【題目】如圖所示,一個(gè)質(zhì)量為m=2.0×10-11kg、電荷量q=+1.0×10-5C的帶電微粒(重力忽略不計(jì)),從靜止開始經(jīng)U1=100V電壓加速后,水平進(jìn)入兩平行金屬板間的偏轉(zhuǎn)電場中,其板長L=20cm,兩板間距d=10cm,進(jìn)人磁場時(shí)速度偏離原來方向的角度=30°,磁場寬度D=10cm,則
A. 微粒進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場時(shí)的速度=1.0×104m/s
B. 兩金屬板間的電壓U2為100V
C. 為使微粒不從磁場右邊射出,該勻磁場的磁感強(qiáng)度B至少為0.1T
D. 為使做粒不從磁場右邊射出,該勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B至少為0.2T
【答案】ABD
【解析】
帶電微粒在加速電場加速運(yùn)動(dòng)的過程,根據(jù)動(dòng)能定理得:qU1=mv2,則得:,故A正確。帶電微粒在偏轉(zhuǎn)電場中只受電場力作用,做類平拋運(yùn)動(dòng)。在水平方向微粒做勻速直線運(yùn)動(dòng),水平方向有:L=vt;帶電微粒在豎直方向做勻加速直線運(yùn)動(dòng),加速度為a,出電場時(shí)豎直方向速度為v2;豎直方向:vy=at,,得:。由速度分解關(guān)系得: ;聯(lián)立以上兩式解得:U2=100V,故B正確。
帶電微粒進(jìn)入磁場做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力,設(shè)微粒軌跡恰好與磁場右邊相切時(shí)半徑為R。由幾何關(guān)系知R+Rsin30°=D;設(shè)微粒進(jìn)入磁場時(shí)的速度為v′,則 ;由牛頓運(yùn)動(dòng)定律及運(yùn)動(dòng)學(xué)規(guī)律得: ,解得:B=0.2T,所以帶電粒子不射出磁場右邊,磁感應(yīng)強(qiáng)度B至少為0.2T.故C錯(cuò)誤,D正確。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】一臺(tái)理想變壓器的原、副線圈的匝數(shù)比是5︰l,原線圈接入電壓為220V的正弦交流電,一只理想二極管和一個(gè)滑動(dòng)變阻器R串聯(lián)接在副線圈上,如圖所示.電壓表和電流表均為理想交流電表,則下列說法正確的是 ( )
A.原、副線圈電流之比為1︰5
B.電壓表的讀數(shù)小于44V
C.若滑動(dòng)變阻器接入電路的阻值為20,則1min內(nèi)產(chǎn)生的熱量為2904J
D.若將滑動(dòng)變阻器滑片向上滑動(dòng),兩電表讀數(shù)均減小
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】某物理小組欲利用如圖所示的電路同時(shí)測量一只有30格刻度的毫安表的量程、內(nèi)阻且要得到光敏電阻的阻值與光照強(qiáng)度之間的關(guān)系。實(shí)驗(yàn)室能提供的實(shí)驗(yàn)器材有:學(xué)生電源(輸出電壓為U=18.0V,內(nèi)阻不計(jì))、電阻箱R(最大阻值9999.9Ω)、單刀雙擲開關(guān)一只、導(dǎo)線若干。
(1)該小組實(shí)驗(yàn)時(shí)先將電阻箱的阻值調(diào)至最大,然后將單刀雙擲開關(guān)接至a端,開始調(diào)節(jié)電阻箱,發(fā)現(xiàn)將電阻箱的阻值調(diào)為1700Ω時(shí),毫安表恰好能夠偏轉(zhuǎn)10個(gè)格的刻度,將電阻箱的阻值調(diào)為800Ω時(shí),毫安表剛好能偏轉(zhuǎn)20個(gè)格的刻度,實(shí)驗(yàn)小組據(jù)此得到了該毫安表的量程為_______mA,內(nèi)阻Rg=________Ω。
(2)該小組查閱資料得知,光敏電阻的阻值隨光照強(qiáng)度的變化很大,為了安全,該小組需將亮安表改裝成量程為3A的電流表,則需在亳安表兩端_______(選填“串聯(lián)”或“并聯(lián)”)一個(gè)阻值后電表總電阻為______Ω的電阻(保留兩位有效數(shù)字)。
(3)改表之后,該小組將單刀雙擲開關(guān)接至b端,通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),流過毫安表的電流I(單位:mA)與光照強(qiáng)度E(單位:cd)之間的關(guān)系滿足,由此可得到光敏電阻的阻值R(單位:Ω)與光照強(qiáng)度E之間的關(guān)系為__________。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖甲所示,水平桌面上放有一長直導(dǎo)線MN和一矩形導(dǎo)線框abcd,導(dǎo)線MN固定并通有電流i,i隨時(shí)間的變化如圖乙所示,規(guī)定從N到M為電流正方向,MN通電過程中導(dǎo)線框始終靜止則( 。
A. 0到t1時(shí)間過程中,導(dǎo)線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電流
B. t1到t3時(shí)間過程中,導(dǎo)線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向保持不變
C. t2時(shí)刻,導(dǎo)線框不受桌面摩擦力的作用
D. t3到t4時(shí)間過程中,導(dǎo)線框受到桌面的摩擦力方向始終向左
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】某同學(xué)為了測定一個(gè)未知電阻R2的阻值,進(jìn)行如下實(shí)驗(yàn):
(1)他先用多用表的歐姆擋粗測其電阻值,在選擇開關(guān)撥至“×10Ω時(shí),指針指在如圖所示位置,則待測電阻的阻值為______Ω
(2)該同學(xué)用伏安法測其電阻,現(xiàn)有電源E(4V,內(nèi)阻可不計(jì))、滑動(dòng)變阻器R(0~20Ω,額定電流2A)、開關(guān)和導(dǎo)線若干,以及下列電表:
電流表G1,滿偏電流為50mA,內(nèi)阻約為2Ω;
電流表G2,滿偏電流為10mA,內(nèi)阻約為3Ω;
電壓表V1,滿偏電壓3V,內(nèi)阻約為3kΩ;
電壓表V2,滿偏電壓15V,內(nèi)阻約為9kΩ
①為盡可能減小測量誤差,電流表應(yīng)選______,電壓表應(yīng)選______。
②請?jiān)谔摼方框內(nèi)畫出合理的實(shí)驗(yàn)電路圖_________。
③根據(jù)所畫出的合理的電路圖,實(shí)驗(yàn)測得的電阻值與R實(shí)際值相比應(yīng)______(選填“偏大”或“偏小”),這是實(shí)驗(yàn)中的______(選填“系統(tǒng)”或“偶然”)誤差。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖為一個(gè)小型旋轉(zhuǎn)電樞式交流發(fā)電機(jī)的原理圖,圖示位置矩形線圈平行于磁感線,其矩形線圈的長度ab=0.25m,寬度bc=0.20m,共有m=100匝,總電阻r=5.0Ω,可繞與磁場方向垂直的對稱軸OO′轉(zhuǎn)動(dòng)。線圈處于磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.4T的勻強(qiáng)磁場中,與線圈兩端相連的金屬滑環(huán)上接一個(gè)“3.0V,1.8W“的燈泡,當(dāng)線圈以角速度ω勻速轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),小燈泡恰好正常發(fā)光,求:
(1)線圈轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度ω;
(2)圖示位置時(shí)cd邊所受的安培力的大小和方向;
(3)線圈從圖示位置轉(zhuǎn)過90°過程中流過燈泡的電量和線圈產(chǎn)生的電能。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,在光滑的水平面上有質(zhì)量M=2kg的木板A,其上表面Q處的左側(cè)粗糙,右側(cè)光滑,且PQ間距離L=2m,木板A右端擋板(擋板質(zhì)量不計(jì))上固定一根輕質(zhì)彈簧,在木板左端的P處有一大小忽略不計(jì)、質(zhì)量m=2kg的滑塊B。某時(shí)刻木板A以vA=1m/s的速度向左滑行,同時(shí)滑塊B以vB=5m/s的速度向右滑行,當(dāng)滑塊B與P處相距時(shí)(還未經(jīng)過Q處),二者剛好處于相對靜止?fàn)顟B(tài)。
(1)求B與A的粗糙面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)
(2)若在二者處于相對靜止?fàn)顟B(tài)時(shí)本板A遇到前方某一障礙物,木板A與它相碰后仍以原速率反彈(碰后立即撤去該障得物),求滑塊B最終停在木板A上的位置。(g取10m/s2)
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,電源電動(dòng)勢為E,內(nèi)阻為r,R1、R2為定值電阻,R0為滑動(dòng)變阻器。閉合開關(guān)后,把滑動(dòng)變阻器的滑片向左滑動(dòng),以下說法正確的是( )
A. 電流表示數(shù)變小,電壓表示數(shù)變大
B. 電流表示數(shù)變小,電壓表示數(shù)變小
C. R1消耗的電功率變小
D. R2消耗的電功率變大
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,在x軸的上方存在著垂直于紙面向外、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,在x軸上坐標(biāo)為(2R, 0)到(3.6R, 0)區(qū)域存在寬度為1.6R的屏,可以吸收打到屏上的粒子。在第三象限存在半徑為R的圓形勻強(qiáng)磁場,磁場方向垂直紙面向外,磁感應(yīng)強(qiáng)度為2B,磁場邊界與y軸相切于P點(diǎn)。P點(diǎn)有一粒子源,可射出按角度均勻分布、速度大小相等的帶正電粒子,粒子射出方向在與x軸負(fù)方向兩邊各53°區(qū)域內(nèi),其中沿x軸負(fù)方向射出的粒子從(-R,0)位置垂直于x軸進(jìn)入上方的磁場區(qū)域。已知粒子質(zhì)量為m、電荷量為q。求:
(1) P點(diǎn)射出的粒子速度大小。
(2)屏能接收到的粒子數(shù)與P點(diǎn)射出的粒子數(shù)的比值。
(3)若屏保持與x軸平行,僅沿y軸方向移動(dòng),要使粒子全部能打到屏上,屏的縱坐標(biāo),以及全部打不到屏上,屏的縱坐標(biāo)。
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