關(guān)于半導(dǎo)體，下列判斷正確的是（    ）

A.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間

B.在太空船中可以制造純度極高的半導(dǎo)體單晶硅

C.半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能隨溫度的升高而降低

D.半導(dǎo)體與導(dǎo)體都是由自由電子導(dǎo)電

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：閱讀理解

實(shí)驗(yàn)題
（1）如圖1是用雙縫干涉測光的波長的實(shí)驗(yàn)設(shè)備示圖，圖中①②③④⑤依次是光源、濾光片、單縫、雙縫、光那，調(diào)整實(shí)驗(yàn)裝置使得像屏上可以見到清晰的干涉條紋，關(guān)于干涉條紋的情況，下列敘述哪些是正確的
 
．
A．若將光屏向左平移一小段距離，屏上的干涉條紋將變得不清晰
B．若將光屏向右平移一小段距離，屏上仍有清晰的干涉條紋
C．若將雙縫間的距離d減小，光屏上的兩個相鄰明條紋間的距離變小
D．若將濾光片由綠色換成紅色，光屏上的兩個相鄰暗條紋間的距離增大
精英家教網(wǎng)
（2）影響物質(zhì)材料電阻率的因素很多，一般金屬材料的電阻率隨溫度的升高而增大，而半導(dǎo)體材料的電阻率則與之相反，隨溫度的升高而減�。痴n題研究組需要研究某種導(dǎo)電材料的導(dǎo)電規(guī)律，他們用該種導(dǎo)電材料制作成電阻較小的線狀元件Z做實(shí)驗(yàn)，測量元件Z中的電源隨兩端電壓從零逐漸增大過程中的變化規(guī)律．
①他們應(yīng)選用下圖2甲所示的哪個電路進(jìn)行實(shí)驗(yàn)：答：
 

②在答題紙上，按照正確的電路圖，連接圖2乙的實(shí)物圖．
③實(shí)驗(yàn)測得元件Z的電壓與電流的關(guān)系如下表所示．根據(jù)表中數(shù)據(jù)，判斷元件Z是金屬材料還是半導(dǎo)體材料？答：
 

U/V 0 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.50 1.60
I/A 0 0.20 0.45 0.80 1.25 1.80 2.80 3.20
④把元件Z接入如圖2丙所示的電路中，當(dāng)電阻R的阻值為R1=2Ω時，電流表的讀數(shù)為1.25A；當(dāng)電阻R的阻值為R2=3.6Ω時；電流表的讀數(shù)為0.80A．結(jié)合上表數(shù)據(jù)，求出電池的電動勢為
 
V，內(nèi)阻為
 
Ω．（不計(jì)電流表的內(nèi)阻，結(jié)果保留兩位有效數(shù)字）
⑤用螺旋測量器測得線狀元件Z的直徑如圖2丁所示，則元件Z的直徑是
 
mm．

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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)半導(dǎo)體中參與導(dǎo)電的電流載體稱為載流子．N型半導(dǎo)體的載流子是帶負(fù)電的電子，P型半導(dǎo)體的載流子是帶正電的“空穴”，如圖所示，一塊厚度為d、寬度為L的長方形半導(dǎo)體樣品，置于方向如圖所示、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場中，當(dāng)半導(dǎo)體樣品中通以向右的電流強(qiáng)度為I的恒定電流時，樣品上、下底面出現(xiàn)恒定電勢差U，且上表面帶正電、下表面帶負(fù)電．設(shè)半導(dǎo)體樣品中每個載流子帶電荷量為q，半導(dǎo)體樣品中載流子的密度（單位體積內(nèi)載流子的個數(shù)）用n表示（已知電流I=nqvS，其中v為載流子定向移動的速度，S為導(dǎo)體橫截面積），則下列關(guān)于樣品材料類型的判斷和其中載流子密度n大小的表達(dá)式正確的是
（　�。�
A、是N型半導(dǎo)體，n=
BI
qdU
B、是P型半導(dǎo)體，n=
BI
qdU
C、是N型半導(dǎo)體，n=
BI
qLU
D、是P型半導(dǎo)體，n=
BI
qLU

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科目：高中物理 來源： 題型：

關(guān)于半導(dǎo)體材料,下列判斷錯誤的是(     )

    A.半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能隨溫度的升高而降低

    B.半導(dǎo)體與導(dǎo)體都是自由電子導(dǎo)電

    C.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間

    D.在太空船中可以制造純度極高的半導(dǎo)體單晶硅

   

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科目：高中物理 來源： 題型：

關(guān)于半導(dǎo)體材料,下列判斷錯誤的是(     )

A．半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能隨溫度的升高而降低

B．半導(dǎo)體與導(dǎo)體都是自由電子導(dǎo)電

C．半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間

D．在太空船中可以制造純度極高的半導(dǎo)體單晶硅

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