電動(dòng)勢為ε,內(nèi)阻為r.
(1)勻強(qiáng)磁場的方向如何?
(2)當(dāng)開關(guān)S置于2位置時(shí),導(dǎo)體ab由靜止開始下落,試寫出ab下落運(yùn)動(dòng)的分析過程,并用所給的物理量表達(dá)ab在下落過程中的最大速度.
(3)ab達(dá)到最大速度的1/2時(shí),其加速度大小是多大?此時(shí)ab兩端的電壓為多少?
(4)如果ab由靜止開始下落到達(dá)到最大速度所用的時(shí)間為t,下落高度為h.試推導(dǎo)則該過程中h和t應(yīng)滿足的不等式關(guān)系?

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如圖所示,MNPQ是一塊截面為正方形的玻璃磚,正方形的邊長為30cm.有一束很強(qiáng)的細(xì)光束AB射到玻璃磚的MQ面上,入射點(diǎn)為B,該光束從B點(diǎn)進(jìn)入玻璃磚后再經(jīng)QP面反射沿DC方向射出.其中B為MQ的中點(diǎn),∠ABM=30°,PD=7.5cm,∠CDN=30°.試在原圖上準(zhǔn)確畫出該光束在玻璃磚內(nèi)的光路圖,并求出該玻璃磚的折射率.

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如圖所示,MNPQ是一塊截面為正方形的玻璃磚,正方形的邊長為30 cm,有一束很強(qiáng)的細(xì)光束AB射到玻璃磚的MQ面上,入射點(diǎn)為B,該光束從B點(diǎn)進(jìn)入玻璃磚后再經(jīng)QP面反射沿DC方向射出.其中BMQ的中點(diǎn),∠ABM=30°,PD=7.5 cm,∠CDN=30°.試在原圖上準(zhǔn)確畫出該光束在玻璃磚內(nèi)的光路圖,并求出該玻璃磚的折射率.

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如圖所示,MNPQ是一塊
截面為正方形的玻璃磚,其邊長MN="30" cm。一束激光AB射到玻璃磚的MQ面上(入射點(diǎn)為B)進(jìn)入玻璃磚后在QP面上的F點(diǎn)(圖中未畫出)發(fā)生全反射,恰沿DC方向射出。其中B為MQ的中點(diǎn),∠ABM=30°,PD=7.5 cm,∠CDN=30°。

①畫出激光束在玻璃磚內(nèi)的光路示意圖,求出QP面上的反射點(diǎn)F到Q點(diǎn)的距離QF;
②求出該玻璃磚的折射率。
③求出激光束在玻璃磚內(nèi)的傳播速度(真空中光速c=3×108m/s)。

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①畫出激光束在玻璃磚內(nèi)的光路示意圖,求出QP面上的反射點(diǎn)到Q點(diǎn)的距離QF;

②求出該玻璃磚的折射率。

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