A. | 金屬線框剛進入磁場時感應(yīng)電流方向沿adcba方向 | |
B. | 金屬線框的邊長為v1(t2-t1) | |
C. | 磁場的磁感應(yīng)強度為$\frac{1}{{v}_{1}({t}_{2}-{t}_{1})}$$\sqrt{\frac{mgR}{{v}_{1}}}$ | |
D. | 金屬線框在0~t4的時間內(nèi)所產(chǎn)生的熱量為2mgV1(t2-t1)+$\frac{1}{2}$m(V22-V32) |
分析 金屬框進入磁場前做勻加速運動,由圖線與時間軸所圍的面積讀出金屬框初始位置的bc邊到邊界MN的高度;由圖象可知,金屬框進入磁場過程中是做勻速直線運動,根據(jù)時間和速度求解金屬框的邊長;由圖知,金屬線框進入磁場過程做勻速直線運動,重力和安培力平衡,列式可求出磁感應(yīng)強度B.由能量守恒定律求出在進入磁場過程中金屬框產(chǎn)生的熱量.
解答 解:A、金屬線框剛進入磁場時磁通量增大,根據(jù)楞次定律判斷可知,感應(yīng)電流方向沿abcda方向;故A正確;
B、由圖象可知,金屬框進入磁場過程中是做勻速直線運動,速度為v1,運動時間為t2-t1,故金屬框的邊長:L=v1(t2-t1);故B正確;
C、在金屬框進入磁場的過程中,金屬框所受安培力等于重力,則得:mg=BIL,I=$\frac{BL{v}_{1}}{R}$,又 L=v1(t2-t1).
聯(lián)立解得:B=$\frac{1}{{v}_{1}({t}_{2}-{t}_{1})}\sqrt{\frac{mgR}{{v}_{1}}}$;故C正確;
D、t1到t2時間內(nèi),根據(jù)能量守恒定律,產(chǎn)生的熱量為:Q1=mgL=mgV1(t2-t1);t2到t3時間內(nèi).線圈在磁場中運動,沒有內(nèi)能產(chǎn)生;
t3到t4時間內(nèi),根據(jù)能量守恒定律,產(chǎn)生的熱量為:Q2=mgL+$\frac{1}{2}$m(V22-V32)=mgV1(t2-t1)+$\frac{1}{2}$m(V22-V32);
故Q=Q1+Q2=2mgV1(t2-t1)+$\frac{1}{2}$m(V22-V32),故D正確;
故選:ABCD.
點評 本題電磁感應(yīng)與力學(xué)知識簡單的綜合,能由圖象讀出線框的運動情況,選擇與之相應(yīng)的力學(xué)規(guī)律是解答本題的關(guān)鍵,要加強練習(xí),培養(yǎng)自己識別、理解圖象的能力和分析、解決綜合題的能力.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 桌面受到的壓力就是物體的重力 | |
B. | 桌面受到的壓力是由于它自己發(fā)生了微小形變而產(chǎn)生的 | |
C. | 桌面由于發(fā)生了微小形變,從而對物體產(chǎn)生了豎直向上的支持力 | |
D. | 物體由于發(fā)生了微小形變,從而對桌面產(chǎn)生了豎直向下的重力 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物體仍保持勻速下滑 | |
B. | 物體將沿斜面加速下滑 | |
C. | 物體將沿斜面減速下滑 | |
D. | 僅當qE=mg時,物體繼續(xù)保持勻速下滑 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 1:2 | B. | 2:1 | C. | 2:$\sqrt{3}$ | D. | 4:$\sqrt{3}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電場強度反映了電場力的性質(zhì),因此電場中某點的場強與試探電荷在該點所受的電場力成正比 | |
B. | 電場中某點的場強等于$\frac{F}{q}$,但與試探電荷的受力大小及電荷量無關(guān) | |
C. | 電場中某點的場強方向即試探電荷在該點的受力方向 | |
D. | 公式E=$\frac{F}{q}$和E=k$\frac{Q}{{r}^{2}}$對于任何靜電場都是適用的 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電場線與等勢面可以垂直,也可以不垂直 | |
B. | 電場力對正電荷做正功,其電勢能增加,對負電荷做正功,其電勢能減少 | |
C. | 電勢差的公式UAB=$\frac{{W}_{AB}}{q}$說明兩點間的電勢差UAB與電場力做功WAB成正比,與移動電荷的電荷量q成反比 | |
D. | 從點電荷場強計算式分析庫侖定律的表達式F=$\frac{k{q}_{1}{q}_{2}}{{r}^{2}}$,$\frac{{kq}_{2}}{{r}^{2}}$是點電荷q2產(chǎn)生的電場在點電荷q1處的場強大小,而$\frac{k{q}_{1}}{{r}^{2}}$是點電荷q1產(chǎn)生的電場在q2處場強的大小 |
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