質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示。離子源S產(chǎn)生質(zhì)量為m、帶電量為q的某種正離子,離子產(chǎn)生出來時(shí)速度很小,可以看作是靜止的。粒子從容器A下方小孔S1飄入電勢(shì)差為U的加速電場(chǎng),然后經(jīng)過小孔S2和S3后沿著與磁場(chǎng)垂直的方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,最后打到照相底片D上。
(1)小孔S1和S2處的電勢(shì)比較,哪處的高?在小孔S1和S2處的電勢(shì)能,哪處高?如果容器A接地且電勢(shì)為0,則小孔S1和S2處的電勢(shì)各為多少?(設(shè)小孔極小,其電勢(shì)和小孔處的電極板的電勢(shì)相同)
(2)求粒子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速率和粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑。
(3)如果從容器下方的S1小孔飄出的是具有不同的質(zhì)量的帶電量為q的正離子,那么這些粒子打在照相底片的同一位置,還是不同位置?如果是不同位置,那么質(zhì)量分別為的粒子在照相底片的排布等間距嗎?寫出說明。
解析:(1)由于電荷量為帶正電的粒子,從容器下方的S1小孔飄入電勢(shì)差為U的加速電場(chǎng),要被加速,S1和S2處的電勢(shì)比較,S1處的高,從小孔S1到S2電場(chǎng)力做正功,電勢(shì)能減小,所以粒子在小孔S1處的電勢(shì)能高于在S2處。如果容器A接地且電勢(shì)為0,而小孔S1和S2處的電勢(shì)差為U,所以小孔S1和S2處的電勢(shì)各為0和-U。
(2)設(shè)從容器下方的S1小孔飄出的是具有不同的質(zhì)量的電荷量為的粒子,到達(dá)S2的速度為v,經(jīng)S3進(jìn)入射入磁場(chǎng)區(qū),根據(jù)能量守恒,有 v=
設(shè)粒子在洛倫茲力作用下做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為R,由洛倫茲力公式和牛頓定律得:
(3)在磁場(chǎng)中偏轉(zhuǎn)距離d=
由于是具有不同的質(zhì)量的粒子,所以距離d不同,這些粒子打在照相底片的不同位置。從上式可以看出,在磁場(chǎng)中偏轉(zhuǎn)距離d與質(zhì)量的平方根成正比,所以質(zhì)量分別為的粒子在照相底片的排布間距不等。
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