g | 4 |
E |
R |
g |
4 |
1 |
2 |
2 1 |
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2g |
E |
R |
BLV1 |
R |
B2L2V2 |
R |
g |
4 |
3mgR |
4B2L2 |
m
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2 |
m
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2 |
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2 |
9m3g2R2 |
32 |
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2g |
BLV1 |
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3mgR |
4B2L2 |
m
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9m3g2R2 |
32 |
科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源:北京市師大附中2011-2012學(xué)年高二下學(xué)期期中考試物理理科試題 題型:013
邊長為L的正方形導(dǎo)線框在水平拉力F作用下,沿光滑絕緣水平面向右勻速運動,穿越如圖所示的有理想邊界的勻強磁場區(qū)(圖為俯視圖),磁場區(qū)由寬均為L的兩部分組成,磁感應(yīng)強度大小相同,方向相反,都垂直于水平面.若線框進(jìn)入左邊磁場區(qū)過程水平拉力做的功是W,那么線框穿越整個磁場區(qū)的全過程拉力F做的功是
A.3 W
B.4 W
C.5 W
D.6 W
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科目:高中物理 來源:江蘇模擬題 題型:計算題
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